1992年 41卷 第7期
1992, 41(7): 1045-1056.
doi: 10.7498/aps.41.1045
摘要:
本文给出了Kerr-NUT黑洞视界高斯曲率的解析表达式,分析了NUT参数对视界的赤道周长和极向周长的影响,研究了将其视界嵌入欧几里得空间的问题。结果表明这种黑洞的视界具有其它黑洞所没有的几何性质。
本文给出了Kerr-NUT黑洞视界高斯曲率的解析表达式,分析了NUT参数对视界的赤道周长和极向周长的影响,研究了将其视界嵌入欧几里得空间的问题。结果表明这种黑洞的视界具有其它黑洞所没有的几何性质。
1992, 41(7): 1057-1062.
doi: 10.7498/aps.41.1057
摘要:
本文研究了推广的KdV方程 ut+2μuux+v3x+δu5x=0(μvδ≠0) (1)的精确孤子解,得到了(1)式的一些新的孤波解,对文献[10]的若干结论作了补充与修正。
本文研究了推广的KdV方程 ut+2μuux+v3x+δu5x=0(μvδ≠0) (1)的精确孤子解,得到了(1)式的一些新的孤波解,对文献[10]的若干结论作了补充与修正。
1992, 41(7): 1063-1071.
doi: 10.7498/aps.41.1063
摘要:
本文采用纯粹的代数运算,导出了全同粒子系统的二次量子化表象,与传统的导出方法相比,我们的方法具有简单、初等和能够清楚地表述所涉及的物理量之涵义的优点。
本文采用纯粹的代数运算,导出了全同粒子系统的二次量子化表象,与传统的导出方法相比,我们的方法具有简单、初等和能够清楚地表述所涉及的物理量之涵义的优点。
1992, 41(7): 1072-1080.
doi: 10.7498/aps.41.1072
摘要:
本文利用闭路Green函数理论讨论了有限温度场论单粒子不可约(1PI)图形的零动量行为,并且证明在体现Kubo-Martin-Schwinser条件的“│P0│方案”下,这种图形的推迟函数的零动量极限是完全确定的。
本文利用闭路Green函数理论讨论了有限温度场论单粒子不可约(1PI)图形的零动量行为,并且证明在体现Kubo-Martin-Schwinser条件的“│P0│方案”下,这种图形的推迟函数的零动量极限是完全确定的。
1992, 41(7): 1081-1086.
doi: 10.7498/aps.41.1081
摘要:
本文论证了强迫的Oregonator振子可以用立方映象刻划其行为,其依据为描述此振子的四变量方程有三个不动点,混沌的转换函数呈现三次曲线特点,找到了隶属三点周期的符号BK;C,四点周期的符号BK;LC,B2K;C,BRK;C,并画出了BRK;C的环状线,找到了一条倍周期分岔道路。在混沌域中研究了五个混沌态,其维数介于2.02—2.37之间,混沌域中央维数偏低,贴近四点周期线维数偏高。
本文论证了强迫的Oregonator振子可以用立方映象刻划其行为,其依据为描述此振子的四变量方程有三个不动点,混沌的转换函数呈现三次曲线特点,找到了隶属三点周期的符号BK;C,四点周期的符号BK;LC,B2K;C,BRK;C,并画出了BRK;C的环状线,找到了一条倍周期分岔道路。在混沌域中研究了五个混沌态,其维数介于2.02—2.37之间,混沌域中央维数偏低,贴近四点周期线维数偏高。
1992, 41(7): 1087-1091.
doi: 10.7498/aps.41.1087
摘要:
对K2ZnCl4铁电晶体在无公度-公度转变的相变点附近的孤子行为进行了研究。发现在相变点附近杂质使介电函数明显偏离居里-外斯定律,并导致介电峰值的明显下降;同时还发现杂质对升温相变点Tch较之对降温相变点Tcc有更大的影响,这与Rb2ZnCl4等晶体中的情况恰好相反。采用朗道自由能理论可较好地描述杂质在相变点附近对介电函数的影响。分
对K2ZnCl4铁电晶体在无公度-公度转变的相变点附近的孤子行为进行了研究。发现在相变点附近杂质使介电函数明显偏离居里-外斯定律,并导致介电峰值的明显下降;同时还发现杂质对升温相变点Tch较之对降温相变点Tcc有更大的影响,这与Rb2ZnCl4等晶体中的情况恰好相反。采用朗道自由能理论可较好地描述杂质在相变点附近对介电函数的影响。分
1992, 41(7): 1092-1096.
doi: 10.7498/aps.41.1092
摘要:
本文用李亚普诺夫的运动稳定性理论成功地解决了具有均匀导向场和理想螺旋磁场自由电子激光中电子平衡态螺旋轨道的稳定性问题。利用李亚普诺夫第一方法,确定了轨道的不稳定区域;利用李亚普诺夫第二方法,严格地证明了高导向场区和低导向场区螺旋轨道的稳定性。
本文用李亚普诺夫的运动稳定性理论成功地解决了具有均匀导向场和理想螺旋磁场自由电子激光中电子平衡态螺旋轨道的稳定性问题。利用李亚普诺夫第一方法,确定了轨道的不稳定区域;利用李亚普诺夫第二方法,严格地证明了高导向场区和低导向场区螺旋轨道的稳定性。
1992, 41(7): 1097-1105.
doi: 10.7498/aps.41.1097
摘要:
众所周知,由非线性Schr?dinger方程描述的光学孤子可以在光纤(由中心对称介质构成的光波导)中稳定传输。本文在理论上证明,在强色散的条件下,非中心对称介质构成的光波导中(比如薄膜波导,晶体光纤等),同样可传输这种光学孤子。由于定义了等效折射率系数,本文的结果还可用来讨论此类波导中与非线性折射率相关的其他非线性光学效应,比如自相位调制效应等。
众所周知,由非线性Schr?dinger方程描述的光学孤子可以在光纤(由中心对称介质构成的光波导)中稳定传输。本文在理论上证明,在强色散的条件下,非中心对称介质构成的光波导中(比如薄膜波导,晶体光纤等),同样可传输这种光学孤子。由于定义了等效折射率系数,本文的结果还可用来讨论此类波导中与非线性折射率相关的其他非线性光学效应,比如自相位调制效应等。
1992, 41(7): 1106-1110.
doi: 10.7498/aps.41.1106
摘要:
用正电子寿命和多普勒线形参数测量技术,研究了形变和形变充氢多晶钴试样的缺陷性质及其回复行为。观察到形变样品阴极充氢后,氢致缺陷为一定量的位错和空位以及少量的空位团。没有观察到微空洞和微裂纹的产生。单空位的回复温度范围为73—260℃,位错和空位团的退火发生在350—670℃温度范围。测得空位的迁移激活能为Evm=1.09±0.07eV。
用正电子寿命和多普勒线形参数测量技术,研究了形变和形变充氢多晶钴试样的缺陷性质及其回复行为。观察到形变样品阴极充氢后,氢致缺陷为一定量的位错和空位以及少量的空位团。没有观察到微空洞和微裂纹的产生。单空位的回复温度范围为73—260℃,位错和空位团的退火发生在350—670℃温度范围。测得空位的迁移激活能为Evm=1.09±0.07eV。
1992, 41(7): 1111-1118.
doi: 10.7498/aps.41.1111
摘要:
本文研究了Pd43.5Ni43.5P13合金在20m落管中的过冷行为。下落过程中凝固的液滴为直径在0.2—2.5mm范围的小球。对样品进行了X射线衍射测量、扫描电子显微镜观察和X射线能谱微区成分分析。结果表明当样品在1.8×104Pa的氮气中凝固时得到了近单相的Pd-Ni-P过饱和固溶体。这一事实表明样品中可能发生非分解凝固。此外,在8.0×104Pa氮气中凝固的样品发现非晶相与固溶相共存,说明样
本文研究了Pd43.5Ni43.5P13合金在20m落管中的过冷行为。下落过程中凝固的液滴为直径在0.2—2.5mm范围的小球。对样品进行了X射线衍射测量、扫描电子显微镜观察和X射线能谱微区成分分析。结果表明当样品在1.8×104Pa的氮气中凝固时得到了近单相的Pd-Ni-P过饱和固溶体。这一事实表明样品中可能发生非分解凝固。此外,在8.0×104Pa氮气中凝固的样品发现非晶相与固溶相共存,说明样
1992, 41(7): 1119-1124.
doi: 10.7498/aps.41.1119
摘要:
本工作采用激光光声谱对85K多晶Cu表面上NH3分子的物理吸附进行了研究。通过监测NH3分子伞形振动模(ν2),发现在清洁和预吸附O的Cu表面上,相同物理吸附态NH3分子振动谱的峰位频率和峰的半高宽度(FWHM)随覆盖度表现出不同的变化规律,对应着不同的物理吸附机理。实验结果同时表明高分辨率的光声谱在研究弱吸附体系细致结构和细微作用方面的潜力。
本工作采用激光光声谱对85K多晶Cu表面上NH3分子的物理吸附进行了研究。通过监测NH3分子伞形振动模(ν2),发现在清洁和预吸附O的Cu表面上,相同物理吸附态NH3分子振动谱的峰位频率和峰的半高宽度(FWHM)随覆盖度表现出不同的变化规律,对应着不同的物理吸附机理。实验结果同时表明高分辨率的光声谱在研究弱吸附体系细致结构和细微作用方面的潜力。
1992, 41(7): 1125-1131.
doi: 10.7498/aps.41.1125
摘要:
本工作用可调探测深度电子能量损失谱(ELS)与俄歇电子能谱(AES)研究Pb在Ni(001)表面的生长过程。发现Pb是一层一层地在表面生长的,即按Franck-van der Merwe(F-M)模式生长。当Pb的覆盖度大于1单层(ML)时,Pb的6s能带对应的电子能量损失峰开始出现,当Pb的覆盖度为3ML时,Pb的体等离激元的损失峰已相当明显。在Pb的蒸镀过程及随后的整个退火过程中,Pb的体等离激元峰,6s能带峰和Ni的3p能带峰的峰位与峰宽均保持与纯金属相同的值,也没有出现新的体等离激元峰。由此说明P
本工作用可调探测深度电子能量损失谱(ELS)与俄歇电子能谱(AES)研究Pb在Ni(001)表面的生长过程。发现Pb是一层一层地在表面生长的,即按Franck-van der Merwe(F-M)模式生长。当Pb的覆盖度大于1单层(ML)时,Pb的6s能带对应的电子能量损失峰开始出现,当Pb的覆盖度为3ML时,Pb的体等离激元的损失峰已相当明显。在Pb的蒸镀过程及随后的整个退火过程中,Pb的体等离激元峰,6s能带峰和Ni的3p能带峰的峰位与峰宽均保持与纯金属相同的值,也没有出现新的体等离激元峰。由此说明P
1992, 41(7): 1132-1136.
doi: 10.7498/aps.41.1132
摘要:
用高密度、高电离度的电子迴旋共振等离子体溅射方法在室温基片上沉积出纳米晶Ti薄膜,基体为玻璃、NaCl单晶、纯Al等。对Ti薄膜的结构、形貌和成分进行X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)分析,表明所沉积的Ti薄膜是平均粒径d<10nm,晶粒大小均匀且具有比较稳定的fcc反常结构的纳米晶粒膜。我们还较系统地研究了各工作参数对Ti薄膜的晶体结构、晶粒尺寸、成膜速率以及对基体粘附力的影响,分析了成膜机理。
用高密度、高电离度的电子迴旋共振等离子体溅射方法在室温基片上沉积出纳米晶Ti薄膜,基体为玻璃、NaCl单晶、纯Al等。对Ti薄膜的结构、形貌和成分进行X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)分析,表明所沉积的Ti薄膜是平均粒径d<10nm,晶粒大小均匀且具有比较稳定的fcc反常结构的纳米晶粒膜。我们还较系统地研究了各工作参数对Ti薄膜的晶体结构、晶粒尺寸、成膜速率以及对基体粘附力的影响,分析了成膜机理。
1992, 41(7): 1137-1142.
doi: 10.7498/aps.41.1137
摘要:
本文提出并设计了悬臂梁弯曲实验法用来研究物理汽相沉积薄膜分别受拉和受压状态下变形和开裂行为,声发射技术被用来监测薄膜的开裂或剥落从而确立薄膜临界开裂的判据。对钛基氮化钛薄膜体系研究结果表明,薄膜处于受拉和受压状态下临界开裂载荷值分别为800gf和1285gf。还结合薄膜的强度极限或界面结合强度研究了薄膜在两种服役情形下的损毁机理。
本文提出并设计了悬臂梁弯曲实验法用来研究物理汽相沉积薄膜分别受拉和受压状态下变形和开裂行为,声发射技术被用来监测薄膜的开裂或剥落从而确立薄膜临界开裂的判据。对钛基氮化钛薄膜体系研究结果表明,薄膜处于受拉和受压状态下临界开裂载荷值分别为800gf和1285gf。还结合薄膜的强度极限或界面结合强度研究了薄膜在两种服役情形下的损毁机理。
1992, 41(7): 1143-1146.
doi: 10.7498/aps.41.1143
摘要:
计算了在不同电子-晶格耦合强度λ下,一维电子-晶格体系中孤子激活能ε1(λ)及电子激发到禁带中央分立能级所需能量△(λ)。得到孤子激活能随λ增大而增大;但对不同λ,孤子激活能总是小于产生一个电子或空穴所需能量。
计算了在不同电子-晶格耦合强度λ下,一维电子-晶格体系中孤子激活能ε1(λ)及电子激发到禁带中央分立能级所需能量△(λ)。得到孤子激活能随λ增大而增大;但对不同λ,孤子激活能总是小于产生一个电子或空穴所需能量。
1992, 41(7): 1147-1150.
doi: 10.7498/aps.41.1147
摘要:
测量了Bi2Sr2CaCu2O8单晶a方向的热电势率Sa和b方向的热电势率Sb与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为Sa与Sb的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率Sd,声子曳引热电势率Sg和相关跳跃热电势率Sh三种贡献,对实验结果进行了
测量了Bi2Sr2CaCu2O8单晶a方向的热电势率Sa和b方向的热电势率Sb与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为Sa与Sb的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率Sd,声子曳引热电势率Sg和相关跳跃热电势率Sh三种贡献,对实验结果进行了
1992, 41(7): 1151-1156.
doi: 10.7498/aps.41.1151
摘要:
本文报道利用Ca部分取代Y的方法,将空穴引入绝缘的YBa2Cu3O6系统中,使其发生由绝缘体到超导体的转变,并通过研究其电子输运性质、磁性质,以及晶体结构的变化,揭示了具有适当载流子浓度的CuO面是维持高Tc超导电性的重要条件。
本文报道利用Ca部分取代Y的方法,将空穴引入绝缘的YBa2Cu3O6系统中,使其发生由绝缘体到超导体的转变,并通过研究其电子输运性质、磁性质,以及晶体结构的变化,揭示了具有适当载流子浓度的CuO面是维持高Tc超导电性的重要条件。
1992, 41(7): 1157-1161.
doi: 10.7498/aps.41.1157
摘要:
采用普通固态反应法制备了名义组分为Bi2.0-xPbxSr1.9Ca2.2Cu3.3Oy超导体,并系统研究了样品的X射线衍射谱。结果表明:富Ca富Cu加速了2223相形成,拓宽了Bi系的单相化烧结温区,并获得了品质优良的110K单相多晶样品;低温退火有助于提高样品的单相化程度。
采用普通固态反应法制备了名义组分为Bi2.0-xPbxSr1.9Ca2.2Cu3.3Oy超导体,并系统研究了样品的X射线衍射谱。结果表明:富Ca富Cu加速了2223相形成,拓宽了Bi系的单相化烧结温区,并获得了品质优良的110K单相多晶样品;低温退火有助于提高样品的单相化程度。
1992, 41(7): 1162-1166.
