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高气压氦气平行极板击穿电压及场致发射的影响

杨初平 耿屹楠 王捷 刘兴南 时振刚

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高气压氦气平行极板击穿电压及场致发射的影响

杨初平, 耿屹楠, 王捷, 刘兴南, 时振刚

Breakdown voltage of high pressure helium parallel plates and effect of field emission

Yang Chu-Ping, Geng Yi-Nan, Wang Jie, Liu Xing-Nan, Shi Zhen-Gang
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  • 本文建立了高气压下的氦气放电模型, 通过与试验对比, 验证了模型的有效性, 并利用该模型对高气压下“场致发射”的影响进行了探讨. 通过Fowler-Nordheim方程将电流密度转化为电子通量, 并将电子通量添加到COMSOL相应的壁边界条件中进行仿真, 在宏观层面(击穿电压)以及微观层面(空间电子密度)进行分析. 研究发现, 场致发射电流密度 J由电场强度 E、场增强因子 $\beta $ 以及金属逸出功 W共同决定; $\beta = 300$ 时场致发射的影响可以忽略, 而对于 $\beta = 400$ 、电场强度10 MV/m以上的工况, 场致发射对击穿的影响较大; 对于以铜为平行平板电极的氦气击穿来说, 电场强度 E小于8 MV/m 时可以忽视场致发射的作用; 在微观层面上, 场致发射能够给放电空间提供新的“种子电子”, 进而提升整个空间的电子密度, 使得粒子碰撞反应加剧, 最终导致击穿.
    In this paper, a helium discharge model under high pressure is established. To qualitatively verify the validity of the model, we compare the results obtained from the previous experiments with those acquired from our model under similar operational conditions. In the simulation model, the electron temperature is obtained according to its relationship with the local electric field. According to the principle of electrical neutrality, the number density of He + and the number density of ${\rm{He}}_2^+$ are also equal to the initial electron density, and we can assume that the He + and the ${\rm{He}}_2^+$ account for 30% and 70%, respectively. For helium and copper electrodes, the secondary electron emission coefficient is 0.19 and the secondary electron average energy is15.3 eV. The Fowler-Nordheim equation is used to calculate the field-emission current density, and the electron flux is calculated according to the “charge conservation condition”. The electron flux is added to COMSOL's corresponding wall boundary, which can play the role of field emission. Finally, the analysis is carried out at a macro level (breakdown voltage) and micro level (spatial electron density). It is found that the field-emission current density is determined by the electric field intensity, the field enhancement factor, and the metal escaping work. The effect of field emission can be ignored when $\beta = 300$ . However, if $\beta = 400$ , the influence of field emission on the breakdown is significant when the electric field intensity is above $10\;{\rm{ MV}}/{\rm{m}}$ . For the breakdown of helium gas with copper serving as a parallel plate electrode, the effect of field emission can be ignored when the electric field intensity is lower than $8\;{\rm{ MV}}/{\rm{m}}$ . At a micro level, the field emission can provide new "seed electrons" for the discharge space, which can increase the electron density of the whole space and intensify the particle collision reaction, finally leading to the breakdown.
      通信作者: 耿屹楠, gengyinan@mail.tsinghua.edu.cn
      Corresponding author: Geng Yi-Nan, gengyinan@mail.tsinghua.edu.cn
    [1]

    郑艳华, 石磊 2010 原子能科学技术 44 s253

    Zheng Y H, Shi L 2010 Atom. Energ. Sci. Technol. 44 s253

    [2]

    岳珊, 刘兴男, 时振刚 2015 64 105101Google Scholar

    Yue S, Liu X N, Shi Z G 2015 Acta Phys. Sin. 64 105101Google Scholar

    [3]

    杨津基 1983 气体放电 (北京: 科学出版社)第53页

    Yang J J 1983 Gas Discharge (Beijing: Science Press) p53 (in Chinese)

    [4]

    Little R P, Whitney W T 1963 J. Appl. Phys. 34 2430Google Scholar

    [5]

    张喜波, 苏建仓, 孙旭, 赵亮, 李锐 2015 现代应用物理 6 43

    Zhang X B, Su J C, Sun X, Zhao L, Li R 2015 Mod. Appl. Phys. 6 43

    [6]

    徐翱, 金大志, 王亚军, 陈磊, 谈效华 2020 高电压技术 46 715

    Xu A, Jin D Z, Wang Y J, Chen L, Tan X H 2020 High Volt. Engineer. 46 715

    [7]

    成永红, 孟国栋, 董承业 2017 电工技术学报 32 14

    Cheng Y H, Meng G D, Dong C Y 2017 Trans. China Electrotechn. Soc. 32 14

    [8]

    Wallash A, LevitL 2003 Reliability, Testing, and Characterization of MEMS/MOEMS Ⅱ San Jose, USA, 2003 p87

    [9]

    潜力, 王昱权, 刘亮, 范守善 2011 60 028801Google Scholar

    Qian L, Wang Y Q, Liu L, Fan S S 2011 Acta Phys. Sin. 60 028801Google Scholar

    [10]

    孙强, 周前红, 宋萌萌, 杨薇, 董烨 2021 70 015202Google Scholar

    Sun Q, Zhou Q H, Song M M, Yang W, Dong Y 2021 Acta Phys. Sin. 70 015202Google Scholar

    [11]

    Dmitry S, Daniel B, Dogyun H, Shin K, Valery K, Noriyasu O 2019 IEEE Trans. Plasma Sci. 47 5186Google Scholar

    [12]

    Shin K, Noriyasu O, Shuichi T 2013 IEEE Trans. Plasma Sci. 41 1889Google Scholar

    [13]

    You Q, Zhou Yan, Liu X N, Mo N, Luo H, Shi Z G 2020 J. Nucl. Sci. Technol. 57 624Google Scholar

    [14]

    宁文军, 戴栋, 张雨晖, 郝艳捧, 李立浧 2017 高压电技术 43 1845

    Ning W J, Dai D, Zhang Y H, Hao Y P, Li L C 2017 High Volt. Engineer. 43 1845

    [15]

    Hagelaar G, Pitchford L 2005 Plasma Sources Sci. T. 14 722Google Scholar

    [16]

    Maric D, Radenovic M 2005 The European Physical Journal D-Atomic, Molecular, optical and Plasma Physics 35 313

    [17]

    You Q, Mo N, Liu X N, Luo H, Shi Z G 2020 Ann. Nucl. Energy 141 107351Google Scholar

    [18]

    Zhang P, Kortshagen U 2005 J. Phys. D Appl. Phys. 39 153

    [19]

    Zhang Y H, Ning W J, Dai D, Wang Q 2019 Plasma Sources Sci. T. 28 075003Google Scholar

    [20]

    Zhang Y H, Ning W J, Dai D, Wang Q 2019 Plasma Sci. Technol. 21 074003Google Scholar

    [21]

    Smirnov B M 2015 Theory of Gas Discharge Plasma (Switzerland: Springer International Publishing) p230

  • 图 1  模型几何结构

    Fig. 1.  Geometry of the model.

    图 2  平行平板

    Fig. 2.  Parallel plate.

    图 3  1 MPa下实验值与仿真值 (a) 25 ℃; (b) 105 ℃; (c) 155 ℃ (d) 180 ℃

    Fig. 3.  Experimental value and simulation value at 1 MPa: (a) 25 ℃; (b) 105 ℃; (c) 155 ℃; (d) 180 ℃.

    图 4  1 MPa和7 MPa下的实验值 (a) 25 ℃; (b) 105 ℃; (c) 155 ℃; (d) 180 ℃

    Fig. 4.  Experimental value at 1 MPaand7 MPa: (a) 25 ℃; (b) 105 ℃; (c) 155 ℃; (d) 180 ℃.

    图 5  1 MPa和7 MPa下的实验击穿场强

    Fig. 5.  Experimental breakdown field strength at 1 MPa and 7 MPa.

