[1] |
龙慧, 胡建伟, 吴福根, 董华锋. 基于二维材料异质结可饱和吸收体的超快激光器.
,
2020, 69(18): 188102.
doi: 10.7498/aps.69.20201235
|
[2] |
邱小浪, 王爽爽, 张晓健, 朱仁江, 张鹏, 郭于鹤洋, 宋晏蓉. 双波长外腔面发射激光器.
,
2019, 68(11): 114204.
doi: 10.7498/aps.68.20182261
|
[3] |
周广正, 李颖, 兰天, 代京京, 王聪聪, 王智勇. 垂直腔面发射激光器与异质结双极型晶体管集成结构的设计和模拟.
,
2019, 68(20): 204203.
doi: 10.7498/aps.68.20190529
|
[4] |
秦璐, 任杰, 许兴胜. 垂直腔面发射激光器低温光电特性.
,
2019, 68(19): 194203.
doi: 10.7498/aps.68.20190427
|
[5] |
霍文娟, 谢红云, 梁松, 张万荣, 江之韵, 陈翔, 鲁东. 单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究.
,
2013, 62(22): 228501.
doi: 10.7498/aps.62.228501
|
[6] |
关宝璐, 郭霞, 张敬兰, 任秀娟, 郭帅, 李硕, 揣东旭, 沈光地. 双波长垂直腔面发射激光器及特性研究.
,
2011, 60(1): 014209.
doi: 10.7498/aps.60.014209
|
[7] |
黄雪兵, 夏光琼, 吴正茂. 时变电流注入下光电负反馈垂直腔表面发射激光器的偏振双稳特性.
,
2010, 59(5): 3066-3069.
doi: 10.7498/aps.59.3066
|
[8] |
张进成, 郑鹏天, 董作典, 段焕涛, 倪金玉, 张金凤, 郝跃. 背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响.
,
2009, 58(5): 3409-3415.
doi: 10.7498/aps.58.3409
|
[9] |
赵严峰. 双反馈半导体激光器的混沌特性研究.
,
2009, 58(9): 6058-6062.
doi: 10.7498/aps.58.6058
|
[10] |
张新陆, 王月珠, 李立, 鞠有伦, 姜波. 端面抽运Tm,Ho:YLF激光器双稳特性的理论分析与实验研究.
,
2009, 58(2): 964-969.
doi: 10.7498/aps.58.964
|
[11] |
季海铭, 曹玉莲, 杨涛, 马文全, 曹青, 陈良惠. p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究.
,
2009, 58(3): 1896-1900.
doi: 10.7498/aps.58.1896
|
[12] |
张新陆, 王月珠, 李 立, 鞠有伦. 激光二极管端面抽运Tm,Ho:YLF激光器双稳特性研究.
,
2008, 57(3): 1699-1703.
doi: 10.7498/aps.57.1699
|
[13] |
周洁, 卢励吾, 韩志勇, 梁基本. 分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究.
,
1991, 40(11): 1827-1832.
doi: 10.7498/aps.40.1827
|
[14] |
汪志诚. 双光子激光器的量子理论.
,
1991, 40(8): 1259-1279.
doi: 10.7498/aps.40.1259-2
|
[15] |
赵一广. 条形DH半导体激光器高频调制光输出的频率锁定、准周期、分岔和混沌.
,
1991, 40(5): 731-738.
doi: 10.7498/aps.40.731
|
[16] |
吴春武, 殷士端, 张敬平, 肖光明, 刘家瑞, 朱沛然. InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应.
,
1989, 38(1): 83-90.
doi: 10.7498/aps.38.83
|
[17] |
史常忻, 忻尚衡, 吴鼎芬. AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应.
,
1987, 36(3): 363-367.
doi: 10.7498/aps.36.363
|
[18] |
王启明, 朱龙德, 曹其萍. 质子轰击条形结构InGaAsP/InP内调Q DH双稳态激光器.
,
1985, 34(8): 1102-1106.
doi: 10.7498/aps.34.1102
|
[19] |
顾世杰, 霍崇儒. 丝状发光的GaAs注入式半导体激光器中结电流密度与载流子浓度的分布.
,
1979, 28(1): 21-32.
doi: 10.7498/aps.28.21
|
[20] |
刘皇风, 王联治. 双泵染料激光器.
,
1978, 27(3): 284-290.
doi: 10.7498/aps.27.284
|