doi: 10.7498/aps.41.1162
摘要:
在三维随机格点阵上对三态矢量Potts模型进行了Monte Carlo数值模拟,构造了N×N×N(N=8,10,12)三种不同大小点阵,分别计算了该自旋系统的能量密度、磁化强度、比热和磁化率等的温度曲线。结果表明该自旋系统在β6≈0.16处存在着能表征一阶Z(3)对称破缺相变的能量热滞图和比热陡峰,磁化强度的跃变规律亦支持该结论,从而显示出该模型在随机点阵上的相变行为与正方点阵的已有结果的相似性。
在三维随机格点阵上对三态矢量Potts模型进行了Monte Carlo数值模拟,构造了N×N×N(N=8,10,12)三种不同大小点阵,分别计算了该自旋系统的能量密度、磁化强度、比热和磁化率等的温度曲线。结果表明该自旋系统在β6≈0.16处存在着能表征一阶Z(3)对称破缺相变的能量热滞图和比热陡峰,磁化强度的跃变规律亦支持该结论,从而显示出该模型在随机点阵上的相变行为与正方点阵的已有结果的相似性。
1992, 41(7): 1167-1173.
doi: 10.7498/aps.41.1167
摘要:
包钴型γ-Fe2O3磁粉的矫顽力可比原γ-Fe2O3磁粉提高8000—32000A/m。木文研究探讨了两种包钴型γ-Fe2O3磁粉(包钴γ-Fe2O3和包钴包亚铁γ-Fe2O3)的单轴各向异性的起源和矫顽力增大的机制。包钴γ-Fe2O3磁粉矫顽力
包钴型γ-Fe2O3磁粉的矫顽力可比原γ-Fe2O3磁粉提高8000—32000A/m。木文研究探讨了两种包钴型γ-Fe2O3磁粉(包钴γ-Fe2O3和包钴包亚铁γ-Fe2O3)的单轴各向异性的起源和矫顽力增大的机制。包钴γ-Fe2O3磁粉矫顽力
1992, 41(7): 1174-1181.
doi: 10.7498/aps.41.1174
摘要:
本文提出一个计算Ni2+—6X-络合物g因子的双自旋-轨道耦合系数模型,并用以计算NaCl:Ni2+和NaBr:Ni2+的g因子。计算中采用了一种半经验方法来确定分子轨道系数。结果表明,对Br-或I-这类具有大的自旋-轨道耦合系数的配体离子,配体自旋-轨道耦合作用对g因子的贡献不可忽略。这表明,对某些共价晶体,g因子的计算必须用双自旋-轨道耦合系数模型的理论公式而不能用只包括
本文提出一个计算Ni2+—6X-络合物g因子的双自旋-轨道耦合系数模型,并用以计算NaCl:Ni2+和NaBr:Ni2+的g因子。计算中采用了一种半经验方法来确定分子轨道系数。结果表明,对Br-或I-这类具有大的自旋-轨道耦合系数的配体离子,配体自旋-轨道耦合作用对g因子的贡献不可忽略。这表明,对某些共价晶体,g因子的计算必须用双自旋-轨道耦合系数模型的理论公式而不能用只包括
1992, 41(7): 1182-1186.
doi: 10.7498/aps.41.1182
摘要:
用无铅助熔剂法生长了掺铟的铋钙钒铁石榴石(Bi3-2xCa2xFe5-x-yInyVxO12单晶,采用本文所述的助熔剂,均长出了线度在10mm以上的晶粒完整、包容物很少的高质单晶。选用x=0.90,y=0.12的单晶,在0.7—2.2μm波长范围内测量了法拉第磁光旋转角θF和光吸收系数α。我们的结果表明无铅In-BCVIG单晶是磁光优值(M=(│θ
用无铅助熔剂法生长了掺铟的铋钙钒铁石榴石(Bi3-2xCa2xFe5-x-yInyVxO12单晶,采用本文所述的助熔剂,均长出了线度在10mm以上的晶粒完整、包容物很少的高质单晶。选用x=0.90,y=0.12的单晶,在0.7—2.2μm波长范围内测量了法拉第磁光旋转角θF和光吸收系数α。我们的结果表明无铅In-BCVIG单晶是磁光优值(M=(│θ
1992, 41(7): 1187-1195.
