| [1] |
刘晓军, 杨雪. 基于激发态分子内质子转移过程的HBT-OMe分子检测HClO的荧光增强机理.
,
2023, 72(11): 113101.
doi: 10.7498/aps.72.20222313
|
| [2] |
张艳文, 郭刚, 肖舒颜, 殷倩, 杨新宇. 中能质子注量率测量.
,
2022, 71(1): 012902.
doi: 10.7498/aps.71.20211561
|
| [3] |
高承浩, 徐峰, 张丽, 赵德胜, 魏星, 车玲娟, 庄永漳, 张宝顺, 张晶. 基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能.
,
2020, 69(2): 027802.
doi: 10.7498/aps.69.20191418
|
| [4] |
张百强, 郑中山, 于芳, 宁瑾, 唐海马, 杨志安. 氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响.
,
2013, 62(11): 117303.
doi: 10.7498/aps.62.117303
|
| [5] |
毛明明, 徐晨, 魏思民, 解意洋, 刘久澄, 许坤. 质子注入能量对垂直腔面发射激光器的阈值和功率的影响.
,
2012, 61(21): 214207.
doi: 10.7498/aps.61.214207
|
| [6] |
王志明. GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究.
,
2011, 60(7): 077203.
doi: 10.7498/aps.60.077203
|
| [7] |
郑加金, 陆云清, 李培丽. 激发态分子内质子转移有机分子HBT的三阶非线性光学特性.
,
2010, 59(7): 4687-4693.
doi: 10.7498/aps.59.4687
|
| [8] |
刘玉敏, 俞重远, 任晓敏. 隔离层厚度和盖层厚度对InAs/GaAs量子点应变分布和发射波长的影响.
,
2009, 58(1): 66-72.
doi: 10.7498/aps.58.66
|
| [9] |
唐欣欣, 罗文芸, 王朝壮, 贺新福, 查元梓, 樊 胜, 黄小龙, 王传珊. 低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究.
,
2008, 57(2): 1266-1270.
doi: 10.7498/aps.57.1266
|
| [10] |
陈贵宾, 李志锋, 蔡炜颖, 何 力, 胡晓宁, 陆 卫, 沈学础. 质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究.
,
2003, 52(6): 1496-1499.
doi: 10.7498/aps.52.1496
|
| [11] |
邵 军. 谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用.
,
2003, 52(10): 2534-2540.
doi: 10.7498/aps.52.2534
|
| [12] |
缪中林, 陈平平, 蔡玮颖, 李志锋, 徐文兰, 袁先漳, 刘平, 史国良, 陈昌明, 朱德彰, 潘浩昌, 胡军, 李明乾, 陆卫. 组合注入质子导致不对称耦合双量子阱截面混合效应研究.
,
2001, 50(1): 116-119.
doi: 10.7498/aps.50.116
|
| [13] |
张兴宏, 胡雨生, 吴 杰, 程知群, 夏冠群, 徐元森, 陈张海, 桂永胜, 褚君浩. 深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响.
,
1999, 48(3): 556-560.
doi: 10.7498/aps.48.556
|
| [14] |
吴正云, 黄启圣. 形成半导体量子线结构的质子注入方法研究.
,
1995, 44(9): 1461-1466.
doi: 10.7498/aps.44.1461
|
| [15] |
陈开茅, 金泗轩, 邱素娟, 吕云安, 何梅芬, 兰李桥. 浅杂质注入LEC半绝缘GaAs γ射线辐照缺陷.
,
1994, 43(8): 1344-1351.
doi: 10.7498/aps.43.1344
|
| [16] |
. 离子注入GaAs的脉冲激光退火.
,
1988, 37(5): 842-846.
doi: 10.7498/aps.37.842
|
| [17] |
杜永昌, 晏懋洵, 张玉峰, 郭海, 胡克良. 原子氢、氘钝化以及质子注入掺杂硅的红外吸收.
,
1987, 36(11): 1427-1432.
doi: 10.7498/aps.36.1427
|
| [18] |
王渭源, 夏冠群, 卢建国, 邵永富, 乔墉. 掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究.
,
1985, 34(3): 402-407.
doi: 10.7498/aps.34.402
|
| [19] |
顾世杰, 霍崇儒. 丝状发光的GaAs注入式半导体激光器中结电流密度与载流子浓度的分布.
,
1979, 28(1): 21-32.
doi: 10.7498/aps.28.21
|
| [20] |
王渭源, 徐景阳, 倪企民, 谭儒环, 刘月琴, 邱月英. 砷化镓中质子注入之研究.
,
1979, 28(5): 86-95.
doi: 10.7498/aps.28.86
|
下载:
