[1] |
单石敏, 连艺, 徐海峰, 闫冰. 含碳三原子分子结构与电子亲和能的计算.
,
2024, 73(10): 103102.
doi: 10.7498/aps.73.20231871
|
[2] |
张天成, 潘高远, 俞友军, 董晨钟, 丁晓彬. 超重元素Og(Z = 118)及其同主族元素的电离能和价电子轨道束缚能.
,
2022, 71(21): 213201.
doi: 10.7498/aps.71.20220813
|
[3] |
肖智磊, 全威, 许松坡, 柳晓军, 魏政荣, 陈京. 中红外激光场下阈上电离能谱中的低能结构.
,
2022, 71(23): 233208.
doi: 10.7498/aps.71.20221609
|
[4] |
段春泱, 李娜, 赵岩, 李昌勇. 利用静电场中光电离效率谱精确确定1,3-二乙氧基苯分子的电离能.
,
2021, 70(5): 053301.
doi: 10.7498/aps.70.20201273
|
[5] |
彭亚晶, 蒋艳雪. 分子空位缺陷对环三亚甲基三硝胺含能材料几何结构、电子结构及振动特性的影响.
,
2015, 64(24): 243102.
doi: 10.7498/aps.64.243102
|
[6] |
朱金辉, 韦源, 谢红刚, 牛胜利, 黄流兴. 300 eV–1 GeV质子在硅中非电离能损的计算.
,
2014, 63(6): 066102.
doi: 10.7498/aps.63.066102
|
[7] |
金蓉, 谌晓洪. 密度泛函理论对ZrnPd团簇结构和性质的研究.
,
2010, 59(10): 6955-6962.
doi: 10.7498/aps.59.6955
|
[8] |
唐欣欣, 罗文芸, 王朝壮, 贺新福, 查元梓, 樊 胜, 黄小龙, 王传珊. 低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究.
,
2008, 57(2): 1266-1270.
doi: 10.7498/aps.57.1266
|
[9] |
任凤竹, 王渊旭, 田付阳, 赵文杰, 罗有华. 密度泛函理论研究ZrnCo(n=1—13)团簇的结构和磁性.
,
2008, 57(4): 2165-2173.
doi: 10.7498/aps.57.2165
|
[10] |
任凤竹, 罗有华. BenLa (n=1—18) 团簇的结构、电子性质和磁性.
,
2008, 57(12): 7623-7629.
doi: 10.7498/aps.57.7623
|
[11] |
谌晓洪, 高 涛, 朱正和, 罗顺中. Al2O3Hx(x=1—3)分子团簇的结构与光谱研究.
,
2007, 56(1): 178-185.
doi: 10.7498/aps.56.178
|
[12] |
孙金锋, 王杰敏, 施德恒, 张计才. BH2和AlH2分子的结构及其解析势能函数.
,
2006, 55(9): 4490-4495.
doi: 10.7498/aps.55.4490
|
[13] |
毛华平, 王红艳, 朱正和, 唐永建. AunY(n=1—9)掺杂团簇的结构和电子性质研究.
,
2006, 55(9): 4542-4547.
doi: 10.7498/aps.55.4542
|
[14] |
毛华平, 杨兰蓉, 王红艳, 朱正和, 唐永建. 钇小团簇的结构和电离势的计算.
,
2005, 54(11): 5126-5129.
doi: 10.7498/aps.54.5126
|
[15] |
葛自明, 王治文, 周雅君. 类锂体系(Z=21—30)基态1s22s电离能和相对论项能的理论计算.
,
2004, 53(1): 42-47.
doi: 10.7498/aps.53.42
|
[16] |
毛华平, 马美仲. Aun(n=2—9)团簇的几何结构和电子特性.
,
2004, 53(6): 1766-1771.
doi: 10.7498/aps.53.1766
|
[17] |
祝生祥, 李 锐, 杨修文, 薛春荣. PuH2分子电子结构的DVM研究.
,
2003, 52(1): 67-71.
doi: 10.7498/aps.52.67
|
[18] |
沈汉鑫, 朱梓忠, 黄美纯. NiAl的几何与电子结构.
,
2001, 50(1): 95-98.
doi: 10.7498/aps.50.95
|
[19] |
王利民. Vicsek分形上电子的能谱.
,
1997, 46(7): 1380-1387.
doi: 10.7498/aps.46.1380
|
[20] |
陈向军, 樊晓伟, 徐克尊, 杨炳忻, 邢士林, 王永刚, 张芳. 250—1400eV能区N2分子的电子散射全截面测量.
,
1992, 41(6): 885-889.
doi: 10.7498/aps.41.885
|