doi: 10.7498/aps.41.1187
摘要:
本文在考虑群速度色散(GVD)、受激喇曼散射(SRS)、自相位调制(SPM)、交叉相位调制(XPM)及光纤损耗同时作用的条件下,建立了关于单模光纤中喇曼类孤子的理论计算模型。通过模拟计算Gouveia-neto等人的实验,得到了84fs的喇曼类孤子脉冲,与其实验结果基本一致,并给出了喇曼类孤子脉冲形成过程的图象和新见解。
本文在考虑群速度色散(GVD)、受激喇曼散射(SRS)、自相位调制(SPM)、交叉相位调制(XPM)及光纤损耗同时作用的条件下,建立了关于单模光纤中喇曼类孤子的理论计算模型。通过模拟计算Gouveia-neto等人的实验,得到了84fs的喇曼类孤子脉冲,与其实验结果基本一致,并给出了喇曼类孤子脉冲形成过程的图象和新见解。
1992, 41(7): 1196-1203.
doi: 10.7498/aps.41.1196
摘要:
本文报道了2,2′菁染料的J聚集体吸附于银胶体的表面增强基频和高阶线性Raman散射效应,分析了基频和高阶线性Raman光谱随染料溶液浓度的变化关系。结果表明,J聚集体分子在银胶体表面具有一个稳定的吸附结构,且侧立吸附于表面,一些低波数振动模式起因于J聚集体分子。高阶线性Raman散射的增强与J聚集体分子的性质有关。
本文报道了2,2′菁染料的J聚集体吸附于银胶体的表面增强基频和高阶线性Raman散射效应,分析了基频和高阶线性Raman光谱随染料溶液浓度的变化关系。结果表明,J聚集体分子在银胶体表面具有一个稳定的吸附结构,且侧立吸附于表面,一些低波数振动模式起因于J聚集体分子。高阶线性Raman散射的增强与J聚集体分子的性质有关。
1992, 41(7): 1204-1207.
doi: 10.7498/aps.41.1204
摘要:
研究发观CuPcLB薄膜和粗糙的InP表面之间存在着相互作用。这种相互作用对吡咯的CN伸缩的正则振动模影响较强。除此之外,还研究了处在室温和液氮温度下分别吸附于Au和InP表面上的CuPcLB膜的X射线衍射谱,发现CuPcLB膜在低温下发生了可逆的结构相变。
研究发观CuPcLB薄膜和粗糙的InP表面之间存在着相互作用。这种相互作用对吡咯的CN伸缩的正则振动模影响较强。除此之外,还研究了处在室温和液氮温度下分别吸附于Au和InP表面上的CuPcLB膜的X射线衍射谱,发现CuPcLB膜在低温下发生了可逆的结构相变。
1992, 41(7): 1208-1212.
doi: 10.7498/aps.41.1208
摘要:
用SnCl4对天然丝光沸石进行阳离子交换,得到Sn4+沸石,经70—1000℃温度范围内热处理后,用Mssbauer谱、X射线衍射、红外吸收光谱研究Sn4+阳离子在沸石结构中位置随温度的变化,给出Sn4+阳离子处在沸石骨架结构的主孔道内。随着热处理温度升高,沸石水逐渐脱出,Sn4+阳离子从主孔道中央移向侧壁,相应的四极分裂值随温度升高而增大,同时以SnO2形态存在的成分含量随
用SnCl4对天然丝光沸石进行阳离子交换,得到Sn4+沸石,经70—1000℃温度范围内热处理后,用Mssbauer谱、X射线衍射、红外吸收光谱研究Sn4+阳离子在沸石结构中位置随温度的变化,给出Sn4+阳离子处在沸石骨架结构的主孔道内。随着热处理温度升高,沸石水逐渐脱出,Sn4+阳离子从主孔道中央移向侧壁,相应的四极分裂值随温度升高而增大,同时以SnO2形态存在的成分含量随
