| [1] |
曹杨, 习凯, 徐彦楠, 李梅, 李博, 毕津顺, 刘明. 55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究.
,
2019, 68(3): 038501.
doi: 10.7498/aps.68.20181661
|
| [2] |
陈钱, 马英起, 陈睿, 朱翔, 李悦, 韩建伟. 激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究.
,
2019, 68(12): 124202.
doi: 10.7498/aps.68.20190237
|
| [3] |
李小龙, 陆妩, 王信, 郭旗, 何承发, 孙静, 于新, 刘默寒, 贾金成, 姚帅, 魏昕宇. 典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估.
,
2018, 67(9): 096101.
doi: 10.7498/aps.67.20180027
|
| [4] |
郑齐文, 崔江维, 王汉宁, 周航, 余徳昭, 魏莹, 苏丹丹. 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应.
,
2016, 65(7): 076102.
doi: 10.7498/aps.65.076102
|
| [5] |
马武英, 陆妩, 郭旗, 何承发, 吴雪, 王信, 丛忠超, 汪波, 玛丽娅. 双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析.
,
2014, 63(2): 026101.
doi: 10.7498/aps.63.026101
|
| [6] |
孙亚宾, 付军, 许军, 王玉东, 周卫, 张伟, 崔杰, 李高庆, 刘志弘. 不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究.
,
2013, 62(19): 196104.
doi: 10.7498/aps.62.196104
|
| [7] |
汪枫, 赵正予, 常珊珊, 倪彬彬, 顾旭东. 低纬电离层人工调制所激发的ELF波射线追踪.
,
2012, 61(19): 199401.
doi: 10.7498/aps.61.199401
|
| [8] |
商怀超, 刘红侠, 卓青青. 低剂量率60Co γ 射线辐照下SOI MOS器件的退化机理.
,
2012, 61(24): 246101.
doi: 10.7498/aps.61.246101
|
| [9] |
陈国云, 辛勇, 黄福成, 魏志勇, 雷升杰, 黄三玻, 朱立, 赵经武, 马加一. 用于反应堆中子/ 射线混合场测量的涂硼电离室性能.
,
2012, 61(8): 082901.
doi: 10.7498/aps.61.082901
|
| [10] |
高博, 余学峰, 任迪远, 崔江维, 兰博, 李明, 王义元. p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究.
,
2011, 60(6): 068702.
doi: 10.7498/aps.60.068702
|
| [11] |
王义元, 陆妩, 任迪远, 郭旗, 余学峰, 何承发, 高博. 双极线性稳压器电离辐射剂量率效应及其损伤分析.
,
2011, 60(9): 096104.
doi: 10.7498/aps.60.096104
|
| [12] |
何宝平, 姚志斌. 互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究.
,
2010, 59(3): 1985-1990.
doi: 10.7498/aps.59.1985
|
| [13] |
郑玉展, 陆妩, 任迪远, 王义元, 郭旗, 余学锋, 何承发. 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性.
,
2009, 58(8): 5572-5577.
doi: 10.7498/aps.58.5572
|
| [14] |
黄燕萍, 祁春媛. 用相位恢复方法测量多孔光纤的三维折射率分布.
,
2006, 55(12): 6395-6398.
doi: 10.7498/aps.55.6395
|
| [15] |
何宝平, 郭红霞, 龚建成, 王桂珍, 罗尹虹, 李永宏. 浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估.
,
2004, 53(9): 3125-3129.
doi: 10.7498/aps.53.3125
|
| [16] |
何宝平, 王桂珍, 周 辉, 龚建成, 罗尹虹, 姜景和. NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估.
,
2003, 52(1): 188-191.
doi: 10.7498/aps.52.188
|
| [17] |
牟维兵, 陈盘训. 用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数.
,
2001, 50(2): 189-192.
doi: 10.7498/aps.50.189
|
| [18] |
张廷庆, 刘传洋, 刘家璐, 王剑屏, 黄智, 徐娜军, 何宝平, 彭宏论, 姚育娟. 低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应.
,
2001, 50(12): 2434-2438.
doi: 10.7498/aps.50.2434
|
| [19] |
郭红霞, 陈雨生, 张义门, 吴国荣, 周辉, 关颖, 韩福斌, 龚建成. 多层平板电离室测量不同材料界面剂量分布及其蒙特-卡洛模拟.
,
2001, 50(8): 1545-1548.
doi: 10.7498/aps.50.1545
|
| [20] |
霍秉权, 王谟显. 戊种镭原质所放出β线之能力分配.
,
1936, 2(1): 1-9.
doi: 10.7498/aps.2.1
|
下载:
