1991年 40卷 第11期
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1991, 40(11): 1729-1735.
doi: 10.7498/aps.40.1729
摘要:
本文讨论q-畸变振子系统的解和q-振子代数及其表示的问题,并对|q|=1的情形进行详细的研究。给出SUq(2)及q-振子代数(记为Hq(4)之间的联系。给出单q-振子系统的解,并指出它与普通仲费密振子之间的类似行为,对行为类似于1,2,3阶仲费密子的q-振子系统进行了尤为详细的讨论。最后,研究Hq(4)的表示及其性质,并简单地讨论q-畸变振子的链模型的解。
本文讨论q-畸变振子系统的解和q-振子代数及其表示的问题,并对|q|=1的情形进行详细的研究。给出SUq(2)及q-振子代数(记为Hq(4)之间的联系。给出单q-振子系统的解,并指出它与普通仲费密振子之间的类似行为,对行为类似于1,2,3阶仲费密子的q-振子系统进行了尤为详细的讨论。最后,研究Hq(4)的表示及其性质,并简单地讨论q-畸变振子的链模型的解。
1991, 40(11): 1736-1740.
doi: 10.7498/aps.40.1736
摘要:
本文计算Frish-Hasslecher-Pomeau(缩写为FHP)模型的平均自由程λ。计算表明,当粒子碰撞超过60次后λ趋于常数;当粒子密度为0.25时λ取最小值,对应于雷诺数的最大值。此外,本文还指出FHP模型与分子动力学模型的某些差别。
本文计算Frish-Hasslecher-Pomeau(缩写为FHP)模型的平均自由程λ。计算表明,当粒子碰撞超过60次后λ趋于常数;当粒子密度为0.25时λ取最小值,对应于雷诺数的最大值。此外,本文还指出FHP模型与分子动力学模型的某些差别。
1991, 40(11): 1741-1748.
doi: 10.7498/aps.40.1741
摘要:
在一组新的表象空间中,对轴对称变形核164Er96与166Er98的推转壳模型(CSM)波函数的K结构进行了分析,随转动角频率ω增大,CSM波函数不再具有单一的K结构,原子核逐渐偏离轴对称,计算表明,164Er96与166Er98的晕带K结构极其相似,但第一激发带的K结构却有较大不同。
在一组新的表象空间中,对轴对称变形核164Er96与166Er98的推转壳模型(CSM)波函数的K结构进行了分析,随转动角频率ω增大,CSM波函数不再具有单一的K结构,原子核逐渐偏离轴对称,计算表明,164Er96与166Er98的晕带K结构极其相似,但第一激发带的K结构却有较大不同。
1991, 40(11): 1749-1754.
doi: 10.7498/aps.40.1749
摘要:
本文从圆极化光场中氢原子Schr?dinger方程的空间平移形式出发,分析修筛库仑势的特点,找出一个小参量,推导出Floquet-Schr?dinger方程的零阶、一阶和二阶近似方程。同时也证明了这种按小参量展开的方法能使循环迭代方法给出正确的结果。最后,通过与前人结果的定性比较,阐明了本文提出的微扰迭代方法的优点。
本文从圆极化光场中氢原子Schr?dinger方程的空间平移形式出发,分析修筛库仑势的特点,找出一个小参量,推导出Floquet-Schr?dinger方程的零阶、一阶和二阶近似方程。同时也证明了这种按小参量展开的方法能使循环迭代方法给出正确的结果。最后,通过与前人结果的定性比较,阐明了本文提出的微扰迭代方法的优点。
1991, 40(11): 1755-1764.
doi: 10.7498/aps.40.1755
摘要:
在考虑入射光的空间和时间分布的基础上,求解原子吸收的超阈值离化(ATI)问题。结果发现,本文模型不仅可以解释随激光强度增大离化谱的低能峰压缩及整个离化由低阶向高阶移动等实验现象,更重要的是解释了在短脉冲情况下表现出来的峰值红移在长脉冲下趋于消失的实验结果。
在考虑入射光的空间和时间分布的基础上,求解原子吸收的超阈值离化(ATI)问题。结果发现,本文模型不仅可以解释随激光强度增大离化谱的低能峰压缩及整个离化由低阶向高阶移动等实验现象,更重要的是解释了在短脉冲情况下表现出来的峰值红移在长脉冲下趋于消失的实验结果。
1991, 40(11): 1765-1770.
doi: 10.7498/aps.40.1765
摘要:
本文叙述了采用线聚焦激光幅照Al靶所产生的高离化态离子的紫外X射线(XUV)谱线。利用Cowan的原子能级程序计算了不同离化态的离子谱线的波长和振子强度gf,辨认出140条离子谱线,其中有82条新谱线。
本文叙述了采用线聚焦激光幅照Al靶所产生的高离化态离子的紫外X射线(XUV)谱线。利用Cowan的原子能级程序计算了不同离化态的离子谱线的波长和振子强度gf,辨认出140条离子谱线,其中有82条新谱线。
1991, 40(11): 1771-1775.
doi: 10.7498/aps.40.1771
摘要:
本文以能量为0.2—1.2MeV质子轰击稀土元素Tb,Er和Lu的薄靶,测得L亚壳层电离截面及其比值,将其与ECPSSR理论值进行了比较,实验结果与理论符合得较好。
本文以能量为0.2—1.2MeV质子轰击稀土元素Tb,Er和Lu的薄靶,测得L亚壳层电离截面及其比值,将其与ECPSSR理论值进行了比较,实验结果与理论符合得较好。
1991, 40(11): 1776-1785.
doi: 10.7498/aps.40.1776
摘要:
本文在考虑探测器位置、大小及形状诸因素后,计算了六极磁铁选态系统的两个性能参数:选择性和有效穿透立体角,讨论了它们与系统各参量之间的关系和改善系统性能的途径,并与以前的理论方法进行了比较。还提出一种用激光诱导荧光(LIF)测量六极磁铁选择性的方法,实验结果与理论值符合得很好。
本文在考虑探测器位置、大小及形状诸因素后,计算了六极磁铁选态系统的两个性能参数:选择性和有效穿透立体角,讨论了它们与系统各参量之间的关系和改善系统性能的途径,并与以前的理论方法进行了比较。还提出一种用激光诱导荧光(LIF)测量六极磁铁选择性的方法,实验结果与理论值符合得很好。
1991, 40(11): 1786-1791.
doi: 10.7498/aps.40.1786
摘要:
本文按照Kukhtarev的光折变理论讨论了在LiNbO3:Fe晶体内自发形成的运动折射率相位栅和由它所引起的强烈的背向光折变散射。
本文按照Kukhtarev的光折变理论讨论了在LiNbO3:Fe晶体内自发形成的运动折射率相位栅和由它所引起的强烈的背向光折变散射。
1991, 40(11): 1792-1798.
doi: 10.7498/aps.40.1792
摘要:
在注入原子的速度v可精确调控的情况,通过选择适当的v,可使腔内原来存在的光场成为振幅压缩态,也可使光子数分布形成若干个高峰。
在注入原子的速度v可精确调控的情况,通过选择适当的v,可使腔内原来存在的光场成为振幅压缩态,也可使光子数分布形成若干个高峰。
1991, 40(11): 1799-1808.
doi: 10.7498/aps.40.1799
摘要:
本文研究通过在激光腔内进行后向非简并四波混频,直接产生压缩态光输出的方案。采用全量子方法的计算表明,输出光具有明显的压缩效应。
本文研究通过在激光腔内进行后向非简并四波混频,直接产生压缩态光输出的方案。采用全量子方法的计算表明,输出光具有明显的压缩效应。
1991, 40(11): 1809-1817.
doi: 10.7498/aps.40.1809
摘要:
本文以空间材料生长为背景,用有限元法研究微重力条件下的浮区单晶生长过程,考虑了表面张力对流与浮区对流的耦合作用,计算了凝固界面形状,结果表明,晶体的生长速度是个重要的影响因素,生长时,单晶-熔体界面比多晶-熔体界面更倾斜;当生长速度超过临界值时,多晶-熔体界面附近的Marangoni涡会分裂出二次涡。
本文以空间材料生长为背景,用有限元法研究微重力条件下的浮区单晶生长过程,考虑了表面张力对流与浮区对流的耦合作用,计算了凝固界面形状,结果表明,晶体的生长速度是个重要的影响因素,生长时,单晶-熔体界面比多晶-熔体界面更倾斜;当生长速度超过临界值时,多晶-熔体界面附近的Marangoni涡会分裂出二次涡。
1991, 40(11): 1818-1826.
doi: 10.7498/aps.40.1818
摘要:
在求一类非线性波方程行波解时,先将有关的非线性常微分方程在其Poincaré相平面上作定性分析,然后再区别情况求积分,从而得到了各式各样的行波解。
在求一类非线性波方程行波解时,先将有关的非线性常微分方程在其Poincaré相平面上作定性分析,然后再区别情况求积分,从而得到了各式各样的行波解。
1991, 40(11): 1827-1832.
doi: 10.7498/aps.40.1827
摘要:
利用样品Au-GaAs/p-Si的肖特基势垒二极管特性和深能级瞬态谱(DCTS),研究Si衬底上分子束外延生长的GaAs异质结的电学特性。I-V特性表明样品有大的漏电流存在,而快速热退火处理则能使样品I-V特性得以改善,并接近半绝缘GaAs(S.I.GaAs)上生长的Au-GaAs/S.I.GaAs样品的特性,它的来源不是热电子发射或产生-复合电流所引起,而可归结于缺陷参与的隧穿机制,它可通过快速热退火处理得以减小。DCTS谱表明在样品中可观察到Ec-0.41eV和Ec-0.57eV两个电子陷阱,前者可能
利用样品Au-GaAs/p-Si的肖特基势垒二极管特性和深能级瞬态谱(DCTS),研究Si衬底上分子束外延生长的GaAs异质结的电学特性。I-V特性表明样品有大的漏电流存在,而快速热退火处理则能使样品I-V特性得以改善,并接近半绝缘GaAs(S.I.GaAs)上生长的Au-GaAs/S.I.GaAs样品的特性,它的来源不是热电子发射或产生-复合电流所引起,而可归结于缺陷参与的隧穿机制,它可通过快速热退火处理得以减小。DCTS谱表明在样品中可观察到Ec-0.41eV和Ec-0.57eV两个电子陷阱,前者可能
1991, 40(11): 1833-1839.
doi: 10.7498/aps.40.1833
摘要:
在已经证明一维无公度系统Aubry模型存在Anderson转变区的基础上,进一步研究转变区与能量的关系。数值结果表明,高能量区本征态的转变区处于势强度V较低的范围,低能量区本征态的转变区处于势强度V较高的范围。
在已经证明一维无公度系统Aubry模型存在Anderson转变区的基础上,进一步研究转变区与能量的关系。数值结果表明,高能量区本征态的转变区处于势强度V较低的范围,低能量区本征态的转变区处于势强度V较高的范围。
1991, 40(11): 1840-1845.
doi: 10.7498/aps.40.1840
摘要:
本文讨论Li,Na,K,Cs在GaAs(110)表面上的吸附,考虑理想表面和弛豫表面两种情况。计算采用集团模型,用电荷自洽的ExtendedHucheltheory(缩写为EHT)方法进行。结果表明,吸附后表面原子趋向于理想位置,碱金属原子位于垂直于表面沿[001]方向横跨表面Ga原子的对称平面上。碱金属吸附后的费密能级在价带顶以上约0.7eV处,是由表面Ga原子与碱金属原子间的相互作用决定的。而在价带中碱金属原子主要与表面As原子成键。
本文讨论Li,Na,K,Cs在GaAs(110)表面上的吸附,考虑理想表面和弛豫表面两种情况。计算采用集团模型,用电荷自洽的ExtendedHucheltheory(缩写为EHT)方法进行。结果表明,吸附后表面原子趋向于理想位置,碱金属原子位于垂直于表面沿[001]方向横跨表面Ga原子的对称平面上。碱金属吸附后的费密能级在价带顶以上约0.7eV处,是由表面Ga原子与碱金属原子间的相互作用决定的。而在价带中碱金属原子主要与表面As原子成键。
1991, 40(11): 1846-1854.
doi: 10.7498/aps.40.1846
摘要:
本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO2膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO2膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果还表明,击穿电流耐量的增大与膜内电子陷阱密度的增大有关。文中提出包括三种恶性循环在内的“低势垒点-电场增强”击穿模型,并考虑氧化气氛中的H2O对击穿特性的影响,引入电子陷阱抑制低势垒点-电场增强的作用,分析T
本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO2膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO2膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果还表明,击穿电流耐量的增大与膜内电子陷阱密度的增大有关。文中提出包括三种恶性循环在内的“低势垒点-电场增强”击穿模型,并考虑氧化气氛中的H2O对击穿特性的影响,引入电子陷阱抑制低势垒点-电场增强的作用,分析T
1991, 40(11): 1855-1861.
doi: 10.7498/aps.40.1855
摘要:
本文研究热氮氧化硅(SiOxNy)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的持续时间和大小(直到8MV/cm)无关,电子陷阱能级是较深的;当样品被氮化的程度较重时,随着对样品氮化时间的进一步增加,膜中的有效电子陷阱表面浓度逐渐减小,电子陷阱能级深度逐渐变浅,被陷电子的释放率逐渐增加,并与外加反向电场和外加反向电场的
本文研究热氮氧化硅(SiOxNy)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的持续时间和大小(直到8MV/cm)无关,电子陷阱能级是较深的;当样品被氮化的程度较重时,随着对样品氮化时间的进一步增加,膜中的有效电子陷阱表面浓度逐渐减小,电子陷阱能级深度逐渐变浅,被陷电子的释放率逐渐增加,并与外加反向电场和外加反向电场的
1991, 40(11): 1862-1868.
doi: 10.7498/aps.40.1862
摘要:
本文用Recursion方法研究Zn局域替代Ba2Cu3O7中的Cu(2)引起的电子结构变化。研究表明,Zn的替代对替代晶位及其近邻的电子结构性质有重要影响。这些性质包括分波态密度、成键态的类别和强弱、晶位上原子的原子价等。计算结果的分析指出,Zn替代将导致电荷发生迁移,使CuO2层层内的空穴减少。我们认为,电荷分布发生的这种变化是Zn低浓度替代时YBa2Cu3O7
本文用Recursion方法研究Zn局域替代Ba2Cu3O7中的Cu(2)引起的电子结构变化。研究表明,Zn的替代对替代晶位及其近邻的电子结构性质有重要影响。这些性质包括分波态密度、成键态的类别和强弱、晶位上原子的原子价等。计算结果的分析指出,Zn替代将导致电荷发生迁移,使CuO2层层内的空穴减少。我们认为,电荷分布发生的这种变化是Zn低浓度替代时YBa2Cu3O7
1991, 40(11): 1869-1874.
doi: 10.7498/aps.40.1869
摘要:
Bi-Sr-Ca-Cu-O系中掺入适量的Sb,其高温相(110K相)含量明显多于不掺Sb样品。Sb具有加速高温相形成的作用。对于各义组分为Bi2-xSbxSr2Ca2.5Cu3.7Oy的样品,x=0.1最有利于高温相的形成。用液氮中淬火后低温回火的方法,发现在865℃烧结时样品中首先形成的是低温相(80K相),然后再逐渐转变为高温相。Tc值随烧结时间的延
Bi-Sr-Ca-Cu-O系中掺入适量的Sb,其高温相(110K相)含量明显多于不掺Sb样品。Sb具有加速高温相形成的作用。对于各义组分为Bi2-xSbxSr2Ca2.5Cu3.7Oy的样品,x=0.1最有利于高温相的形成。用液氮中淬火后低温回火的方法,发现在865℃烧结时样品中首先形成的是低温相(80K相),然后再逐渐转变为高温相。Tc值随烧结时间的延
1991, 40(11): 1875-1878.
doi: 10.7498/aps.40.1875
摘要:
用磁转矩和磁化功方法测定Fe40Ni40P12B8和(Fe0.1CO0.5Ni0.4)78Si6B16非晶态合金带在制备态及退火后的磁各向异性常数。结果表明,用磁转矩方法测定的制备态非晶带中的平面磁各向异性常数,其中大部分是不因退火而改变的,这部分的磁各向异性对合金的技术磁化曲线无明显影响
用磁转矩和磁化功方法测定Fe40Ni40P12B8和(Fe0.1CO0.5Ni0.4)78Si6B16非晶态合金带在制备态及退火后的磁各向异性常数。结果表明,用磁转矩方法测定的制备态非晶带中的平面磁各向异性常数,其中大部分是不因退火而改变的,这部分的磁各向异性对合金的技术磁化曲线无明显影响
1991, 40(11): 1879-1882.
doi: 10.7498/aps.40.1879
摘要:
本文采用慢拉伸与正电子多普勒展宽方法相结合,研究应变速率对正电子S参数与形变量ε变化规律(S-ε曲线)的影响,获得如下结果:1)高纯铁慢拉伸条件下,其S-ε曲线出现不饱和现象,应变速率越小,不饱和现象越明显;2)高纯铁中S-ε曲线随应变速率变化的原因归结于不同应变速率拉伸所产生的位错组态不同;3)高纯铁拉伸变形时,S参数的增加一部份来源于位错,另一部份来源于空位,空位及其聚合物是导致S-ε曲线不饱和的主要原因。
本文采用慢拉伸与正电子多普勒展宽方法相结合,研究应变速率对正电子S参数与形变量ε变化规律(S-ε曲线)的影响,获得如下结果:1)高纯铁慢拉伸条件下,其S-ε曲线出现不饱和现象,应变速率越小,不饱和现象越明显;2)高纯铁中S-ε曲线随应变速率变化的原因归结于不同应变速率拉伸所产生的位错组态不同;3)高纯铁拉伸变形时,S参数的增加一部份来源于位错,另一部份来源于空位,空位及其聚合物是导致S-ε曲线不饱和的主要原因。
1991, 40(11): 1883-1887.
doi: 10.7498/aps.40.1883
摘要:
本文采用正电子湮没的多普勒展宽方法,研究冷轧形变镍中阴极充氢后氢与缺陷的互作用行为。实验结果表明:冷轧镍电解充氢以后其S参数显著上升,S参数上升量的大小取决于试样内部的空位浓度,与位错密度的大小关系不大。由此提出氢与空位互作用形成以氢为核心的空位团的机制,解释了实验中观察到的现象。
本文采用正电子湮没的多普勒展宽方法,研究冷轧形变镍中阴极充氢后氢与缺陷的互作用行为。实验结果表明:冷轧镍电解充氢以后其S参数显著上升,S参数上升量的大小取决于试样内部的空位浓度,与位错密度的大小关系不大。由此提出氢与空位互作用形成以氢为核心的空位团的机制,解释了实验中观察到的现象。
1991, 40(11): 1888-1892.
doi: 10.7498/aps.40.1888
摘要:
在不同K覆盖度的W(100)面上吸附CO的Hel紫外光电子能谱研究表明:α和β态的CO由于K的影响,吸附状态发生改变,与CO分子态(α态)有关的5σ/1π分子轨道能级随K覆盖度的增加,结合能位置从8.6eV移到9.3eV,反映K出现后,衬底对α-CO分子反施的增强。在与CO分解态(β态)有关的谱峰位置上(结合能为5.5eV)出现两个离散的谱峰,一个在6.0eV左右,另一个在5.2eV左右。其中结合能在5.2eV左右的谱峰强度随K的覆盖度增加而增大,它的能量位置与O在K覆盖的W(100)面上吸附时的能级位置
在不同K覆盖度的W(100)面上吸附CO的Hel紫外光电子能谱研究表明:α和β态的CO由于K的影响,吸附状态发生改变,与CO分子态(α态)有关的5σ/1π分子轨道能级随K覆盖度的增加,结合能位置从8.6eV移到9.3eV,反映K出现后,衬底对α-CO分子反施的增强。在与CO分解态(β态)有关的谱峰位置上(结合能为5.5eV)出现两个离散的谱峰,一个在6.0eV左右,另一个在5.2eV左右。其中结合能在5.2eV左右的谱峰强度随K的覆盖度增加而增大,它的能量位置与O在K覆盖的W(100)面上吸附时的能级位置
1991, 40(11): 1893-1986.
doi: 10.7498/aps.40.1893
摘要:
在实验室制得一种四价阳离子导体——锡蒙脱石。样品的穆斯堡尔谱证明迁移锡离子的价态为四价锡离子。锡蒙脱石的电子电导率和交流电导率分别为5.1×10-7和1.5×10-4S/cm。应用于锡锰电池中φ13mm×3mm的片状电池得到1.2V的开路电压和5mA的短路电流。
在实验室制得一种四价阳离子导体——锡蒙脱石。样品的穆斯堡尔谱证明迁移锡离子的价态为四价锡离子。锡蒙脱石的电子电导率和交流电导率分别为5.1×10-7和1.5×10-4S/cm。应用于锡锰电池中φ13mm×3mm的片状电池得到1.2V的开路电压和5mA的短路电流。
