半导体光放大器引起的光控器件中的信号损伤分析

王拥军; 吴重庆; 王智; 王亚平; 忻向军

doi:10.7498/aps.59.4042

摘要

在双环耦合全光缓存器的基础上分析了全光分组交换网络中以半导体光放大器（SOA）为相移器件的反馈型全光缓存器输出的信号损伤，包括SOA的非线性及载流子恢复时间限制引起的脉冲畸变与连续码流中的图样失真和SOA的自发辐射噪声累积引起的信噪比恶化及缓存器结构引起的“漏光”问题.理论分析及实验结果表明，在采用反相控制并注入高功率控制光的情况下，脉冲畸变与图样失真被抑制，由信噪比恶化及漏光决定的光分组的缓存圈数被限制在20—30圈.得到的结果对基于SOA的光缓存器及逻辑器件同样具有借鉴作用.

关键词:

Abstract

This paper analyzes the signals impairment in the semiconductor optical amplifier (SOA) based optical buffer for optical packets switching networks, including the shape distortion of single pulse and the pattern dependent distortion of the continuous bit stream due to the SOAs nonlinearity and the limitation of its carrier lifetime, the deterioration of signal-to-noise ratio caused by the accumulation of amplified spontaneous emmision noise of the SOA, and the power leakage. The theoretical analysis and experimental results indicate that the buffered circle is restricted to 20—30, as determined by the signals impairment when a negative control optical pulse with high power is injected into SOA.

Keywords:

all optical packets switching /
all optical buffer /
signals impairment /
noise analysis of semiconductor optical amplifier

作者及机构信息

(1)北京交通大学光信息科学与技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京 100044; (2)北京邮电大学电子工程学院，信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京 100876

基金项目: 国家重点基础研究发展计划（批准号：2010CB328300）、国家自然科学基金（批准号：60677004）、国家高技术研究发展计划（批准号:2009AA01Z220，2007AA03Z447）和教育部新世纪优秀人才支持计划（批准号:NECT-07-0111）资助的课题.

Authors and contacts

(1)北京交通大学光信息科学与技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京 100044; (2)北京邮电大学电子工程学院，信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京 100876

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施引文献

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