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Cu-Co共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算

何静芳 郑树凯 周鹏力 史茹倩 闫小兵

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Cu-Co共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算

何静芳, 郑树凯, 周鹏力, 史茹倩, 闫小兵

First-principles calculations on the electronic and optical properties of ZnO codoped with Cu-Co

He Jing-Fang, Zheng Shu-Kai, Zhou Peng-Li, Shi Ru-Qian, Yan Xiao-Bing
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  • 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Cu 1021 cm-3单掺杂ZnO,Co单掺杂ZnO,Cu-Co共掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 结果表明,在本文掺杂浓度数量级下,Cu,Co单掺杂可以提高ZnO的载流子浓度,从而改善ZnO的导电性,Cu-Co共掺杂时ZnO半导体进入简并状态,呈现金属性. 这三种掺杂ZnO均会在可见光和近紫外区域出现光吸收增强现象,其中由于Cu离子与Co离子之间的协同效应,Cu-Co共掺杂ZnO对太阳光的吸收大幅增加,因此Cu-Co共掺杂ZnO可以用于制备高效率的太阳电池.
    The electronic structures and optical properties of intrinsic, Cu, Co doped and Cu-Co codoped ZnO compounds are calculated using first-principles plane-wave ultrasoft pseudopotential method based on the the density functional theory. The results show that the conductivity of ZnO can be improved by doping Cu and Co because of the increase of the carrier concentration under the order of magnitude of doping concentration in this paper. Cu-Co codoping leads to the degeneration and makes ZnO metallic. Thses three kinds of dopings can cause light absorption enhancement phenomenon in the visible and near ultrasoft regions, in which Cu-Co codoping greatly increases the absorption of solar light due to the synergistic effect between Cu ions and Co ions, which can be used to prepare the high efficiency solar cells.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61306098)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 61306098).
    [1]

    Yu P Q 2010 M. S. Dissertation (Tianjin: Tianjin University) (in Chinese) [于培清 2010 硕士学位论文 (天津: 天津大学)]

    [2]

    Li T J, Li G P, Gao X X, Chen J S 2010 Chin. Phys. Lett. 27 087501

    [3]

    Ran C J, Yang H L, Wang Y K, Hassan F M, Zhou L G, Xu X G, Jiang Y 2013 Chin. Phys. B 22 067503

    [4]

    Li Z W, Qi Y K, Gu J J, Sun H Y 2012 Acta Phys. Sin. 61 137501 (in Chinese) [李志文, 岂云开, 顾建军, 孙会元 2012 61 137501]

    [5]

    Yu Y M, Li Q S, Li X K, Xu Y D, Meng Y F 2010 Laser Techn. 34 456 (in Chinese) [于业梅, 李清山, 李新坤, 徐言东, 蒙岩峰 2010 激光技术 34 456]

    [6]

    Xing B Y, Niu S F 2012 J. Mater. Sci. Eng. 30 333 (in Chinese) [邢伯阳, 牛世峰 2012 材料科学与工程学报 30 333]

    [7]

    Wu Y N, Wu D C, Deng S H, Dong C J, Ji H X, Xu M 2012 J. Sichuan Normal Univ. 35 95 (in Chinese) [吴艳南, 吴定才, 邓思浩, 董成军, 纪红萱, 徐明 2012 四川师范大学学报 35 95]

    [8]

    Li A X, Bi H, Liu Y M, Wu M Z 2008 Chin. J. Lumin. 29 289 (in Chinese) [李爱侠, 毕红, 刘艳美, 吴明在 2008 发光学报 29 289]

    [9]

    Wu D C, Hu Z G, Duan M Y, Xu L X, Liu F S, Dong C J, Wu Y N, Ji H X, Xu M 2009 Acta Phys. Sin. 58 7261 (in Chinese) [吴定才, 胡志刚, 段满益, 徐禄祥, 刘方舒, 董成军, 吴艳南, 纪红萱, 徐明 2009 58 7261]

    [10]

    Li H L, Zhang Z, L Y B, Huang J Z, Zhang Y, Liu R X 2013 Acta Phys. Sin. 62 047010 (in Chinese) [李泓霖, 张仲, 吕英波, 黄金昭, 张英, 刘如喜 2013 62 047010]

    [11]

    Yuan D, Huang D H, Luo H F, Wang F H 2010 Acta Phys. Sin. 59 6457 (in Chinese) [袁娣, 黄多辉, 罗华锋, 王藩侯 2010 59 6457]

    [12]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 2011 The Physics of Semiconductors (Beijing: Publishing House of Electronics Industry) p86 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 2011 半导体物理学 (北京: 电子工业出版社) 第86页]

    [13]

    Duan Z F, Wang X Q, He A L, Cheng Z M 2011 J. Atom. Mol. Phys. 28 343 (in Chinese) [段壮芬, 王新强, 何阿玲, 程志梅 2011 原子与分子 28 343]

    [14]

    Shen X C 1992 The Optical Properties of Semiconductors (Beijing: Science Press) p24 (in Chinese) [沈学础 1992 半导体光学性质 (北京: 科学出版社) 第24页]

    [15]

    Gui Q F, Cui L, Pan J, Hu J G 2013 Acta Phys. Sin. 62 087103 (in Chinese) [桂青凤, 崔磊, 潘靖, 胡经国 2013 62 087103]

    [16]

    Ma S Y, Mao L M, Ma H, Shi X F, Zhou T T, Ding J J 2010 J. Northwest Normal Univ. 46 37 (in Chinese) [马书懿, 毛雷鸣, 马慧, 史新福, 周婷婷, 丁继军 2010 西北师范大学学报 46 37]

  • [1]

    Yu P Q 2010 M. S. Dissertation (Tianjin: Tianjin University) (in Chinese) [于培清 2010 硕士学位论文 (天津: 天津大学)]

    [2]

    Li T J, Li G P, Gao X X, Chen J S 2010 Chin. Phys. Lett. 27 087501

    [3]

    Ran C J, Yang H L, Wang Y K, Hassan F M, Zhou L G, Xu X G, Jiang Y 2013 Chin. Phys. B 22 067503

    [4]

    Li Z W, Qi Y K, Gu J J, Sun H Y 2012 Acta Phys. Sin. 61 137501 (in Chinese) [李志文, 岂云开, 顾建军, 孙会元 2012 61 137501]

    [5]

    Yu Y M, Li Q S, Li X K, Xu Y D, Meng Y F 2010 Laser Techn. 34 456 (in Chinese) [于业梅, 李清山, 李新坤, 徐言东, 蒙岩峰 2010 激光技术 34 456]

    [6]

    Xing B Y, Niu S F 2012 J. Mater. Sci. Eng. 30 333 (in Chinese) [邢伯阳, 牛世峰 2012 材料科学与工程学报 30 333]

    [7]

    Wu Y N, Wu D C, Deng S H, Dong C J, Ji H X, Xu M 2012 J. Sichuan Normal Univ. 35 95 (in Chinese) [吴艳南, 吴定才, 邓思浩, 董成军, 纪红萱, 徐明 2012 四川师范大学学报 35 95]

    [8]

    Li A X, Bi H, Liu Y M, Wu M Z 2008 Chin. J. Lumin. 29 289 (in Chinese) [李爱侠, 毕红, 刘艳美, 吴明在 2008 发光学报 29 289]

    [9]

    Wu D C, Hu Z G, Duan M Y, Xu L X, Liu F S, Dong C J, Wu Y N, Ji H X, Xu M 2009 Acta Phys. Sin. 58 7261 (in Chinese) [吴定才, 胡志刚, 段满益, 徐禄祥, 刘方舒, 董成军, 吴艳南, 纪红萱, 徐明 2009 58 7261]

    [10]

    Li H L, Zhang Z, L Y B, Huang J Z, Zhang Y, Liu R X 2013 Acta Phys. Sin. 62 047010 (in Chinese) [李泓霖, 张仲, 吕英波, 黄金昭, 张英, 刘如喜 2013 62 047010]

    [11]

    Yuan D, Huang D H, Luo H F, Wang F H 2010 Acta Phys. Sin. 59 6457 (in Chinese) [袁娣, 黄多辉, 罗华锋, 王藩侯 2010 59 6457]

    [12]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 2011 The Physics of Semiconductors (Beijing: Publishing House of Electronics Industry) p86 (in Chinese) [刘恩科, 朱秉升, 罗晋生 2011 半导体物理学 (北京: 电子工业出版社) 第86页]

    [13]

    Duan Z F, Wang X Q, He A L, Cheng Z M 2011 J. Atom. Mol. Phys. 28 343 (in Chinese) [段壮芬, 王新强, 何阿玲, 程志梅 2011 原子与分子 28 343]

    [14]

    Shen X C 1992 The Optical Properties of Semiconductors (Beijing: Science Press) p24 (in Chinese) [沈学础 1992 半导体光学性质 (北京: 科学出版社) 第24页]

    [15]

    Gui Q F, Cui L, Pan J, Hu J G 2013 Acta Phys. Sin. 62 087103 (in Chinese) [桂青凤, 崔磊, 潘靖, 胡经国 2013 62 087103]

    [16]

    Ma S Y, Mao L M, Ma H, Shi X F, Zhou T T, Ding J J 2010 J. Northwest Normal Univ. 46 37 (in Chinese) [马书懿, 毛雷鸣, 马慧, 史新福, 周婷婷, 丁继军 2010 西北师范大学学报 46 37]

