1994年 43卷 第4期
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1994, 43(4): 521-529.
doi: 10.7498/aps.43.521
摘要:
建立了一个以q振子为光场模型的光与物质相互作用的非线性理论,求得了薛定谔方程的形式解,并用微扰法求出一级近似的发射概率和吸收概率,同时求解了共振条件的拉比问题。在q→1时,恢复为普通线性理论。
建立了一个以q振子为光场模型的光与物质相互作用的非线性理论,求得了薛定谔方程的形式解,并用微扰法求出一级近似的发射概率和吸收概率,同时求解了共振条件的拉比问题。在q→1时,恢复为普通线性理论。
1994, 43(4): 530-539.
doi: 10.7498/aps.43.530
摘要:
借助于显微镜放大8×10倍,用目视法将四探针针尖分别控制在样品的面积为100μm×100μm的方形微区的内切圆外四个角区内,利用改进的Van der Pauw法能测定它的方块电阻。测量不受探针游移的影响,无需用测定探针的精确几何位置来进行边缘效应修正。本文利用有限元法对此结论给予证明,并通过金微触点的方块电阻测定得到证实。
借助于显微镜放大8×10倍,用目视法将四探针针尖分别控制在样品的面积为100μm×100μm的方形微区的内切圆外四个角区内,利用改进的Van der Pauw法能测定它的方块电阻。测量不受探针游移的影响,无需用测定探针的精确几何位置来进行边缘效应修正。本文利用有限元法对此结论给予证明,并通过金微触点的方块电阻测定得到证实。
1994, 43(4): 540-546.
doi: 10.7498/aps.43.540
摘要:
用一个球到多个球重叠到分离的几何形状来描述裂片相互以120°方向形变(品字型),相互沿一条直线的拉长三体形变,以及先非对称后对称的级联三分裂的形变过程。方便比较只用了一个形变参数。基于液滴模型计算了表面能和库仑能,加入了新生碎片之间的核势,局域壳效应的壳能,给出三种三分裂模式的形变势能比较。考虑热核的各种温度效应,计算了在有限温度下这三种模式的位垒穿透概率,给出高温核位垒高度下降甚至位垒消失,定性给出三分裂的最可能的裂变方式。
用一个球到多个球重叠到分离的几何形状来描述裂片相互以120°方向形变(品字型),相互沿一条直线的拉长三体形变,以及先非对称后对称的级联三分裂的形变过程。方便比较只用了一个形变参数。基于液滴模型计算了表面能和库仑能,加入了新生碎片之间的核势,局域壳效应的壳能,给出三种三分裂模式的形变势能比较。考虑热核的各种温度效应,计算了在有限温度下这三种模式的位垒穿透概率,给出高温核位垒高度下降甚至位垒消失,定性给出三分裂的最可能的裂变方式。
1994, 43(4): 547-554.
doi: 10.7498/aps.43.547
摘要:
对以离散数据形式表达的正电子湮没寿命谱、用快速傅里叶变换方法转换为频谱形式,使得分析结果直观、可靠。谱中每个真峰代表一种成分,峰位对应于湮没率,峰面积正比于该成分的强度。对该方法原理进行了详尽的阐述,充分考虑了仪器分辨函数和计数统计涨落的影响。在ALR-286微机上用TURBO C语言编写了相应的解谱程序,对计算机模拟的正电子湮没寿命谱进行的分析均达到预想结果。该方法具有原理简单、解谱速度快、不需预先设定成分参数、降低了仪器分辨函数的影响等特点。
对以离散数据形式表达的正电子湮没寿命谱、用快速傅里叶变换方法转换为频谱形式,使得分析结果直观、可靠。谱中每个真峰代表一种成分,峰位对应于湮没率,峰面积正比于该成分的强度。对该方法原理进行了详尽的阐述,充分考虑了仪器分辨函数和计数统计涨落的影响。在ALR-286微机上用TURBO C语言编写了相应的解谱程序,对计算机模拟的正电子湮没寿命谱进行的分析均达到预想结果。该方法具有原理简单、解谱速度快、不需预先设定成分参数、降低了仪器分辨函数的影响等特点。
1994, 43(4): 555-559.
doi: 10.7498/aps.43.555
摘要:
研究了若丹明B分子的530.0和572.0nm两个荧光峰在银微粒表面的增强和淬灭效应,发现若丹明B分子的530.0nm荧光峰获得了30倍的增强,而与此同时,572.5nm荧光峰则强烈淬灭。对其快速动力学过程的研究表明,这两个荧光峰的增强和淬灭过程在每一时刻都是互逆的。
研究了若丹明B分子的530.0和572.0nm两个荧光峰在银微粒表面的增强和淬灭效应,发现若丹明B分子的530.0nm荧光峰获得了30倍的增强,而与此同时,572.5nm荧光峰则强烈淬灭。对其快速动力学过程的研究表明,这两个荧光峰的增强和淬灭过程在每一时刻都是互逆的。
1994, 43(4): 560-565.
doi: 10.7498/aps.43.560
摘要:
对电子与H2+离子碰撞过程中所产生的激发态进行了实验研究,测得巴耳末α,β发射光谱,研究了激发截面随能量变化的依赖关系,并定性讨论了分解复合机制。
对电子与H2+离子碰撞过程中所产生的激发态进行了实验研究,测得巴耳末α,β发射光谱,研究了激发截面随能量变化的依赖关系,并定性讨论了分解复合机制。
1994, 43(4): 566-569.
doi: 10.7498/aps.43.566
摘要:
采用电弧法制备了C60/C70,并用光学显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其结晶形貌进行了研究。研究结果表明,C60/C70晶体依平面状长大方式生长,最终长成规则的四边形,五边形和六边形晶体。
采用电弧法制备了C60/C70,并用光学显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其结晶形貌进行了研究。研究结果表明,C60/C70晶体依平面状长大方式生长,最终长成规则的四边形,五边形和六边形晶体。
1994, 43(4): 570-579.
doi: 10.7498/aps.43.570
摘要:
研究了附加克尔(Kerr)介质双光子Jaynes-cummings(J-C)模型场熵的动力学特性,讨论了克尔介质非线性相互作用对场熵的影响。借助于光场Q函数的分支结构在相空间的量子干涉,对场熵特性的物理机制作出了解释。
研究了附加克尔(Kerr)介质双光子Jaynes-cummings(J-C)模型场熵的动力学特性,讨论了克尔介质非线性相互作用对场熵的影响。借助于光场Q函数的分支结构在相空间的量子干涉,对场熵特性的物理机制作出了解释。
1994, 43(4): 580-590.
doi: 10.7498/aps.43.580
摘要:
采用自行研制的增益开关驱动电路产生的电脉冲驱动半导体激光器,从实验上研究了输出激光的脉宽、功率随偏置电流及驱动电脉冲的变化情况,找出了最佳工作点。并通过解析模型和数值计算两种途径从理论上较好地解释了实验结果。
采用自行研制的增益开关驱动电路产生的电脉冲驱动半导体激光器,从实验上研究了输出激光的脉宽、功率随偏置电流及驱动电脉冲的变化情况,找出了最佳工作点。并通过解析模型和数值计算两种途径从理论上较好地解释了实验结果。
1994, 43(4): 591-596.
doi: 10.7498/aps.43.591
摘要:
给出了饱和型半导体掺杂玻璃光纤传输方程的一般孤子行波解,讨论了在各种参数选取下解的性质以及明、暗孤波形成的条件,其中引入了通过极限零点及非极限零点来判断孤波类型的方法。
给出了饱和型半导体掺杂玻璃光纤传输方程的一般孤子行波解,讨论了在各种参数选取下解的性质以及明、暗孤波形成的条件,其中引入了通过极限零点及非极限零点来判断孤波类型的方法。
1994, 43(4): 597-603.
doi: 10.7498/aps.43.597
摘要:
给出了MM-4u中等离子体约束位形和不稳定性的实验结果。测得的等离子体电位轴向分布表明,该装置中能够建立起负电位轴对称串级镜约束位形;测得的密度分布与电位分布有相似形式。初步探索了等离子体参数与工程参数的关系。实验还发现在低密度情况下存在低频振荡。通过对振荡信号进行线性相关分析,根据扰动的振荡和传播特性,推断出这种振荡为离子声不稳性。不稳定性产生的可能机制是由于电子束穿过低密度本底等离子体的漂移速度超过离子声速而激发起来的。
给出了MM-4u中等离子体约束位形和不稳定性的实验结果。测得的等离子体电位轴向分布表明,该装置中能够建立起负电位轴对称串级镜约束位形;测得的密度分布与电位分布有相似形式。初步探索了等离子体参数与工程参数的关系。实验还发现在低密度情况下存在低频振荡。通过对振荡信号进行线性相关分析,根据扰动的振荡和传播特性,推断出这种振荡为离子声不稳性。不稳定性产生的可能机制是由于电子束穿过低密度本底等离子体的漂移速度超过离子声速而激发起来的。
1994, 43(4): 604-608.
doi: 10.7498/aps.43.604
摘要:
报道了表面包覆Fe2O3纳米微粒在一定条件的结构相变,这可以从其异常的红外光谱得到验证,峰位发生了显著的移动,一些振动模式的峰加强,所有的振动峰都显著加宽,出现了一个大的背景吸收带,可以认为这很可能来源于电子-声子耦合增强产生的极化子效应。这一极化子效应中不仅包括LO声子贡献,而且由弹性形变势加电子形成的软模的贡献占据重要地位。
报道了表面包覆Fe2O3纳米微粒在一定条件的结构相变,这可以从其异常的红外光谱得到验证,峰位发生了显著的移动,一些振动模式的峰加强,所有的振动峰都显著加宽,出现了一个大的背景吸收带,可以认为这很可能来源于电子-声子耦合增强产生的极化子效应。这一极化子效应中不仅包括LO声子贡献,而且由弹性形变势加电子形成的软模的贡献占据重要地位。
1994, 43(4): 609-615.
doi: 10.7498/aps.43.609
摘要:
用分子动力学方法模拟了Si(001)表面。提出利用二维偶对相关函数分析方法研究表面层和近表面层原于的行为。硅原子间的相互作用势采用含有两体和三体相互作用的Stilli-anger-Weber势。模拟温度为300K,模拟结果和二维偶对相关函数的分析表明:表面层的大部分原子发生成键,键长为0.24nm;近表面层的其它几层原子仍保持原平面晶格构型。另外,对表面层和近表面层原子的弛豫问题也进行了模拟研究。
用分子动力学方法模拟了Si(001)表面。提出利用二维偶对相关函数分析方法研究表面层和近表面层原于的行为。硅原子间的相互作用势采用含有两体和三体相互作用的Stilli-anger-Weber势。模拟温度为300K,模拟结果和二维偶对相关函数的分析表明:表面层的大部分原子发生成键,键长为0.24nm;近表面层的其它几层原子仍保持原平面晶格构型。另外,对表面层和近表面层原子的弛豫问题也进行了模拟研究。
1994, 43(4): 616-621.
doi: 10.7498/aps.43.616
摘要:
采用小角X射线散射法和31P核磁共振技术研究了蓖麻酸对磷脂酰乙醇胺和胆固醇混合脂质体液晶态结构的影响,实验结果表明:蓖麻酸对磷脂胆固醇混合脂质体结构有稳定作用。在含有高效分散剂的磷酸盐缓冲溶液中制成的液晶态蓖麻酸多相脂质体由立方六角相构成。
采用小角X射线散射法和31P核磁共振技术研究了蓖麻酸对磷脂酰乙醇胺和胆固醇混合脂质体液晶态结构的影响,实验结果表明:蓖麻酸对磷脂胆固醇混合脂质体结构有稳定作用。在含有高效分散剂的磷酸盐缓冲溶液中制成的液晶态蓖麻酸多相脂质体由立方六角相构成。
1994, 43(4): 622-626.
doi: 10.7498/aps.43.622
摘要:
用LMTO-ASA方法计算了铌的体态密度和清洁Nb(100)表面的局域态密度以及有关的表面能。所计算的体态密度与用其它方法计算的态密度符合得很好,表面能则支持了低能电子衍射(LEED)动力学计算的结果,并且通过分析表面局域态密度,提出了清洁Nb(100)表面存在表面态,表面态位于费密能级的上方。
用LMTO-ASA方法计算了铌的体态密度和清洁Nb(100)表面的局域态密度以及有关的表面能。所计算的体态密度与用其它方法计算的态密度符合得很好,表面能则支持了低能电子衍射(LEED)动力学计算的结果,并且通过分析表面局域态密度,提出了清洁Nb(100)表面存在表面态,表面态位于费密能级的上方。
1994, 43(4): 627-631.
doi: 10.7498/aps.43.627
摘要:
给出激光化学汽相沉积法制备a-Si3N4纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为6.5nm的优质a-Si3N4纳米粒子,用紫外光谱研究其能级结构,发现与小粒子有关的峰状光谱结构和能带分裂现象,描述了a-Si3N4纳米粒子的物理结构图象,确认硅错键≡Si—Si≡,硅悬挂键≡Si30在富硅a-Si3
给出激光化学汽相沉积法制备a-Si3N4纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为6.5nm的优质a-Si3N4纳米粒子,用紫外光谱研究其能级结构,发现与小粒子有关的峰状光谱结构和能带分裂现象,描述了a-Si3N4纳米粒子的物理结构图象,确认硅错键≡Si—Si≡,硅悬挂键≡Si30在富硅a-Si3
1994, 43(4): 632-636.
doi: 10.7498/aps.43.632
摘要:
通过对掺杂蓝青铜的低频宽带噪声(BBN)的研究,发现在掺杂样品中杂质和缺陷能大大的加强低频电压噪声,并且噪声的幅度、波形又强烈地与单晶在冷却过程中的初始电流状态有关,从而揭示出电荷密度波的宽带噪声可能来自于样品中宏观缺陷的微观实质。
通过对掺杂蓝青铜的低频宽带噪声(BBN)的研究,发现在掺杂样品中杂质和缺陷能大大的加强低频电压噪声,并且噪声的幅度、波形又强烈地与单晶在冷却过程中的初始电流状态有关,从而揭示出电荷密度波的宽带噪声可能来自于样品中宏观缺陷的微观实质。
1994, 43(4): 637-645.
doi: 10.7498/aps.43.637
摘要:
用Newman叠加模型研究了KZnF3:Cr3+四角对称基态的零场分裂,证实了Zn2+空位和畸变的存在;并指出,空位对晶场的贡献不可忽略。计算得到:KZnF3:cr3+晶体[0,01]方向的一个F-配体向Cr3+移动Δ(KZnF3)=0.0029-0.0043nm。还研究了KMgF3:Cr3+
用Newman叠加模型研究了KZnF3:Cr3+四角对称基态的零场分裂,证实了Zn2+空位和畸变的存在;并指出,空位对晶场的贡献不可忽略。计算得到:KZnF3:cr3+晶体[0,01]方向的一个F-配体向Cr3+移动Δ(KZnF3)=0.0029-0.0043nm。还研究了KMgF3:Cr3+
1994, 43(4): 646-650.
doi: 10.7498/aps.43.646
摘要:
光照下经H2O2处理的多孔硅其荧光强度随处理时间增加先增强后减弱,处理1min后,荧光强度达极大。未经H2O2处理的多孔硅在空气中激光照射下,其荧光退化很快,经H2O2处理的多孔硅在同样条件下,荧光退化明显变慢。红外吸收实验表明,H2O2处理后多孔硅与氧有关的振动大幅度增强,而各种Si—H键则明显减少。对比红外吸收与荧光强度的变化,
光照下经H2O2处理的多孔硅其荧光强度随处理时间增加先增强后减弱,处理1min后,荧光强度达极大。未经H2O2处理的多孔硅在空气中激光照射下,其荧光退化很快,经H2O2处理的多孔硅在同样条件下,荧光退化明显变慢。红外吸收实验表明,H2O2处理后多孔硅与氧有关的振动大幅度增强,而各种Si—H键则明显减少。对比红外吸收与荧光强度的变化,
1994, 43(4): 651-654.
doi: 10.7498/aps.43.651
摘要:
通过对沉积在具有无规自相似结构的α-Al2O3断裂面上的银薄膜逾渗系统交流特性的测量,证明了在逾渗阈值pc附近这一系统的交流电导率和介电常数满足指数临界规律和普适标度关系。还给出了这种逾渗系统的电容与直流电阻的关系,并对其意义作了讨论。
通过对沉积在具有无规自相似结构的α-Al2O3断裂面上的银薄膜逾渗系统交流特性的测量,证明了在逾渗阈值pc附近这一系统的交流电导率和介电常数满足指数临界规律和普适标度关系。还给出了这种逾渗系统的电容与直流电阻的关系,并对其意义作了讨论。
1994, 43(4): 655-659.
doi: 10.7498/aps.43.655
摘要:
报道含F铋系超导块材的XPS,红外光声光谱及晶格常数等变化,确定了F进入元胞O(2)的位置。指出Cu—F和Pb—F键的形成,加强Cu-O与Bi-O面之间的耦合作用和化学压力,并使Fermi面附近电子态密度增大,从而使含F铋系的Tc0有显著的提高。
报道含F铋系超导块材的XPS,红外光声光谱及晶格常数等变化,确定了F进入元胞O(2)的位置。指出Cu—F和Pb—F键的形成,加强Cu-O与Bi-O面之间的耦合作用和化学压力,并使Fermi面附近电子态密度增大,从而使含F铋系的Tc0有显著的提高。
1994, 43(4): 660-666.
doi: 10.7498/aps.43.660
摘要:
利用直流磁控溅射(D.C.Magnetron Sputtering)法,选取总气压为80Pa,沉积时间为60min,溅射靶尺寸为φ80,在磁场强度、靶与基片之间的距离及Ar/O2比等参数变化的情况下,制备了四组YBCO/Al2O3非晶薄膜样品。用MeV Li卢瑟福背散射(RBS)分析技术,测量了各块样品中Ba和Cu相对Y的含量和薄膜厚度随基片的横向分布。分析结果表明:在不同的沉积条件下,薄膜中各点的Ba和Cu相对浓度差别较大,薄膜厚度分布也
利用直流磁控溅射(D.C.Magnetron Sputtering)法,选取总气压为80Pa,沉积时间为60min,溅射靶尺寸为φ80,在磁场强度、靶与基片之间的距离及Ar/O2比等参数变化的情况下,制备了四组YBCO/Al2O3非晶薄膜样品。用MeV Li卢瑟福背散射(RBS)分析技术,测量了各块样品中Ba和Cu相对Y的含量和薄膜厚度随基片的横向分布。分析结果表明:在不同的沉积条件下,薄膜中各点的Ba和Cu相对浓度差别较大,薄膜厚度分布也
1994, 43(4): 667-672.
doi: 10.7498/aps.43.667
摘要:
基于实验资料,光诱导结构改变被解释为三重激子极化子的凝聚。数值计算了单态和三重态激子的包络函数;对光诱导结构改变机制进行了详细的讨论。
基于实验资料,光诱导结构改变被解释为三重激子极化子的凝聚。数值计算了单态和三重态激子的包络函数;对光诱导结构改变机制进行了详细的讨论。
1994, 43(4): 673-677.
doi: 10.7498/aps.43.673
摘要:
利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的AlxGa1-xAs样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。
利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的AlxGa1-xAs样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。
1994, 43(4): 678-682.
doi: 10.7498/aps.43.678
摘要:
叙述了用一台输出功率为2kW的连续CO2激光器,在碳钢表面实现了激光熔敷WC-TiN-SiC-Co高硬质合金的实验方法,并对激光处理后的样品,从相的组成,显微组织,硬度分布及耐磨性能等方面作了综合分析。结果表明:样品表面的化学成分,显微组织和机械性能都发生了根本性转变和很大的提高,同时对激光熔敷形成高硬质合金的机理作了初步的探讨。
叙述了用一台输出功率为2kW的连续CO2激光器,在碳钢表面实现了激光熔敷WC-TiN-SiC-Co高硬质合金的实验方法,并对激光处理后的样品,从相的组成,显微组织,硬度分布及耐磨性能等方面作了综合分析。结果表明:样品表面的化学成分,显微组织和机械性能都发生了根本性转变和很大的提高,同时对激光熔敷形成高硬质合金的机理作了初步的探讨。
1994, 43(4): 683-688.
doi: 10.7498/aps.43.683
摘要:
以理论上的解析方法推得了Morel第二类海水表面层漫反射率的近似表示式;此表示式与数值计算法所得结果基本一致。
以理论上的解析方法推得了Morel第二类海水表面层漫反射率的近似表示式;此表示式与数值计算法所得结果基本一致。
