SiOx（x=1.3）薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究

任圣; 马忠元; 江小帆; 王越飞; 夏国银; 陈坤基; 黄信凡; 徐骏; 徐岭; 李伟; 冯端

doi:10.7498/aps.63.167201

摘要

采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx （x=1.3）薄膜，研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性. 研究发现，在电极尺寸相同的条件下，随着退火温度的增加，该结构的高低阻态比显著提高，最高可达109. X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明，不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源. 椭偏仪的测试结果表明，经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因.

关键词:

Abstract

SiOx films (x=1.3) are deposited on the silicon substrates by electron beam evaporation. The resistive switching behaviors from the device consisting of indium tin oxide (ITO)/SiOx/Si/Al with annealed SiOx layer as the resistive layer are investigated. It is found that on/off ratio of the device increases with the annealing temperature rising. The maximum on/off ratio reaches 109. The analyses of X-ray photoelectron spectrum and electron paramagnetic resonance spectrum reveal that the silicon dangling bonds in different valence states can be formed at different annealing temperatures, which is the main source of the conducting filament pathway. The result of ellipsometer indicates that the increase of refractive index of annealed SiOx film leads to the increase of the resistance of high resistance state.

Keywords:

作者及机构信息

1.
南京大学电子科学与工程学院, 固体微结构物理国家重点实验室, 南京 210093

基金项目: 国家重点基础研究发展计划（批准号：2010CB934402，2013CB632101）、国家自然科学基金（批准号：61071008，60976001）、中央高等学校基本科研基金（批准号：1095021030，1116021004，1114021005）和高等学校博士学科点专项科研基金（批准号：20130091110024）资助的课题.

Authors and contacts

1.
National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China

Funds: Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China (Grant Nos. 2010CB934402, 2013CB632101), the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61071008, 60976001), the Fundamental Scientific Research Foundation for the Central Universities of China (Grant Nos. 1095021030, 1116021004, 1114021005), and the Specialized Research Foundation for the Doctoral Program of Institution of Higher Education of China (Grant No. 20130091110024).

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