  • [1] 李发云, 杨志雄, 程雪, 甄丽营, 欧阳方平. 单层缺陷碲烯电子结构与光学性质的第一性原理研究.  , 2021, 70(16): 166301. doi: 10.7498/aps.70.20210271
    [2] 张丽丽, 夏桐, 刘桂安, 雷博程, 赵旭才, 王少霞, 黄以能. 第一性原理方法研究N-Pr共掺杂ZnO的电子结构和光学性质.  , 2019, 68(1): 017401. doi: 10.7498/aps.68.20181531
    [3] 王闯, 赵永红, 刘永. Ga1–xCrxSb (x = 0.25, 0.50, 0.75) 磁学和光学性质的第一性原理研究.  , 2019, 68(17): 176301. doi: 10.7498/aps.68.20182305
    [4] 潘凤春, 林雪玲, 曹志杰, 李小伏. Fe, Co, Ni掺杂GaSb的电子结构和光学性质.  , 2019, 68(18): 184202. doi: 10.7498/aps.68.20190290
    [5] 戚玉敏, 陈恒利, 金朋, 路洪艳, 崔春翔. 第一性原理研究Mn和Cu掺杂六钛酸钾(K2Ti6O13)的电子结构和光学性质.  , 2018, 67(6): 067101. doi: 10.7498/aps.67.20172356
    [6] 程丽, 王德兴, 张杨, 苏丽萍, 陈淑妍, 王晓峰, 孙鹏, 易重桂. Cu,O共掺杂AlN晶体电子结构与光学性质研究.  , 2018, 67(4): 047101. doi: 10.7498/aps.67.20172096
    [7] 赵佰强, 张耘, 邱晓燕, 王学维. Cu,Fe掺杂LiNbO3晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2016, 65(1): 014212. doi: 10.7498/aps.65.014212
    [8] 骆最芬, 岑伟富, 范梦慧, 汤家俊, 赵宇军. BiTiO3电子结构及光学性质的第一性原理研究.  , 2015, 64(14): 147102. doi: 10.7498/aps.64.147102
    [9] 谢知, 程文旦. TiO2纳米管电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2014, 63(24): 243102. doi: 10.7498/aps.63.243102
    [10] 程旭东, 吴海信, 唐小路, 王振友, 肖瑞春, 黄昌保, 倪友保. Na2Ge2Se5电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2014, 63(18): 184208. doi: 10.7498/aps.63.184208
    [11] 程和平, 但加坤, 黄智蒙, 彭辉, 陈光华. 黑索金电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2013, 62(16): 163102. doi: 10.7498/aps.62.163102
    [12] 潘磊, 卢铁城, 苏锐, 王跃忠, 齐建起, 付佳, 张燚, 贺端威. -AlON晶体电子结构和光学性质研究.  , 2012, 61(2): 027101. doi: 10.7498/aps.61.027101
    [13] 杨春燕, 张蓉, 张利民, 可祥伟. 0.5NdAlO3-0.5CaTiO3电子结构及光学性质的第一性原理计算.  , 2012, 61(7): 077702. doi: 10.7498/aps.61.077702
    [14] 宋庆功, 刘立伟, 赵辉, 严慧羽, 杜全国. YFeO3的电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2012, 61(10): 107102. doi: 10.7498/aps.61.107102
    [15] 王寅, 冯庆, 王渭华, 岳远霞. 碳-锌共掺杂锐钛矿相TiO2 电子结构与光学性质的第一性原理研究.  , 2012, 61(19): 193102. doi: 10.7498/aps.61.193102
    [16] 李旭珍, 谢泉, 陈茜, 赵凤娟, 崔冬萌. OsSi2电子结构和光学性质的研究.  , 2010, 59(3): 2016-2021. doi: 10.7498/aps.59.2016
    [17] 张学军, 高攀, 柳清菊. 氮铁共掺锐钛矿相TiO2电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2010, 59(7): 4930-4938. doi: 10.7498/aps.59.4930
    [18] 邢海英, 范广涵, 赵德刚, 何 苗, 章 勇, 周天明. Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究.  , 2008, 57(10): 6513-6519. doi: 10.7498/aps.57.6513
    [19] 毕艳军, 郭志友, 孙慧卿, 林 竹, 董玉成. Co和Mn共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2008, 57(12): 7800-7805. doi: 10.7498/aps.57.7800
    [20] 段满益, 徐 明, 周海平, 沈益斌, 陈青云, 丁迎春, 祝文军. 过渡金属与氮共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2007, 56(9): 5359-5365. doi: 10.7498/aps.56.5359
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-08-27
  • 修回日期:  2013-10-30
  • 刊出日期:  2014-02-05

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