| [1] |
吕玲, 邢木涵, 薛博瑞, 曹艳荣, 胡培培, 郑雪峰, 马晓华, 郝跃. 重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响.
,
2024, 73(3): 036103.
doi: 10.7498/aps.73.20221360
|
| [2] |
刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型.
,
2021, 70(21): 217301.
doi: 10.7498/aps.70.20210700
|
| [3] |
刘旭阳, 张贺秋, 李冰冰, 刘俊, 薛东阳, 王恒山, 梁红伟, 夏晓川. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性.
,
2020, 69(4): 047201.
doi: 10.7498/aps.69.20190640
|
| [4] |
董世剑, 郭红霞, 马武英, 吕玲, 潘霄宇, 雷志锋, 岳少忠, 郝蕊静, 琚安安, 钟向丽, 欧阳晓平. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究.
,
2020, 69(7): 078501.
doi: 10.7498/aps.69.20191557
|
| [5] |
刘静, 王琳倩, 黄忠孝. 基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应.
,
2019, 68(24): 248501.
doi: 10.7498/aps.68.20191311
|
| [6] |
刘燕丽, 王伟, 董燕, 陈敦军, 张荣, 郑有炓. 结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响.
,
2019, 68(24): 247203.
doi: 10.7498/aps.68.20191153
|
| [7] |
周幸叶, 吕元杰, 谭鑫, 王元刚, 宋旭波, 何泽召, 张志荣, 刘庆彬, 韩婷婷, 房玉龙, 冯志红. 基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理.
,
2018, 67(17): 178501.
doi: 10.7498/aps.67.20180474
|
| [8] |
朱彦旭, 宋会会, 王岳华, 李赉龙, 石栋. 氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件设计与制备.
,
2017, 66(24): 247203.
doi: 10.7498/aps.66.247203
|
| [9] |
郭海君, 段宝兴, 袁嵩, 谢慎隆, 杨银堂. 具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析.
,
2017, 66(16): 167301.
doi: 10.7498/aps.66.167301
|
| [10] |
王凯, 邢艳辉, 韩军, 赵康康, 郭立建, 于保宁, 邓旭光, 范亚明, 张宝顺. 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究.
,
2016, 65(1): 016802.
doi: 10.7498/aps.65.016802
|
| [11] |
李志鹏, 李晶, 孙静, 刘阳, 方进勇. 高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理.
,
2016, 65(16): 168501.
doi: 10.7498/aps.65.168501
|
| [12] |
刘阳, 柴常春, 于新海, 樊庆扬, 杨银堂, 席晓文, 刘胜北. GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理.
,
2016, 65(3): 038402.
doi: 10.7498/aps.65.038402
|
| [13] |
李加东, 程珺洁, 苗斌, 魏晓玮, 张志强, 黎海文, 吴东岷. 生物分子膜门电极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器研究.
,
2014, 63(7): 070204.
doi: 10.7498/aps.63.070204
|
| [14] |
任舰, 闫大为, 顾晓峰. AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究.
,
2013, 62(15): 157202.
doi: 10.7498/aps.62.157202
|
| [15] |
马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型.
,
2012, 61(4): 047301.
doi: 10.7498/aps.61.047301
|
| [16] |
王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维. 增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究.
,
2010, 59(10): 7333-7337.
doi: 10.7498/aps.59.7333
|
| [17] |
高宏玲, 李东临, 周文政, 商丽燕, 王宝强, 朱战平, 曾一平. 不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究.
,
2007, 56(8): 4955-4959.
doi: 10.7498/aps.56.4955
|
| [18] |
李 潇, 张海英, 尹军舰, 刘 亮, 徐静波, 黎 明, 叶甜春, 龚 敏. 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究.
,
2007, 56(7): 4117-4121.
doi: 10.7498/aps.56.4117
|
| [19] |
李 潇, 刘 亮, 张海英, 尹军舰, 李海鸥, 叶甜春, 龚 敏. 一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型.
,
2006, 55(7): 3617-3621.
doi: 10.7498/aps.55.3617
|
| [20] |
吕永良, 周世平, 徐得名. 光照下高电子迁移率晶体管特性分析.
,
2000, 49(7): 1394-1399.
doi: 10.7498/aps.49.1394
|
下载:
