[1] |
李媛媛, 胡竹斌, 孙海涛, 孙真荣. 胆红素分子激发态性质的密度泛函理论研究.
,
2020, 69(16): 163101.
doi: 10.7498/aps.69.20200518
|
[2] |
罗强, 杨恒, 郭平, 赵建飞. N型甲烷水合物结构和电子性质的密度泛函理论计算.
,
2019, 68(16): 169101.
doi: 10.7498/aps.68.20182230
|
[3] |
胡永金, 吴云沛, 刘国营, 罗时军, 何开华. ZnTe结构相变、电子结构和光学性质的研究.
,
2015, 64(22): 227802.
doi: 10.7498/aps.64.227802
|
[4] |
吴琼, 刘俊, 董前民, 刘阳, 梁培, 舒海波. 硫化锡电子结构和光学性质的量子尺寸效应.
,
2014, 63(6): 067101.
doi: 10.7498/aps.63.067101
|
[5] |
余本海, 陈东. 用密度泛函理论研究氮化硅新相的电子结构、光学性质和相变.
,
2014, 63(4): 047101.
doi: 10.7498/aps.63.047101
|
[6] |
孙沛, 李建军, 邓军, 韩军, 马凌云, 刘涛. (Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P材料的MOCVD生长温度窗口研究.
,
2013, 62(2): 026801.
doi: 10.7498/aps.62.026801
|
[7] |
陈懂, 肖河阳, 加伟, 陈虹, 周和根, 李奕, 丁开宁, 章永凡. 半导体材料AAl2C4(A=Zn, Cd, Hg; C=S, Se)的电子结构和光学性质.
,
2012, 61(12): 127103.
doi: 10.7498/aps.61.127103
|
[8] |
李春霞, 党随虎. Ag, Zn掺杂对CdS电子结构和光学性质的影响.
,
2012, 61(1): 017202.
doi: 10.7498/aps.61.017202
|
[9] |
金蓉, 谌晓洪. 密度泛函理论对ZrnPd团簇结构和性质的研究.
,
2010, 59(10): 6955-6962.
doi: 10.7498/aps.59.6955
|
[10] |
刘强, 程新路, 李德华, 杨则金. Al和N共掺对Zn1-xMgxO光学性质的影响.
,
2010, 59(12): 8829-8835.
doi: 10.7498/aps.59.8829
|
[11] |
刘建军. 掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响.
,
2010, 59(9): 6466-6472.
doi: 10.7498/aps.59.6466
|
[12] |
李喜波, 王红艳, 罗江山, 吴卫东, 唐永建. 密度泛函理论研究ScnO(n=1—9)团簇的结构、稳定性与电子性质.
,
2009, 58(9): 6134-6140.
doi: 10.7498/aps.58.6134
|
[13] |
汤乃云. GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响.
,
2009, 58(5): 3397-3401.
doi: 10.7498/aps.58.3397
|
[14] |
关 丽, 刘保亭, 李 旭, 赵庆勋, 王英龙, 郭建新, 王书彪. 萤石结构TiO2的电子结构和光学性质.
,
2008, 57(1): 482-487.
doi: 10.7498/aps.57.482
|
[15] |
谢自力, 张 荣, 修向前, 韩 平, 刘 斌, 陈 琳, 俞慧强, 江若琏, 施 毅, 郑有炓. 用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究.
,
2007, 56(11): 6717-6721.
doi: 10.7498/aps.56.6717
|
[16] |
陈新亮, 薛俊明, 张德坤, 孙 建, 任慧志, 赵 颖, 耿新华. 衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响.
,
2007, 56(3): 1563-1567.
doi: 10.7498/aps.56.1563
|
[17] |
陈玉红, 张材荣, 马 军. MgmBn(m=1,2;n=1—4)团簇结构与性质的密度泛函理论研究.
,
2006, 55(1): 171-178.
doi: 10.7498/aps.55.171
|
[18] |
马 宏, 陈四海, 金锦炎, 易新建, 朱光喜. 1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究.
,
2004, 53(6): 1868-1872.
doi: 10.7498/aps.53.1868
|
[19] |
黄劲松, 董 逊, 刘祥林, 徐仲英, 葛维琨. AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究.
,
2003, 52(10): 2632-2637.
doi: 10.7498/aps.52.2632
|
[20] |
张德恒, 刘云燕, 张德骏. 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导.
,
2001, 50(9): 1800-1804.
doi: 10.7498/aps.50.1800
|