| [1] |
韩泽宇, 宋乘吉, 周杰, 郑富. 衬底层对Fe65Co35合金薄膜结构与磁性的影响.
,
2022, 71(15): 157501.
doi: 10.7498/aps.71.20220476
|
| [2] |
刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型.
,
2021, 70(21): 217301.
doi: 10.7498/aps.70.20210700
|
| [3] |
谢天赐, 张彬, 贺泊, 李昊鹏, 秦壮, 钱金钱, 石锲铭, LewisElfed, 孙伟民. 放疗绝对剂量的数学算法模型.
,
2021, 70(1): 018701.
doi: 10.7498/aps.70.20200986
|
| [4] |
姚可夫, 施凌翔, 陈双琴, 邵洋, 陈娜, 贾蓟丽. 铁基软磁非晶/纳米晶合金研究进展及应用前景.
,
2018, 67(1): 016101.
doi: 10.7498/aps.67.20171473
|
| [5] |
曹成成, 范珏雯, 朱力, 孟洋, 王寅岗. 预退火时间对Fe80.8B10P8Cu1.2非晶合金微结构及磁性能的影响.
,
2017, 66(16): 167501.
doi: 10.7498/aps.66.167501
|
| [6] |
张存波, 闫涛, 杨志强, 任伟涛, 朱占平. 频率对半导体器件热击穿影响的理论模型.
,
2017, 66(1): 018501.
doi: 10.7498/aps.66.018501
|
| [7] |
宋建军, 包文涛, 张静, 唐昭焕, 谭开洲, 崔伟, 胡辉勇, 张鹤鸣. (100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型.
,
2016, 65(1): 018501.
doi: 10.7498/aps.65.018501
|
| [8] |
宋建军, 杨超, 朱贺, 张鹤鸣, 宣荣喜, 胡辉勇, 舒斌. SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究.
,
2014, 63(11): 118501.
doi: 10.7498/aps.63.118501
|
| [9] |
马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型.
,
2012, 61(4): 047301.
doi: 10.7498/aps.61.047301
|
| [10] |
张雅楠, 王有骏, 孔令体, 李金富. Y对Fe-Si-B 合金非晶形成能力及软磁性能的影响.
,
2012, 61(15): 157502.
doi: 10.7498/aps.61.157502
|
| [11] |
姜志宏, 王晖, 高超. 一种基于随机行走和策略连接的网络演化模型.
,
2011, 60(5): 058903.
doi: 10.7498/aps.60.058903
|
| [12] |
吴华英, 张鹤鸣, 宋建军, 胡辉勇. 单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型.
,
2011, 60(9): 097302.
doi: 10.7498/aps.60.097302
|
| [13] |
张凤奎, 丁永杰. Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性.
,
2011, 60(6): 065203.
doi: 10.7498/aps.60.065203
|
| [14] |
李 琦, 张 波, 李肇基. 漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型.
,
2008, 57(3): 1891-1896.
doi: 10.7498/aps.57.1891
|
| [15] |
张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜. 应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究.
,
2007, 56(6): 3504-3508.
doi: 10.7498/aps.56.3504
|
| [16] |
郝 跃, 韩新伟, 张进城, 张金凤. AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型.
,
2006, 55(7): 3622-3628.
doi: 10.7498/aps.55.3622
|
| [17] |
陆曹卫, 卢志超, 孙 克, 李德仁, 周少雄. 水雾化制备Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4非晶合金粉末及其磁粉芯性能研究.
,
2006, 55(5): 2553-2556.
doi: 10.7498/aps.55.2553
|
| [18] |
杨全民, 王玲玲, 孙德成. 介观结构对纳米晶软磁合金巨磁阻抗效应影响的理论分析.
,
2005, 54(12): 5730-5737.
doi: 10.7498/aps.54.5730
|
| [19] |
马仲发, 庄奕琪, 杜 磊, 包军林, 李伟华. 栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型.
,
2003, 52(8): 2046-2051.
doi: 10.7498/aps.52.2046
|
| [20] |
刘红侠, 方建平, 郝跃. 薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究.
,
2001, 50(6): 1172-1177.
doi: 10.7498/aps.50.1172
|
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