搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

商丽燕 林 铁 周文政 郭少令 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 褚君浩

引用本文:
Citation:

两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

商丽燕, 林 铁, 周文政, 郭少令, 李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 褚君浩

Investigation of filling factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands

Shang Li-Yan, Lin Tie, Zhou Wen-Zheng, Guo Shao-Ling, Li Dong-Lin, Gao Hong-Ling, Cui Li-Jie, Zeng Yi-Ping, Chu Jun-Hao
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  7468
  • PDF下载量:  818
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-29
  • 修回日期:  2007-12-03
  • 刊出日期:  2008-03-05

/

返回文章
返回
Baidu
map