    图 6  电流密度的影响因素 (a) $\beta $ ; (b) E; (c) W

    Fig. 6.  Influencing factors of current density: (a) $\beta $ ; (b) E; (c) W.

    图 7  流程图

    Fig. 7.  Flow chart.

    图 8  轴向位置的电子密度

    Fig. 8.  Electron density in Z axis.

    图 9  电子密度演化图

    Fig. 9.  Evolutiondiagramofelectron density.

    图 10  7 MPa下实验值与仿真值 (a) 25 ℃; (b) 180 ℃

    Fig. 10.  Experimental value and simulation value at 7 MPa: (a) 25 ℃; (b) 180 ℃.

    表 1  模型考虑的粒子碰撞过程

    Table 1.  Collision processes considered in the model.

    反应式 速率常数 反应能/eV 参考文献
    ${\rm{e}} + {\rm{He}} \to {\rm{2 e}} + {\rm{H}}{{\rm{e}}^ + }$ $\alpha {V_{\rm{e}}}/{N_{{\rm{He}}}}$ 24.6 [ 13]
    ${\rm{e }}+ {\rm{H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}} \to {\rm{2 e}} + {\rm{H}}{{\rm{e}}^ + }$ $1.5 \times {10^{ - 13} }\sqrt { {T_{\rm{e} } } } \exp \left( { - \dfrac{ {4.77} }{ { {T_{\rm{e} } } } } } \right)$ 4.78 [ 13]
    ${\rm{e}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}} \to {\rm{2 e}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^ + $ $9.75 \times {10^{ - 16} }T_{\rm{e} }^{0.71}\exp \left( { - \dfrac{ {3.4} }{ { {T_{\rm{e} } } } } } \right)$ 3.4 [ 13]
    ${\rm{H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}} + {\rm{H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}} \to {\rm{e}} +{\rm{ He }}+{\rm{ H}}{{\rm{e}}^ + }$ $8.7 \times {10^{ - 16} }\sqrt {\dfrac{ { {T_{\rm{g} } } }}{ {0.025} } }$ 0 [ 13]
    ${\rm{He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}} \to {\rm{e}} + {\rm{3 He }}+{\rm{ H}}{{\rm{e}}^ + }$ $8.7 \times {10^{ - 16} }\sqrt {\dfrac{ { {T_{\rm{g} } } }}{ {0.025} } }$ 0 [ 13]
    ${\rm{He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}} \to {\rm{e}} +{\rm{ 2 He}} +{\rm{ He}}_{\rm{2}}^ + $ $2.03 \times {10^{ - 15} }\sqrt {\dfrac{ { {T_{\rm{g} } } }}{ {0.025} } }$ 0 [ 13]
    ${\rm{e}} + {\rm{He}} \to {\rm{e }}+ {\rm{H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}}$ $\dfrac{ {1.6 \times { {10}^{ - 15} }\exp \left( { - 350/{x^2} } \right)} }{ { {x^{0.3} }\left( {1 + 0.43{x^{1.2} } } \right)} }$ 19.8 [ 13]
    ${\rm{e }}+ {\rm{H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}} \to {\rm{e}} + {\rm{He}}$ $3 \times {10^{ - 15} } + \dfrac{ {5 \times { {10}^{ - 13} }\exp \left( { - 1.398/{T_{\rm{e} } } } \right)} }{ {1 + 5\exp \left( { - 0.602/{T_{\rm{e} } } } \right)} }$ –19.8 [ 13]
    ${\rm{e}} + {\rm{He}} \to {\rm{e}} + {\rm{He}}$ 横截面数据 0
    ${\rm{2 He }}+{\rm{ H}}{{\rm{e}}^ + } \to {\rm{He}} +{\rm{ He}}_{\rm{2}}^ + $ $1 \times {10^{ - 43}}$ 0 [ 13]
    ${\rm{2 He }}+{\rm{ H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}} \to {\rm{He}} +{\rm{ He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}}$ $8.1 \times {10^{ - 48}}T\exp \left( { - 650/T} \right)$ 0 [ 13]
    ${\rm{e }}+ {\rm{H}}{{\rm{e}}^ + } \to {\rm{H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}}$ $6.76 \times {10^{ - 19}}{T_{\rm{e}}}^{ - 0.5}$ –4.78 [ 14]
    ${\rm{e }}+ {\rm{H}}{{\rm{e}}^ + } \to {\rm{He}}$ $1.327 \times {10^{ - 27}}{n_{\rm{e}}}T_{\rm{e}}^{ - 4.4}$ –24.6 [ 14]
    ${\rm{e}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^ + \to {\rm{He}} +{\rm{ H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}}$ $5 \times {10^{ - 15}}$ 0 [ 13]
    ${\rm{e}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^ + \to {\rm{He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}}$ $5 \times {10^{ - 15} }({ { {T_{\rm{g} } } } }/{ { {T_{\rm{e} } } } })$ –3.4 [ 13]
    ${\rm{e}} +{\rm{ He }}+{\rm{ H}}{{\rm{e}}^ + } \to {\rm{He}} +{\rm{ H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}}$ $1 \times {10^{ - 38}}{\left( {{T_{\rm{e}}}/{T_{\rm{g}}}} \right)^{ - 2}}$ 0 [ 13]
    ${\rm{2 e}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^ + \to {\rm{e + 2 H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}}$ $6.186 \times {10^{ - 39}}{T_{\rm{e}}}^{ - 4.4}$ 0 [ 15]
    ${\rm{2 e}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^ + \to {\rm{e}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}}$ $7.1 \times {10^{ - 32}}$ 0 [ 15]
    ${\rm{e }}+ {\rm{He }}+ {\rm{He}}_{\rm{2}}^ + \to {\rm{He}} +{\rm{ He}}_{\rm{2}}^{\rm{*}}$ $5 \times {10^{ - 39} }({ { {T_{\rm{g} } } } }/{ { {T_{\rm{e} } } } })$ 0 [ 13]
    ${\rm{e }}+ {\rm{He }}+ {\rm{He}}_{\rm{2}}^ + \to {\rm{2 He }}+{\rm{ H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}}$ $5 \times {10^{ - 39}}$ 0 [ 15]
    ${\rm{2 e}} + {\rm{He}}_{\rm{2}}^ + \to {\rm{e}} +{\rm{ He }}+{\rm{ H}}{{\rm{e}}^{\rm{*}}}$ $2.8 \times {10^{ - 32}}$ 0 [ 15]
    注: ${V_{\rm{e}}}$表示电子迁移速度(迁移率与场强的乘积), ${N_{{\rm{He}}}}$是氦原子数密度, 由理想气体状态方程求得; ${T_{\rm{e}}}$和 ${T_{\rm{g}}}$分别是以eV表示的电子温度和气体温度, T 表示以K为单位的气体温度; x 表示以 ${\rm{Td}}$ ( $1~{\rm{ Td} } = {10^{ - 17} }\;{\rm{ V} } \cdot {\rm{c} }{ {\rm{m} }^{\rm{2} } }$)为单位的约化场强; 横截面数据来源于https://fr.lxcat.net/home/中的 Phelps 数据库; 表中二体反应(两种反应物)的速率常数单位是m 3/s, 三体反应(三种反应物)的速率常数单位是m 6/s.
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    表 2  模型中的 $\alpha $ 系数及输运参数

    Table 2.  $\alpha $ coefficient and transport parameters in the model.

    参数 计算式 参考文献 参数 计算式 参考文献
    α/m –1 $0.41 p{ {\rm{e} }^{ - 18.116 p/E} }$ [ 16] D e/(m 2·s –1) $2.3 \times {10^{24}}{T_{\rm{e}}}/{N_{{\rm{He}}}}$ [ 17]
    $ + 1.93 p{ {\rm{e} }^{ - 84.541 p/E} } $ D p/(m 2·s –1) $3.25 \times {10^{22}}{T_{\rm{e}}}/{N_{{\rm{He}}}}$ [ 17]
    μ e/(m 2·s –1·V –1) $2.83 \times {10^{24}}/{N_{{\rm{He}}}}$ [ 17] D i/(m 2·s –1) $4.88 \times {10^{22}}{T_{\rm{e}}}/{N_{{\rm{He}}}}$ [ 17]
    μ p/(m 2·s –1·V –1) $3.25 \times {10^{22}}/{N_{{\rm{He}}}}$ [ 17] D m/(m 2·s –1) $\dfrac{ {5.6} }{ {133.3 p} }{\left( {\dfrac{ { {T_{\rm{g} } } }}{ {0.025} } } \right)^{1.5} }$ [ 17]
    μ i/(m 2·s –1·V –1) $4.88 \times {10^{22}}/{N_{{\rm{He}}}}$ [ 17] D j/(m 2·s –1) $\dfrac{ {4.1} }{ {133.3 p} }{\left( {\dfrac{ { {T_{\rm{g} } } }}{ {0.025} } } \right)^{1.5} }$ [ 17]
    注: 电子(e)、氦原子离子(He +)、氦分子离子( ${\rm{He}}_2^+ $)、氦激发态原子(He *)以及氦激发态分子( ${\rm{He}}_2^* $), 分别对应下标e, p, i, m和j.
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    表 3  模型边界条件

    Table 3.  Boundary conditions in the model.

    边界 $ \varphi $ $ {n}_{\rm{e}} $ $ {n}_{\rm{\varepsilon }} $ n i $ {n}_{\rm{n}} $
    AD $ {V}_{a} $ (6) (7) (8) (8)
    BC $ 0 $ (6) (7) (8) (8)
    AB, CD $\dfrac{\partial \varphi }{\partial r}=0$ $ -{{n}}\cdot {{\varGamma }}_{\bf{e}}=0 $ $ -{{n}}\cdot {{\varGamma }}_{\bf{\varepsilon }}=0 $ $ -{{n}}\cdot {{\varGamma }}_{{k}}=0 $ $ -{{n}}\cdot {{\varGamma }}_{{k}}=0 $
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    表 4  实验与仿真参数

    Table 4.  Parameters of experimentand simulation.

    参数
    温度/℃ 25, 105, 155, 180
    压强/ MPa 1, 7
    间距/ mm 0.25, 031, 0.53, 3.02
    半径/ cm 3
    外加电压 直流
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    表 5  场致电流

    Table 5.  Current of field emission.

    温度/℃ 间距/mm 实验值/V 场强/(MV·m –1) I/A
    $\beta = 300$ $\beta = 400$
    25 0.25 2640 10.56 $7.01 \times {10^{ - 6}}$ $2.2 \times {10^{ - 3}}$
    0.31 3350 10.81 $1.17 \times {10^{ - 5}}$ $4.2 \times {10^{ - 3}}$
    0.53 5475 10.33 $4.24 \times {10^{ - 6}}$ $1.5 \times {10^{ - 3}}$
    0.71 7605 10.71 $9.65 \times {10^{ - 6}}$ $2.8 \times {10^{ - 3}}$
    180 0.31 2490 8.03 $6.20 \times {10^{ - 9}}$ $9.62 \times {10^{ - 6}}$
    0.53 3960 7.47 $7.02 \times {10^{ - 10}}$ $1.81 \times {10^{ - 6}}$
    0.71 5540 7.80 $2.64 \times {10^{ - 9}}$ $5.00 \times {10^{ - 6}}$
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    Baidu
  • [1]

    郑艳华, 石磊 2010 原子能科学技术 44 s253

    Zheng Y H, Shi L 2010 Atom. Energ. Sci. Technol. 44 s253

    [2]

    岳珊, 刘兴男, 时振刚 2015 64 105101Google Scholar

    Yue S, Liu X N, Shi Z G 2015 Acta Phys. Sin. 64 105101Google Scholar

    [3]

    杨津基 1983 气体放电 (北京: 科学出版社)第53页

    Yang J J 1983 Gas Discharge (Beijing: Science Press) p53 (in Chinese)

    [4]

    Little R P, Whitney W T 1963 J. Appl. Phys. 34 2430Google Scholar

    [5]

    张喜波, 苏建仓, 孙旭, 赵亮, 李锐 2015 现代应用物理 6 43

    Zhang X B, Su J C, Sun X, Zhao L, Li R 2015 Mod. Appl. Phys. 6 43

    [6]

    徐翱, 金大志, 王亚军, 陈磊, 谈效华 2020 高电压技术 46 715

    Xu A, Jin D Z, Wang Y J, Chen L, Tan X H 2020 High Volt. Engineer. 46 715

    [7]

    成永红, 孟国栋, 董承业 2017 电工技术学报 32 14

    Cheng Y H, Meng G D, Dong C Y 2017 Trans. China Electrotechn. Soc. 32 14

    [8]

    Wallash A, LevitL 2003 Reliability, Testing, and Characterization of MEMS/MOEMS Ⅱ San Jose, USA, 2003 p87

    [9]

    潜力, 王昱权, 刘亮, 范守善 2011 60 028801Google Scholar

    Qian L, Wang Y Q, Liu L, Fan S S 2011 Acta Phys. Sin. 60 028801Google Scholar

    [10]

    孙强, 周前红, 宋萌萌, 杨薇, 董烨 2021 70 015202Google Scholar

    Sun Q, Zhou Q H, Song M M, Yang W, Dong Y 2021 Acta Phys. Sin. 70 015202Google Scholar

    [11]

    Dmitry S, Daniel B, Dogyun H, Shin K, Valery K, Noriyasu O 2019 IEEE Trans. Plasma Sci. 47 5186Google Scholar

    [12]

    Shin K, Noriyasu O, Shuichi T 2013 IEEE Trans. Plasma Sci. 41 1889Google Scholar

    [13]

    You Q, Zhou Yan, Liu X N, Mo N, Luo H, Shi Z G 2020 J. Nucl. Sci. Technol. 57 624Google Scholar

    [14]

    宁文军, 戴栋, 张雨晖, 郝艳捧, 李立浧 2017 高压电技术 43 1845

    Ning W J, Dai D, Zhang Y H, Hao Y P, Li L C 2017 High Volt. Engineer. 43 1845

    [15]

    Hagelaar G, Pitchford L 2005 Plasma Sources Sci. T. 14 722Google Scholar

    [16]

    Maric D, Radenovic M 2005 The European Physical Journal D-Atomic, Molecular, optical and Plasma Physics 35 313

    [17]

    You Q, Mo N, Liu X N, Luo H, Shi Z G 2020 Ann. Nucl. Energy 141 107351Google Scholar

    [18]

    Zhang P, Kortshagen U 2005 J. Phys. D Appl. Phys. 39 153

    [19]

    Zhang Y H, Ning W J, Dai D, Wang Q 2019 Plasma Sources Sci. T. 28 075003Google Scholar

    [20]

    Zhang Y H, Ning W J, Dai D, Wang Q 2019 Plasma Sci. Technol. 21 074003Google Scholar

    [21]

    Smirnov B M 2015 Theory of Gas Discharge Plasma (Switzerland: Springer International Publishing) p230

  • [1] 周鑫淼, 张博雅, 陈立, 李兴文. 金属微粒影响三电极气体火花开关击穿过程的仿真研究.  , 2024, 73(1): 015202. doi: 10.7498/aps.73.20231283
    [2] 佟赞, 杨银利, 徐晶, 刘伟, 陈亮. 冠醚石墨烷对氦气分离性能的理论研究.  , 2023, 72(6): 068201. doi: 10.7498/aps.72.20222183
    [3] 刘成, 李明, 文章, 顾钊源, 杨明超, 刘卫华, 韩传余, 张勇, 耿莉, 郝跃. 复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计.  , 2022, 71(5): 057301. doi: 10.7498/aps.71.20211917
    [4] 徐大林, 王玉琦, 李新化, 史同飞. 电荷耦合效应对高耐压沟槽栅极超势垒整流器击穿电压的影响.  , 2021, 70(6): 067301. doi: 10.7498/aps.70.20201558
    [5] 王益军, 严诚. 不同电场下碳纳米管场致发射电流密度研究.  , 2015, 64(19): 197304. doi: 10.7498/aps.64.197304
    [6] 王建龙, 丁芳, 朱晓东. 高气压均匀直流辉光放电等离子体的光学特性.  , 2015, 64(4): 045206. doi: 10.7498/aps.64.045206
    [7] 岳姗, 刘兴男, 时振刚. 高压氦气平行极板击穿电压实验研究.  , 2015, 64(10): 105101. doi: 10.7498/aps.64.105101
    [8] 石艳梅, 刘继芝, 姚素英, 丁燕红. 具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构.  , 2014, 63(10): 107302. doi: 10.7498/aps.63.107302
    [9] 石艳梅, 刘继芝, 姚素英, 丁燕红, 张卫华, 代红丽. 具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构.  , 2014, 63(23): 237305. doi: 10.7498/aps.63.237305
    [10] 左应红, 王建国, 范如玉. 二极管间隙距离对场致发射过程中空间电荷效应的影响.  , 2012, 61(21): 215202. doi: 10.7498/aps.61.215202
    [11] 彭凯, 刘大刚. 三维热场致发射模型的数值模拟与研究.  , 2012, 61(12): 121301. doi: 10.7498/aps.61.121301
    [12] 潜力, 王昱权, 刘亮, 范守善. 碳纳米管在大气压环境中的场致发射特性.  , 2011, 60(2): 028801. doi: 10.7498/aps.60.028801
    [13] 潘金艳, 张文彦, 高云龙. 基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极.  , 2010, 59(12): 8762-8769. doi: 10.7498/aps.59.8762
    [14] 魏 巍, 郝 跃, 冯 倩, 张进城, 张金凤. AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析.  , 2008, 57(4): 2456-2461. doi: 10.7498/aps.57.2456
    [15] 郭平生, 陈 婷, 曹章轶, 张哲娟, 陈奕卫, 孙 卓. 场致发射阴极碳纳米管的热化学气相沉积法低温生长.  , 2007, 56(11): 6705-6711. doi: 10.7498/aps.56.6705
    [16] 郭亮良, 冯 倩, 郝 跃, 杨 燕. 高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析.  , 2007, 56(5): 2895-2899. doi: 10.7498/aps.56.2895
    [17] 林志贤, 郭太良, 胡利勤, 姚 亮, 王晶晶, 杨春建, 张永爱, 郑可炉. 四角状氧化锌纳米材料的场致发射平板显示器.  , 2006, 55(10): 5531-5534. doi: 10.7498/aps.55.5531
    [18] 丁 佩, 晁明举, 梁二军, 郭新勇. 不同氮源制备CNx纳米管薄膜及其低场致电子发射性能.  , 2005, 54(12): 5926-5930. doi: 10.7498/aps.54.5926
    [19] 刘筠乔, 詹杰民. Spindt型与薄膜场致发射的数值模拟与特性比较.  , 2005, 54(7): 3439-3443. doi: 10.7498/aps.54.3439
    [20] 丁 佩, 晁明举, 梁二军, 郭新勇, 杜祖亮. CNx纳米管的制备、结构观察及低场致电子发射性能研究.  , 2004, 53(8): 2786-2791. doi: 10.7498/aps.53.2786
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出版历程
  • 收稿日期:  2021-01-14
  • 修回日期:  2021-02-03
  • 上网日期:  2021-06-30
  • 刊出日期:  2021-07-05

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