| [1] |
杨如霞, 卢玉明, 曾丽竹, 张禄佳, 李冠男. 钆掺杂对0.7BiFe0.95Ga0.05O3-0.3BaTiO3陶瓷的结构、介电性能和多铁性能的影响.
,
2020, 69(10): 107701.
doi: 10.7498/aps.69.20200175
|
| [2] |
袁国才, 陈曦, 黄雨阳, 毛俊西, 禹劲秋, 雷晓波, 张勤勇. Mg2Si0.3Sn0.7掺杂Ag和Li的热电性能对比.
,
2019, 68(11): 117201.
doi: 10.7498/aps.68.20190247
|
| [3] |
黄诗浩, 谢文明, 汪涵聪, 林光杨, 王佳琪, 黄巍, 李成. 双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响.
,
2018, 67(4): 040501.
doi: 10.7498/aps.67.20171413
|
| [4] |
杨双波. 温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响.
,
2014, 63(5): 057301.
doi: 10.7498/aps.63.057301
|
| [5] |
杨双波. 掺杂浓度及掺杂层厚度对Si均匀掺杂的GaAs量子阱中电子态结构的影响.
,
2013, 62(15): 157301.
doi: 10.7498/aps.62.157301
|
| [6] |
刘智, 李亚明, 薛春来, 成步文, 王启明. 掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响.
,
2013, 62(7): 076108.
doi: 10.7498/aps.62.076108
|
| [7] |
康昆勇, 邓书康, 申兰先, 孙启利, 郝瑞亭, 化麒麟, 唐润生, 杨培志, 李明. 退火对Ge诱导晶化多晶Si薄膜结晶特性的影响.
,
2012, 61(19): 198101.
doi: 10.7498/aps.61.198101
|
| [8] |
陈顺生, 杨昌平, 阚芝兰, Medvedeva I V, Marchenkov S. 热压处理对Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷磁电输运影响.
,
2012, 61(18): 186202.
doi: 10.7498/aps.61.186202
|
| [9] |
吴子华, 谢华清. 电脉冲对多晶La0.7Ca0.3MnO3比热的影响.
,
2010, 59(4): 2703-2707.
doi: 10.7498/aps.59.2703
|
| [10] |
张 红, 刘 磊, 刘建军. 对称GaAs/Al0.3Ga0.7As双量子阱中激子的束缚能.
,
2007, 56(1): 487-490.
doi: 10.7498/aps.56.487
|
| [11] |
郭焕银, 刘 宁, 蔡之让, 张裕恒. Mn位W掺杂对La0.3Ca0.7MnO3体系磁结构的影响.
,
2006, 55(2): 865-872.
doi: 10.7498/aps.55.865
|
| [12] |
蔡之让, 刘 宁, 童 伟, 张裕恒. Dy的高掺杂对La0.7Sr0.3MnO3体系磁电性质的影响.
,
2005, 54(2): 920-929.
doi: 10.7498/aps.54.920
|
| [13] |
陈长勇, 陈维德, 王永谦, 宋淑芳, 许振嘉. 掺铒nc-Si/SiO2薄膜中nc-Si和Er3+与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响.
,
2003, 52(3): 736-739.
doi: 10.7498/aps.52.736
|
| [14] |
刘 宁, 高贵珍, 童 伟, 张裕恒. A位的Gd掺杂对La0.7Sr0.3MnO3体系磁电性质的影响.
,
2003, 52(12): 3168-3175.
doi: 10.7498/aps.52.3168
|
| [15] |
段玉华, 张开明, 谢希德. β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构.
,
1996, 45(3): 512-517.
doi: 10.7498/aps.45.512
|
| [16] |
徐至中. 势垒区δ掺杂量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的子带间跃迁光吸收系数.
,
1996, 45(10): 1762-1770.
doi: 10.7498/aps.45.1762
|
| [17] |
李岱青, 宫宝安, 万亚, 朱沛然, 周俊思, 徐天冰, 穆善明, 赵清太, 王忠烈. 1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究.
,
1994, 43(8): 1311-1317.
doi: 10.7498/aps.43.1311
|
| [18] |
李先皇, 陆昉, 孙恒慧. 用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移.
,
1993, 42(7): 1153-1159.
doi: 10.7498/aps.42.1153
|
| [19] |
乔皓, 资剑, 徐至中, 张开明. 形变超晶格Si/Ge的能带结构.
,
1993, 42(8): 1317-1323.
doi: 10.7498/aps.42.1317
|
| [20] |
资剑, 张开明. (Si)n/(Ge)n超晶格几何结构.
,
1990, 39(10): 1640-1646.
doi: 10.7498/aps.39.1640
|
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