[1] |
牛佳林, 董思远, 魏永星, 靳长清, 南瑞华, 杨斌. 助溶剂法生长的AgNbO3晶体相转变特征、电学和光学性能.
,
2024, 73(3): 038101.
doi: 10.7498/aps.73.20230984
|
[2] |
祝鑫强, 王剑, 朱璨, 罗丰, 陈树权, 徐佳辉, 徐峰, 王嘉赋, 张艳, 孙志刚. Co3Sn2S2单晶的磁性和电-热输运性能.
,
2023, 72(17): 177102.
doi: 10.7498/aps.72.20230621
|
[3] |
邱航强, 谢晓萌, 刘艺, 李玉科, 许晓峰, 焦文鹤. 三元钯基碲化物的单晶生长和电输运性质.
,
2022, 71(22): 227401.
doi: 10.7498/aps.71.20221034
|
[4] |
蒋冬冬, 谷岩, 冯玉军, 杜金梅. 静水压下锆锡钛酸铅铁电陶瓷相变和介电性能研究.
,
2011, 60(10): 107703.
doi: 10.7498/aps.60.107703
|
[5] |
许军, 黄宇健, 丁士进, 张卫. Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响.
,
2009, 58(5): 3433-3436.
doi: 10.7498/aps.58.3433
|
[6] |
曾 涛, 董显林, 毛朝梁, 梁瑞虹, 杨 洪. 孔隙率及晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理研究.
,
2006, 55(6): 3073-3079.
doi: 10.7498/aps.55.3073
|
[7] |
徐卓, 冯玉军, 郑曙光, 金安, 王方林, 姚熹. 等静压和温度诱导的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷相变和介电性能研究.
,
2001, 50(9): 1787-1794.
doi: 10.7498/aps.50.1787
|
[8] |
孙大亮, 于锡玲, 王 燕, 顾庆天. TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制.
,
2000, 49(9): 1873-1877.
doi: 10.7498/aps.49.1873
|
[9] |
刘家璐, 张廷庆, 罗宏伟, 严北平, 郎维和, 张宝峰. 碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟.
,
1998, 47(2): 275-285.
doi: 10.7498/aps.47.275
|
[10] |
李景德, 李家宝, 符史流, 沈文彬. 自由和随机介电弛豫.
,
1992, 41(1): 155-161.
doi: 10.7498/aps.41.155
|
[11] |
钟维烈, 张沛霖, 赵焕绥, 陈焕矗, 陈福生, 宋永远. 铌酸锂钠在低温时的介电铁电和热电性.
,
1988, 37(11): 1837-1842.
doi: 10.7498/aps.37.1837
|
[12] |
阮耀钟, 李立平, 陈友君, 何平笙. PTS单晶的介电性质.
,
1987, 36(11): 1503-1508.
doi: 10.7498/aps.36.1503
|
[13] |
葛传珍, 凌黎, 王牧, 牛钟明, 闵乃本, 冯端. 直拉法生长的GGG和YAG单晶体中螺型位错的双折射像.
,
1986, 35(2): 188-195.
doi: 10.7498/aps.35.188
|
[14] |
葛传珍, 徐秀英, 冯端. 直拉法生长Y3Al5O12(YAG)单晶体中的位错和包裹物.
,
1982, 31(3): 415-418.
doi: 10.7498/aps.31.415
|
[15] |
闵乃本, 洪静芬, 冯端. 直拉法生长的LiNbO3单晶体中的生长条纹和铁电畴组态间的对应关系.
,
1982, 31(1): 104-108.
doi: 10.7498/aps.31.104
|
[16] |
葛传珍, 徐秀英, 冯端. 直拉法生长的YAG单晶体中组分过冷引起的针状应力区和位错.
,
1981, 30(2): 218-223.
doi: 10.7498/aps.30.218
|
[17] |
朱中权, 陆惠秀. TGS单晶的内偏置电场.
,
1980, 29(3): 400-405.
doi: 10.7498/aps.29.400
|
[18] |
朱镛, 张道范. 铌酸锶钠锂单晶电光、热电、介电和压电性能.
,
1979, 28(2): 234-239.
doi: 10.7498/aps.28.234
|
[19] |
许政一. 静电场作用下KDP和TGS单晶中子衍射增强现象的物理机理.
,
1978, 27(6): 700-709.
doi: 10.7498/aps.27.700
|
[20] |
朱镛, 张道范, 成希敏. α-碘酸锂的介电和导电行为.
,
1977, 26(2): 115-123.
doi: 10.7498/aps.26.115
|