1989年 38卷 第1期
1989, 38(1): 1-8.
doi: 10.7498/aps.38.1
摘要:
用符号动力学的方法对圆映象的Farey序列、Farey序列与M.S.S.序列的＊积、二元树及各Farey数的新生轨道进行了研究。
用符号动力学的方法对圆映象的Farey序列、Farey序列与M.S.S.序列的＊积、二元树及各Farey数的新生轨道进行了研究。
1989, 38(1): 9-15.
doi: 10.7498/aps.38.9
摘要:
本文根据SSH和Hubbard模型研究了电子相互作用对聚乙炔中极化子的电子态的影响。结果发现:1.电子相互作用使能隙中出现了一个新的电子束缚态,它是靠近价带的浅能级;2.电子相互作用使得价带下面的一个电子束缚态消失,同时在导带上面出现了两个电子束缚态。
本文根据SSH和Hubbard模型研究了电子相互作用对聚乙炔中极化子的电子态的影响。结果发现:1.电子相互作用使能隙中出现了一个新的电子束缚态,它是靠近价带的浅能级;2.电子相互作用使得价带下面的一个电子束缚态消失,同时在导带上面出现了两个电子束缚态。
1989, 38(1): 16-23.
doi: 10.7498/aps.38.16
摘要:
利用自洽模型,推导出同步泵浦-被动锁模染料激光器的基本方程,并求出该系统输出的光脉冲宽度的解析表达式。由此,对这类混合锁模激光器系统的特性作了理论解析。
利用自洽模型,推导出同步泵浦-被动锁模染料激光器的基本方程,并求出该系统输出的光脉冲宽度的解析表达式。由此,对这类混合锁模激光器系统的特性作了理论解析。
1989, 38(1): 24-30.
doi: 10.7498/aps.38.24
摘要:
本文对各向同性介质中电四极矩跃迁共振增强的三波光差频过程进行了研究。在考虑原子电四极矩相互作用后,推导了二阶非线性极化率,并探讨了碰撞感生的二阶非线性光学过程出现的可能性。实验是在钠蒸汽中利用3s→4d电四极矩跃迁完成的。实验结果与理论预言相符合。
本文对各向同性介质中电四极矩跃迁共振增强的三波光差频过程进行了研究。在考虑原子电四极矩相互作用后,推导了二阶非线性极化率,并探讨了碰撞感生的二阶非线性光学过程出现的可能性。实验是在钠蒸汽中利用3s→4d电四极矩跃迁完成的。实验结果与理论预言相符合。
1989, 38(1): 31-34.
doi: 10.7498/aps.38.31
摘要:
用激光探针分幅成象诊断技术,发现并研究了出现在线状聚焦激光产生的等离子体冕区的大尺度“牛角尖”状的喷流结构。这种类型的等离子体喷流总是出现在热等离子体与冷的固体靶物质的交界处,或者出现在不同原子序数的两种等离子体的交界处。
用激光探针分幅成象诊断技术,发现并研究了出现在线状聚焦激光产生的等离子体冕区的大尺度“牛角尖”状的喷流结构。这种类型的等离子体喷流总是出现在热等离子体与冷的固体靶物质的交界处,或者出现在不同原子序数的两种等离子体的交界处。
1989, 38(1): 35-43.
doi: 10.7498/aps.38.35
摘要:
本文用部份相干的观点提出并研究了三个独立光栅串联排列系统的干涉效应。用模糊函数导出了干涉条纹光强分布为三个光栅等效函数的联合卷积-相关积分。给出了条纹存在的光栅间距离和周期比条件。随光源光栅狭缝宽度的变化相应产生相干的Talbot效应、部份相干效应和非相干的Lau效应。部份相干条纹的波形随光栅的平移而变化。最后给出了实验验证。
本文用部份相干的观点提出并研究了三个独立光栅串联排列系统的干涉效应。用模糊函数导出了干涉条纹光强分布为三个光栅等效函数的联合卷积-相关积分。给出了条纹存在的光栅间距离和周期比条件。随光源光栅狭缝宽度的变化相应产生相干的Talbot效应、部份相干效应和非相干的Lau效应。部份相干条纹的波形随光栅的平移而变化。最后给出了实验验证。
1989, 38(1): 44-52.
doi: 10.7498/aps.38.44
摘要:
用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。
用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。
1989, 38(1): 53-59.
doi: 10.7498/aps.38.53
摘要:
本文提出了多声子过程的强耦合超导理论,给出了能隙方程和Tc公式。结果发现,考虑电子多声子过程,高频声子对提高Tc有重要作用,单胞中对超导贡献的简并度数大,也有利于高Tc的出现。
本文提出了多声子过程的强耦合超导理论,给出了能隙方程和Tc公式。结果发现,考虑电子多声子过程,高频声子对提高Tc有重要作用,单胞中对超导贡献的简并度数大,也有利于高Tc的出现。
1989, 38(1): 60-67.
doi: 10.7498/aps.38.60
摘要:
对单相掺杂样品YBa2Cu3-xCoxOy (x=0.00,0.025,0.05,0.075,0.10,0.125,0.15,0.20,0.25,O.275,0.30,0.325,0.35,0.375,0.40)和YBa2Cu3-xZnxOy(x=O.025,0.05,0.075,0.10,0.15,0.20,0.30)作了室温下的
对单相掺杂样品YBa2Cu3-xCoxOy (x=0.00,0.025,0.05,0.075,0.10,0.125,0.15,0.20,0.25,O.275,0.30,0.325,0.35,0.375,0.40)和YBa2Cu3-xZnxOy(x=O.025,0.05,0.075,0.10,0.15,0.20,0.30)作了室温下的
1989, 38(1): 68-75.
doi: 10.7498/aps.38.68
摘要:
本文在研究极薄SixOyNx膜击穿特性的基础上,探讨了氮化SiO2膜的击穿机构,讨论了氮化影响击穿性能的因素。实验结果与理论分析表明,氮化后的SiO2膜击穿性能的改善主要决定于膜中及表界面的微观结构的改善及成分的改变。虽然,氮化引起介质膜带隙宽度的变窄将导致击穿电场的下降,但致密的材料结构、变得平整的表界面及陷阱的影响将大大推迟击穿的发生。实验结果表明,氮化SiO2膜的本征型
本文在研究极薄SixOyNx膜击穿特性的基础上,探讨了氮化SiO2膜的击穿机构,讨论了氮化影响击穿性能的因素。实验结果与理论分析表明,氮化后的SiO2膜击穿性能的改善主要决定于膜中及表界面的微观结构的改善及成分的改变。虽然,氮化引起介质膜带隙宽度的变窄将导致击穿电场的下降,但致密的材料结构、变得平整的表界面及陷阱的影响将大大推迟击穿的发生。实验结果表明,氮化SiO2膜的本征型
1989, 38(1): 76-82.
doi: 10.7498/aps.38.76
摘要:
本文研究了退火后的a-SixC1-x:H薄膜的光致发光光谱,采用发光光谱的峰值能量与测量温度之间的关系判别带尾宽度的大小。实验表明,发光峰值能量随退火温度的升高而移向低能。用指数带尾模型计算了带尾宽度。结果表明,随着退火温度的上升带尾变小。文中对这些结果进行了讨论。
本文研究了退火后的a-SixC1-x:H薄膜的光致发光光谱,采用发光光谱的峰值能量与测量温度之间的关系判别带尾宽度的大小。实验表明,发光峰值能量随退火温度的升高而移向低能。用指数带尾模型计算了带尾宽度。结果表明,随着退火温度的上升带尾变小。文中对这些结果进行了讨论。
1989, 38(1): 83-90.
doi: 10.7498/aps.38.83
摘要:
用5.8,3.0和1.2MeV的Li离子对用MBE制备的In0.25Ga0.75As/GaAs(100)异质结在(100)面中沿[100]及[110]轴进行角扫描。5.8MeV时,[110]轴外延层与衬底沟道对准角的差值为0.90°,从而计算出其晶格失配度为1.62％。3.0MeV时,背散射角扫描谱出现了严重的不对称现象。若离子以1.2MeV入射,沟道对准角的差值及衬底沟道的半角宽大大地偏离实际值。本文对以上反常现象从物理机理上进行了分析,给出了这些反常离子沟道
用5.8,3.0和1.2MeV的Li离子对用MBE制备的In0.25Ga0.75As/GaAs(100)异质结在(100)面中沿[100]及[110]轴进行角扫描。5.8MeV时,[110]轴外延层与衬底沟道对准角的差值为0.90°,从而计算出其晶格失配度为1.62％。3.0MeV时,背散射角扫描谱出现了严重的不对称现象。若离子以1.2MeV入射,沟道对准角的差值及衬底沟道的半角宽大大地偏离实际值。本文对以上反常现象从物理机理上进行了分析,给出了这些反常离子沟道
1989, 38(1): 91-97.
doi: 10.7498/aps.38.91
摘要:
本文研究了扩展位错攀移的高温蠕变机制。在文献[1]提出的扩展割阶束集模型的基础上,求出了在外加应力作用下割阶束集所需的时间和扩展位错的攀移速率,从而推导出稳态蠕变速率的表达式。根据此表达式,稳态蠕变速率与层错能的三次方成正比。这与一般实验结果相符。文中还指出了在某些情况下偏离三次方关系的可能原因。
本文研究了扩展位错攀移的高温蠕变机制。在文献[1]提出的扩展割阶束集模型的基础上,求出了在外加应力作用下割阶束集所需的时间和扩展位错的攀移速率,从而推导出稳态蠕变速率的表达式。根据此表达式,稳态蠕变速率与层错能的三次方成正比。这与一般实验结果相符。文中还指出了在某些情况下偏离三次方关系的可能原因。
1989, 38(1): 98-104.
doi: 10.7498/aps.38.98
摘要:
本文研究了一串级型四能级原子与双模腔场的相互作用,其中位于下方的模2腔场初始时刻不存在。计算表明,在一定的条件下,模2腔场的动力学行为中存在着长时间的深压缩现象或场复振幅算符两个正交分量的交替压缩现象,存在着强烈的反聚束效应以及强烈的超聚束效应,而且压缩与超聚束效应之间有一定的对应关系,非经典的压缩态和反聚束效应能够同时出现。模2腔场的这些非线性效应与复杂的叠加态有关。
本文研究了一串级型四能级原子与双模腔场的相互作用,其中位于下方的模2腔场初始时刻不存在。计算表明,在一定的条件下,模2腔场的动力学行为中存在着长时间的深压缩现象或场复振幅算符两个正交分量的交替压缩现象,存在着强烈的反聚束效应以及强烈的超聚束效应,而且压缩与超聚束效应之间有一定的对应关系,非经典的压缩态和反聚束效应能够同时出现。模2腔场的这些非线性效应与复杂的叠加态有关。
1989, 38(1): 105-110.
doi: 10.7498/aps.38.105
摘要:
利用软X射线条纹相机与针孔成象装置相结合,测得了碳、金平面靶靶面X射线时、空分辨图象,从而推算出靶面等离子体膨胀平均速度分别为(碳):5.11×107cm/s,(金):6.13×107cm/s。实验用1.06μm的钕玻璃激光轰击靶面,X射线能谱范围为0.1—10keV。测量在激光功率密度≈1014W/cm2的情况下进行。
利用软X射线条纹相机与针孔成象装置相结合,测得了碳、金平面靶靶面X射线时、空分辨图象,从而推算出靶面等离子体膨胀平均速度分别为(碳):5.11×107cm/s,(金):6.13×107cm/s。实验用1.06μm的钕玻璃激光轰击靶面,X射线能谱范围为0.1—10keV。测量在激光功率密度≈1014W/cm2的情况下进行。
1989, 38(1): 111-117.
doi: 10.7498/aps.38.111
摘要:
本文提出了一个测定任意取向的金刚石结构薄层晶向的方法——喇曼散射光极值法。文中推导了任意取向的金刚石结构薄层的喇曼散射光强与薄层晶向及入射光偏振方向间的函数关系,并利用此函数的极值定出晶向。利用本文方法所得硅单晶定向结果与X射线衍射法定向结果进行了比较。
本文提出了一个测定任意取向的金刚石结构薄层晶向的方法——喇曼散射光极值法。文中推导了任意取向的金刚石结构薄层的喇曼散射光强与薄层晶向及入射光偏振方向间的函数关系,并利用此函数的极值定出晶向。利用本文方法所得硅单晶定向结果与X射线衍射法定向结果进行了比较。
1989, 38(1): 118-123.
doi: 10.7498/aps.38.118
摘要:
本文是文献[1]的续篇。对于原A,B,C三种样品在已测得Deff,ρ,M,Re和(E/V)的基础上,又分别测出了抽出型、插入型和孪生层错几率α′,α″和β以及层错能γ,真正晶块大小D0。
本文是文献[1]的续篇。对于原A,B,C三种样品在已测得Deff,ρ,M,Re和(E/V)的基础上,又分别测出了抽出型、插入型和孪生层错几率α′,α″和β以及层错能γ,真正晶块大小D0。
1989, 38(1): 124-127.
doi: 10.7498/aps.38.124
摘要:
用干涉法测量了NH4IO3晶体的全部压电系数。结果为: d31=35.2, d32=23.4, d33=55.9, d24=-2.4, d15=-9.5×10-8 CGSE/DYN。
用干涉法测量了NH4IO3晶体的全部压电系数。结果为: d31=35.2, d32=23.4, d33=55.9, d24=-2.4, d15=-9.5×10-8 CGSE/DYN。
1989, 38(1): 128-133.
doi: 10.7498/aps.38.128
摘要:
本文测定了14种LnP5O14(Ln=La→Lu)晶体的硬度,同时还研究了硬度的非等向性,以及温度对硬度的影响。最后指出晶体硬度不仅与晶体的结构、晶格能有关,而且也与温度的影响有关。
本文测定了14种LnP5O14(Ln=La→Lu)晶体的硬度,同时还研究了硬度的非等向性,以及温度对硬度的影响。最后指出晶体硬度不仅与晶体的结构、晶格能有关,而且也与温度的影响有关。
1989, 38(1): 134-139.
doi: 10.7498/aps.38.134
摘要:
本文依据Ngai(倪嘉陵)的低频激发、弛豫、耗散理论和非晶态快离子导体的特点,提出了非晶态快离子导体的滞弹性弛豫理论。认为快离子导体玻璃中的超声吸收主要来源于与玻璃网络呈微弱联系的快离子的热激活弛豫及伴之而来的低能激发的损耗。理论成功地描述了超声吸收的频率、温度依赖关系,解释了弛豫时间分布理论所不能解释的快离子导体玻璃的实验特征。
本文依据Ngai(倪嘉陵)的低频激发、弛豫、耗散理论和非晶态快离子导体的特点,提出了非晶态快离子导体的滞弹性弛豫理论。认为快离子导体玻璃中的超声吸收主要来源于与玻璃网络呈微弱联系的快离子的热激活弛豫及伴之而来的低能激发的损耗。理论成功地描述了超声吸收的频率、温度依赖关系,解释了弛豫时间分布理论所不能解释的快离子导体玻璃的实验特征。
1989, 38(1): 140-144.
doi: 10.7498/aps.38.140
摘要:
本文系统地研究了Pd-,Cu-,Ni-和Fe-基非晶态合金在拉伸过程中的电阻变化以及成分、冷变形和热处理对电阻应变系数k的影响。电阻随应变增大而升高,k为正。合金电阻应变系数总是低于纯组元。硬态试样的电阻应变系数比淬火态的高,比退火态的更高。应用推广的Ziman电阻率理论讨论了非晶态合金电阻应变系数的物理本质及其影响因素。
本文系统地研究了Pd-,Cu-,Ni-和Fe-基非晶态合金在拉伸过程中的电阻变化以及成分、冷变形和热处理对电阻应变系数k的影响。电阻随应变增大而升高,k为正。合金电阻应变系数总是低于纯组元。硬态试样的电阻应变系数比淬火态的高,比退火态的更高。应用推广的Ziman电阻率理论讨论了非晶态合金电阻应变系数的物理本质及其影响因素。
1989, 38(1): 145-148.
doi: 10.7498/aps.38.145
摘要:
本文报道了用调制光谱手段对YBa2Cu3O7-δ化合物所进行的光学测量和研究。从对可见光区调制光谱结构的分析和讨论表明调制光谱可以用于研究超导体化合物的电子态结构。从而提出了又一种研究高温超导材料光学特性的新的测试手段。
本文报道了用调制光谱手段对YBa2Cu3O7-δ化合物所进行的光学测量和研究。从对可见光区调制光谱结构的分析和讨论表明调制光谱可以用于研究超导体化合物的电子态结构。从而提出了又一种研究高温超导材料光学特性的新的测试手段。
1989, 38(1): 149-153.
