InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究

朱天伟; 徐波; 何军; 赵凤瑷; 张春玲; 谢二庆; 刘峰奇; 王占国

doi:10.7498/aps.53.301

摘要
利用固源分子束外延（MBE）的方法经SK模式自组装生长由多层InAs／GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度，生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜（AFM）结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀；室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm，而单层量子点的发光波长仅为1.1μm，充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响，这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.

关键词:
柱形岛 /

生长停顿 /

间隔层厚度 /

PL谱
Abstract
A columnal islands system, which was composed of three layers of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs), has been fabricated by solid-source molecular beam epitaxy (MBE) through S-K mode on a (100) semi-insulating GaAs substrate. The effects of the thickness of GaAs space layer, the growth interruption time and the amount of InAs deposition on the emission wavelength of columnal islands were presented. The image of atomic force microscopy (AFM) indicated the columnal islands with high uniformity in size and shape. At room temperature, the emission wavelength of columnal islands with different effective heights was achieved 1.32 and 1.4μm; however, the emission wavelength of single-layer QDs with normal height was just 1.1μm. It provides a useful and intuitive approach to artificially control the emission wavelength of a QD material system.

Keywords:
InAs/GaAs columnal islands /

growth interruption /

space layer /

PL spectra
作者及机构信息
朱天伟³,

徐波²,

何军²,

赵凤瑷²,

张春玲²,

谢二庆¹,

刘峰奇²,

王占国²

(1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083;兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000

基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目(批准号：G2000068303)、国家自然科学基金(批准号：60076024、90101002、90201033)、国家高技术研究发展计划项目(批准号：2002AA311070)和中国科学院知识创新重大项目(批准号：KJCX1-06-06)资助的课题.
Authors and contacts
Zhu Tian-Wei³,

Xu Bo²,

He Jun²,

Zhao Feng-Ai²,

Zhang Chun-Ling²,

Xie Er-Qing¹,

Liu Feng-Qi²,

Wang Zhan-Guo²

(1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083;兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
参考文献

施引文献

[1]	李阳, 张艳红, 盛亮, 张美, 姚志明, 段宝军, 赵吉祯, 郭泉, 严维鹏, 李国光, 胡佳琦, 李豪卿, 李郎郎. 不同厚度ST401中子能谱响应测量与分析. , 2024, 73(23): 232401. doi: 10.7498/aps.73.20241198
[2]	房晓南, 危芹, 隋娜娜, 孔志勇, 刘静, 杜颜伶. 间隔层调控SrVO₃/SrTiO₃超晶格铁磁半金属-铁磁绝缘体转变. , 2022, 71(23): 237301. doi: 10.7498/aps.71.20221765
[3]	崔涛, 王康妮, 高凯歌, 钱林勇. 带有多孔二氧化硅间隔层的导模共振光栅实现染料激光器发射增强. , 2021, 70(1): 014201. doi: 10.7498/aps.70.20201017
[4]	俞浩健, 姚方男, 代旭东, 曹进, 田哲圭. 基于超薄发光层及双极性混合间隔层的白光有机发光器件研究. , 2019, 68(1): 017202. doi: 10.7498/aps.68.20181803
[5]	康达, 罗斌, 闫连山, 潘炜, 邹喜华. 含间隔层的增益导引-折射率反导引平面波导激光器中高阶模式抑制研究. , 2018, 67(10): 104204. doi: 10.7498/aps.67.20180138
[6]	王静, 冯露, 郝毅, 赵洋, 陈振飞. 异质外延生长中应变对圆形岛形貌稳定性的影响. , 2013, 62(23): 238102. doi: 10.7498/aps.62.238102
[7]	李国龙, 李进, 甄红宇. TiO2光学间隔层增强聚合物太阳能电池光吸收的分析. , 2012, 61(20): 207203. doi: 10.7498/aps.61.207203
[8]	张运炎, 范广涵, 章勇, 郑树文. 掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究. , 2011, 60(2): 028503. doi: 10.7498/aps.60.028503
[9]	张运炎, 范广涵. 不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究. , 2011, 60(1): 018502. doi: 10.7498/aps.60.018502
[10]	张曾, 张荣, 谢自力, 刘斌, 修向前, 李弋, 傅德颐, 陆海, 陈鹏, 韩平, 郑有炓, 汤晨光, 陈涌海, 王占国. 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响. , 2009, 58(5): 3416-3420. doi: 10.7498/aps.58.3416
[11]	杨玉娟, 王锦程, 张玉祥, 朱耀产, 杨根仓. 采用多相场法研究三维层片共晶生长的厚度效应. , 2008, 57(8): 5290-5295. doi: 10.7498/aps.57.5290
[12]	宋禹忻, 俞重远, 刘玉敏. 沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析. , 2008, 57(4): 2399-2403. doi: 10.7498/aps.57.2399
[13]	宋银, 王志光, 魏孔芳, 张崇宏, 刘纯宝, 臧航, 周丽宏. 退火对He注入及随后208Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响. , 2007, 56(1): 551-555. doi: 10.7498/aps.56.551
[14]	刘红霞, 周圣明, 李抒智, 杭寅, 徐军, 顾书林, 张荣. 柱状ZnO阵列薄膜的生长及其发光特性. , 2006, 55(3): 1398-1401. doi: 10.7498/aps.55.1398
[15]	邵元智, 钟伟荣, 任山, 蔡志苏, 龚雷. 纳米团聚生长的多重分形谱. , 2005, 54(7): 3290-3296. doi: 10.7498/aps.54.3290
[16]	张进城, 郝跃, 李培咸, 范隆, 冯倩. 基于透射谱的GaN薄膜厚度测量. , 2004, 53(4): 1243-1246. doi: 10.7498/aps.53.1243
[17]	朱天伟, 张元常, 徐波, 刘峰奇, 王占国. 具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究. , 2003, 52(8): 2087-2091. doi: 10.7498/aps.52.2087
[18]	程万荣, 高巧君, 吴自勤. 用X射线能谱同时测定薄膜成分及厚度. , 1982, 31(1): 30-37. doi: 10.7498/aps.31.30
[19]	沈世纲, 黄敞, 于凤树. 关于热生长SiO₂薄膜厚度的测量. , 1964, 20(7): 654-661. doi: 10.7498/aps.20.654
[20]	余友文, 张宗烨, 于敏. 一个具有等间隔能谱的费米系统. , 1963, 19(8): 483-502. doi: 10.7498/aps.19.483

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The fabrication and properties of InAs/GaAs columnal islands

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(1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083;兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000

Authors and contacts

(1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083;兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000

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Authors and contacts

(1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083;兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000

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