[1] |
刘远, 何红宇, 陈荣盛, 李斌, 恩云飞, 陈义强. 氢化非晶硅薄膜晶体管的低频噪声特性.
,
2017, 66(23): 237101.
doi: 10.7498/aps.66.237101
|
[2] |
陈剑辉, 杨静, 沈艳娇, 李锋, 陈静伟, 刘海旭, 许颖, 麦耀华. 后退火增强氢化非晶硅钝化效果的研究.
,
2015, 64(19): 198801.
doi: 10.7498/aps.64.198801
|
[3] |
柯少颖, 王茺, 潘涛, 何鹏, 杨杰, 杨宇. 渐变带隙氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池的优化设计.
,
2014, 63(2): 028802.
doi: 10.7498/aps.63.028802
|
[4] |
于遥, 张晶思, 陈黛黛, 郭睿倩, 谷至华. PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响.
,
2013, 62(13): 138501.
doi: 10.7498/aps.62.138501
|
[5] |
陈晓雪, 姚若河. 基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究.
,
2012, 61(23): 237104.
doi: 10.7498/aps.61.237104
|
[6] |
陈谷然, 宋超, 徐骏, 王旦清, 徐岭, 马忠元, 李伟, 黄信凡, 陈坤基. 脉冲激光晶化超薄非晶硅膜的分子动力学研究.
,
2010, 59(8): 5681-5686.
doi: 10.7498/aps.59.5681
|
[7] |
段宝兴, 杨银堂. 利用Keating模型计算Si(1-x)Gex及非晶硅的拉曼频移.
,
2009, 58(10): 7114-7118.
doi: 10.7498/aps.58.7114
|
[8] |
周 江, 韦德远, 徐 骏, 李 伟, 宋凤麒, 万建国, 徐 岭, 马忠元. 激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究.
,
2008, 57(6): 3674-3678.
doi: 10.7498/aps.57.3674
|
[9] |
廖乃镘, 李 伟, 蒋亚东, 匡跃军, 祁康成, 李世彬, 吴志明. 椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数.
,
2008, 57(3): 1542-1547.
doi: 10.7498/aps.57.1542
|
[10] |
李世彬, 吴志明, 袁 凯, 廖乃镘, 李 伟, 蒋亚东. 氢化非晶硅薄膜的热导率研究.
,
2008, 57(5): 3126-3131.
doi: 10.7498/aps.57.3126
|
[11] |
刘国汉, 丁 毅, 朱秀红, 陈光华, 贺德衍. HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究.
,
2006, 55(11): 6147-6151.
doi: 10.7498/aps.55.6147
|
[12] |
陈一匡, 林揆训, 罗 志, 梁锐生, 周甫方. 铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征.
,
2004, 53(2): 582-586.
doi: 10.7498/aps.53.582
|
[13] |
赵谦, 王波, 严辉, 久米田稔, 清水立生. 退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响.
,
2004, 53(1): 151-155.
doi: 10.7498/aps.53.151
|
[14] |
罗 志, 林璇英, 林舜辉, 余楚迎, 林揆训, 余云鹏, 谭伟锋. 氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析.
,
2003, 52(1): 169-174.
doi: 10.7498/aps.52.169
|
[15] |
雷红兵, 杨沁清, 王启明. 掺铒硅发光的晶场分裂.
,
1998, 47(7): 1201-1206.
doi: 10.7498/aps.47.1201
|
[16] |
朱美芳. 氢化非晶硅的低温输运.
,
1996, 45(3): 499-505.
doi: 10.7498/aps.45.499
|
[17] |
于工, 郝茂盛, 张仿清, 陈光华. 用模拟退火模型研究非晶硅的结构和振动性质.
,
1993, 42(2): 314-319.
doi: 10.7498/aps.42.314
|
[18] |
陈光华, 于工, 张仿清, 吴天喜. 氢化非晶锗碳薄膜中的自旋缺陷态.
,
1992, 41(10): 1700-1705.
doi: 10.7498/aps.41.1700
|
[19] |
戴国才, 关大任, 邓从豪. 晶态硅中氢化单空位的络合物模型.
,
1986, 35(6): 709-715.
doi: 10.7498/aps.35.709
|
[20] |
夏日源. 高剂量离子注入形成的非晶层重新结晶过程中杂质外扩散的物理模型.
,
1980, 29(5): 566-576.
doi: 10.7498/aps.29.566
|