[1] |
尤明慧, 李雪, 李士军, 刘国军. 晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究.
,
2023, 72(1): 014203.
doi: 10.7498/aps.72.20221383
|
[2] |
张江风, 田笑含, 张晓玲, 孟庆端. InSb芯片碎裂与迸溅金点关系研究.
,
2021, (): .
doi: 10.7498/aps.70.20211535
|
[3] |
李立明, 宁锋, 唐黎明. 量子局域效应和应力对GaSb纳米线电子结构影响的第一性原理研究.
,
2015, 64(22): 227303.
doi: 10.7498/aps.64.227303
|
[4] |
孟庆端, 贵磊, 张晓玲, 张立文, 耿东峰, 吕衍秋. 基于内聚区模型的InSb面阵探测器分层研究.
,
2014, 63(11): 118503.
doi: 10.7498/aps.63.118503
|
[5] |
张杨, 黄燕, 陈效双, 陆卫. InSb(110)表面S,O原子吸附的第一性原理研究.
,
2013, 62(20): 206102.
doi: 10.7498/aps.62.206102
|
[6] |
张祺, 厚美瑛. 直剪颗粒体系的尺寸效应研究.
,
2012, 61(24): 244504.
doi: 10.7498/aps.61.244504
|
[7] |
孟庆端, 余倩, 张立文, 吕衍秋. InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究.
,
2012, 61(22): 226103.
doi: 10.7498/aps.61.226103
|
[8] |
汝强, 李燕玲, 胡社军, 彭薇, 张志文. Sn3InSb4合金嵌Li性能的第一性原理研究.
,
2012, 61(3): 038210.
doi: 10.7498/aps.61.038210
|
[9] |
孙伟峰, 郑晓霞. 第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响.
,
2012, 61(11): 117301.
doi: 10.7498/aps.61.117301
|
[10] |
孙伟峰. (InAs)1/(GaSb)1超晶格原子链的第一原理研究.
,
2012, 61(11): 117104.
doi: 10.7498/aps.61.117104
|
[11] |
孙伟峰, 郑晓霞. (InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线第一原理研究.
,
2012, 61(11): 117103.
doi: 10.7498/aps.61.117103
|
[12] |
孟庆端, 张晓玲, 张立文, 吕衍秋. 128× 128 InSb探测器结构模型研究.
,
2012, 61(19): 190701.
doi: 10.7498/aps.61.190701
|
[13] |
周凯, 李辉, 王柱. 正电子湮没谱和光致发光谱研究掺锌GaSb质子辐照缺陷.
,
2010, 59(7): 5116-5121.
doi: 10.7498/aps.59.5116
|
[14] |
温才, 李方华, 邹进, 陈弘. AlSb/GaAs(001)失配位错的高分辨电子显微学研究.
,
2010, 59(3): 1928-1937.
doi: 10.7498/aps.59.1928
|
[15] |
李超荣. ZnTe/GaSb结构的X射线三轴晶散射和晶体截断杆研究.
,
1997, 46(10): 1953-1960.
doi: 10.7498/aps.46.1953
|
[16] |
贺仲卿, 侯晓远, 丁训民. GaSb(100)的表面再构.
,
1992, 41(8): 1315-1321.
doi: 10.7498/aps.41.1315
|
[17] |
田人和, 卢武星, 李竹怀, 高愈尊. InSb中离子注入二次缺陷研究.
,
1992, 41(5): 809-813.
doi: 10.7498/aps.41.809
|
[18] |
董国胜, 陆春明, 李喆深, 王迅. InSb(111)表面硫处理的研究.
,
1992, 41(6): 1036-1043.
doi: 10.7498/aps.41.1036
|
[19] |
宗祥福, 邱绍雄, 杨恒青, 黄长河, 陈骏逸, 胡刚, 吴仲墀. GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长.
,
1990, 39(12): 1959-1964.
doi: 10.7498/aps.39.1959
|
[20] |
程瑞华, 栾绍金, 沈红卫, 谭维翰. InSb的光学双稳态.
,
1985, 34(9): 1212-1214.
doi: 10.7498/aps.34.1212
|