doi: 10.7498/aps.38.149
摘要:
测量了TS的介电常数与温度的关系,在160K和203K附近观察到异常;同时也跟踪测量了TS在固态聚合过程中介电常数与聚合度的关系,发现在聚合初期,介电常数先是下降,当聚合度高于30％时,介电常数迅速上升。我们认为这些变化与侧链极性基团和碳链π电子的行为有关,并对此进行了定性的讨论。
测量了TS的介电常数与温度的关系,在160K和203K附近观察到异常;同时也跟踪测量了TS在固态聚合过程中介电常数与聚合度的关系,发现在聚合初期,介电常数先是下降,当聚合度高于30％时,介电常数迅速上升。我们认为这些变化与侧链极性基团和碳链π电子的行为有关,并对此进行了定性的讨论。
1989, 38(1): 154-158.
doi: 10.7498/aps.38.154
摘要:
本文给出电子多声子作用对电子寿命影响的一般讨论方法,同时给出温度T》德拜温度TD的表达式,指出YBaCuO体系中电子多声子作用对高温超导性可能是重要的。
本文给出电子多声子作用对电子寿命影响的一般讨论方法,同时给出温度T》德拜温度TD的表达式,指出YBaCuO体系中电子多声子作用对高温超导性可能是重要的。
1989, 38(1): 159-162.
doi: 10.7498/aps.38.159
摘要:
本文研究了Schafer和Lyon最近提出的关于硅的快速始初氧化模型的基本假设。发现其中一些基本假设与已有的实验结果相矛盾。进而,本文采用作者曾经提出的氧化模型对Schafer-Lyon实验进行了解释,得到了令人满意的结果:理论不仅能相当满意地描述Scha-fer-Lyon测得的实验曲线,而且利用该理论中的关系式算得的氧化层中的薄层电荷密度和氧在SiO2中的平衡浓度与其他作者用其他方法测得的实验结果十分符合。
本文研究了Schafer和Lyon最近提出的关于硅的快速始初氧化模型的基本假设。发现其中一些基本假设与已有的实验结果相矛盾。进而,本文采用作者曾经提出的氧化模型对Schafer-Lyon实验进行了解释,得到了令人满意的结果:理论不仅能相当满意地描述Scha-fer-Lyon测得的实验曲线,而且利用该理论中的关系式算得的氧化层中的薄层电荷密度和氧在SiO2中的平衡浓度与其他作者用其他方法测得的实验结果十分符合。
1989, 38(1): 163-169.
doi: 10.7498/aps.38.163
摘要:
本文取原子集团模型Si8H18,Si17及从连续无规网络中挖取的集团模型Si29和Si47,用CNDO LCAO-MO方法计算其电子结构,探讨了a-Si:H中由弱键、弯键和带电组态等本征缺陷引起的赝隙态分布。结果表明,当弱键拉伸时,两个弱键态移动并收缩至带隙中央;过剩电荷使弱键能级移至价带顶或导带底附近;弯键态主要出现在价带顶附近。当弯键曲率较大时,弯键态上移至带隙中央以下的区域。结构拓扑无序导致
本文取原子集团模型Si8H18,Si17及从连续无规网络中挖取的集团模型Si29和Si47,用CNDO LCAO-MO方法计算其电子结构,探讨了a-Si:H中由弱键、弯键和带电组态等本征缺陷引起的赝隙态分布。结果表明,当弱键拉伸时,两个弱键态移动并收缩至带隙中央;过剩电荷使弱键能级移至价带顶或导带底附近;弯键态主要出现在价带顶附近。当弯键曲率较大时,弯键态上移至带隙中央以下的区域。结构拓扑无序导致
1989, 38(1): 170-174.
doi: 10.7498/aps.38.170
摘要:
本文从理论上分析了具有近线性弹性系数悬丝的扭摆在衰减振动时周期的变化规律,得到了与实验相符的结果,提出了如本底扣除法、双悬丝预应力法等几种消除周期变化影响、提高测量精度的方法。
本文从理论上分析了具有近线性弹性系数悬丝的扭摆在衰减振动时周期的变化规律,得到了与实验相符的结果,提出了如本底扣除法、双悬丝预应力法等几种消除周期变化影响、提高测量精度的方法。
