[1] |
韩俊杰, 钱思贤, 朱传名, 黄志祥, 任信钢, 程光尚. 基于双极化编码超表面生成的双模式轨道角动量.
,
2023, 72(14): 148101.
doi: 10.7498/aps.72.20230457
|
[2] |
冯婕, 郭强, 舒鹏丽, 温阳, 温焕飞, 马宗敏, 李艳君, 刘俊, 伊戈尔·弗拉基米罗维奇·雅明斯基. 超高真空原子尺度Aux/Si(111)-(7×7)表面吸附的电荷分布测量.
,
2023, 72(11): 110701.
doi: 10.7498/aps.72.20230051
|
[3] |
孙晓东, 徐宝, 吴鸿业, 曹凤泽, 赵建军, 鲁毅. Tb掺杂双层锰氧化物La4/3Sr5/3Mn2O7的磁熵变和电输运性质.
,
2017, 66(15): 157501.
doi: 10.7498/aps.66.157501
|
[4] |
侯碧辉, 菅彦珍, 王雅丽, 张尔攀, 傅佩珍, 汪力, 钟任斌. PbB4O7 晶体的太赫兹光谱和软光学声子.
,
2010, 59(7): 4640-4645.
doi: 10.7498/aps.59.4640
|
[5] |
赵明海, 孙静静, 王丹, 邹志强, 梁齐. C60分子在Si(111)-7×7表面分子束外延生长的STM研究.
,
2010, 59(1): 636-642.
doi: 10.7498/aps.59.636
|
[6] |
羊新胜, 陈 敏, 王 豫. Tb4O7掺杂的WO3陶瓷的高温热电现象.
,
2003, 52(6): 1545-1548.
doi: 10.7498/aps.52.1545
|
[7] |
李群祥, 杨金龙, 丁长庚, 汪克林, 李家明. STM针尖和外电场在Si(111)-7×7表面单原子操纵中的作用.
,
1999, 48(6): 1086-1094.
doi: 10.7498/aps.48.1086
|
[8] |
王震遐, 朱福英, 王玟珉, 许浔江, 阮美玲. Ar+轰击石墨表面生成碳纳米管和碳纳米多面体.
,
1998, 47(6): 960-964.
doi: 10.7498/aps.47.960
|
[9] |
曾令之, 蒋毅坚, 傅易, 周亚栋. Li2B4O7晶体的晶格振动光谱.
,
1993, 42(1): 154-160.
doi: 10.7498/aps.42.154
|
[10] |
梅良模, 张瑞勤, 关大任, 蔡政亭. 清洁Si(111)表面电子结构的理论研究.
,
1989, 38(10): 1578-1584.
doi: 10.7498/aps.38.1578
|
[11] |
蓝田, 徐飞岳. 用低能电子衍射研究Si(111)7×7表面的原子结构.
,
1989, 38(7): 1077-1085.
doi: 10.7498/aps.38.1077
|
[12] |
王向东, 胡际璜, 戴道宣. Si(111)7×7清洁表面的总电流谱.
,
1988, 37(11): 1888-1892.
doi: 10.7498/aps.37.1888
|
[13] |
陈金长, 黄依森, 魏培才. KDP晶体中位错的研究.
,
1985, 34(3): 377-380.
doi: 10.7498/aps.34.377
|
[14] |
黄亨吉, 善甫康成. 在硅晶体中由螺位错引起的电子散射.
,
1984, 33(9): 1227-1239.
doi: 10.7498/aps.33.1227
|
[15] |
马可军, 俞振中, 金刚, 曹菊英. HCl—Fe+++溶液显示InSb{111}晶面的位错蚀坑.
,
1982, 31(9): 1285-1288.
doi: 10.7498/aps.31.1285
|
[16] |
葛传珍, 徐秀英, 冯端. 直拉法生长Y3Al5O12(YAG)单晶体中的位错和包裹物.
,
1982, 31(3): 415-418.
doi: 10.7498/aps.31.415
|
[17] |
郭常霖. α—SiC晶体中的位错.
,
1982, 31(11): 1511-1525.
doi: 10.7498/aps.31.1511
|
[18] |
刘寄浙. PbFe12O19单晶体中的位错蚀斑研究.
,
1980, 29(5): 651-657.
doi: 10.7498/aps.29.651
|
[19] |
葛庭燧, 王中光, 黄元士. 不同时效状态的含铜4%的铝合金在疲劳载荷下溶质原子与位错的交互作用.
,
1965, 21(6): 1242-1252.
doi: 10.7498/aps.21.1242
|
[20] |
孙瑞蕃, М.П.沙斯柯里斯卡娅. 晶体中滑移的位错机构研究.
,
1960, 16(4): 229-240.
doi: 10.7498/aps.16.229
|