1990年 39卷 第7期
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1990, 39(7): 1-7.
doi: 10.7498/aps.39.1-4
摘要:
本文构造了高亏格紧Riemann面上多极点亚纯λ-微分基的一般表达式,并给出了一般方格上亚纯向量场的代数关系。
本文构造了高亏格紧Riemann面上多极点亚纯λ-微分基的一般表达式,并给出了一般方格上亚纯向量场的代数关系。
1990, 39(7): 8-14.
doi: 10.7498/aps.39.8
摘要:
本文计算了n+1维双sinc-Gordon模型的高斯有效势,在高斯有效势近似下,证明:n≥3的模型是平凡的,ncr=(2n+2π(n+1)/2(α1R+α2R/4)(3-n)/2)/(Γ(1/2(3-n))(α1R+α2R/16)).
本文计算了n+1维双sinc-Gordon模型的高斯有效势,在高斯有效势近似下,证明:n≥3的模型是平凡的,ncr=(2n+2π(n+1)/2(α1R+α2R/4)(3-n)/2)/(Γ(1/2(3-n))(α1R+α2R/16)).
1990, 39(7): 15-18.
doi: 10.7498/aps.39.15
摘要:
本文采用无分岔扩散控制聚集(DLA)模型,利用计算机模拟均匀外场中微小颗粒的不可逆生长过程,发现均匀外场的存在将改变生长集团的标度性质。对在均匀外场中生长的DLA,集团的豪斯道夫维数D与均匀外场F之间存在函数关系:D=2.50F0.37exp(-1.08F)+1。
本文采用无分岔扩散控制聚集(DLA)模型,利用计算机模拟均匀外场中微小颗粒的不可逆生长过程,发现均匀外场的存在将改变生长集团的标度性质。对在均匀外场中生长的DLA,集团的豪斯道夫维数D与均匀外场F之间存在函数关系:D=2.50F0.37exp(-1.08F)+1。
1990, 39(7): 19-27.
doi: 10.7498/aps.39.19-2
摘要:
本文以二维欧氏空间中的扩散控制聚集(DLA)系统的模拟数据为基础,讨论了Muthukumar等人所导出的四个屏蔽长度关系式,指出它们与有限系统的模拟数据存在一定的差距,继而通过对无规行走粒子的聚集过程的分析,导出了一个与模拟数据符合的屏蔽长度关系式,并且从关系式得出,对于足够大的DLA系统,Muthukumar的结论是正确的。
本文以二维欧氏空间中的扩散控制聚集(DLA)系统的模拟数据为基础,讨论了Muthukumar等人所导出的四个屏蔽长度关系式,指出它们与有限系统的模拟数据存在一定的差距,继而通过对无规行走粒子的聚集过程的分析,导出了一个与模拟数据符合的屏蔽长度关系式,并且从关系式得出,对于足够大的DLA系统,Muthukumar的结论是正确的。
1990, 39(7): 28-34.
doi: 10.7498/aps.39.28
摘要:
本文研究了跳跃等待时间分布函数Q(t)～t-α(t→∞,0<α<1)情形下的连续时间无规行走。系统、严格地描述了(0,t)时间中的粒子跳动次数作为时间轴上点集的分形特征(时间分形)。从一个关于粒子跳跃的微观动力学模型出发,从物理上导出了时间分形,明确将α用有关动力学参量表示。本文理论很好地解释了非晶态材料中输运过程的色散现象。
本文研究了跳跃等待时间分布函数Q(t)～t-α(t→∞,0<α<1)情形下的连续时间无规行走。系统、严格地描述了(0,t)时间中的粒子跳动次数作为时间轴上点集的分形特征(时间分形)。从一个关于粒子跳跃的微观动力学模型出发,从物理上导出了时间分形,明确将α用有关动力学参量表示。本文理论很好地解释了非晶态材料中输运过程的色散现象。
1990, 39(7): 35-39.
doi: 10.7498/aps.39.35-2
摘要:
本文提出二分岔理论的抛物线近似处理。由此可看出由不稳导致分岔,分岔致稳,分岔的极限便是混沌等一系列特点。
本文提出二分岔理论的抛物线近似处理。由此可看出由不稳导致分岔,分岔致稳,分岔的极限便是混沌等一系列特点。
1990, 39(7): 40-47.
doi: 10.7498/aps.39.40-2
摘要:
基于文献[5]中我们所获得的本征型光学双稳系统的熵产生表达式,本文证明该系统(光学被动腔)能够很好地满足最小熵产生定理。
基于文献[5]中我们所获得的本征型光学双稳系统的熵产生表达式,本文证明该系统(光学被动腔)能够很好地满足最小熵产生定理。
1990, 39(7): 48-53.
doi: 10.7498/aps.39.48
摘要:
本文报道用激光分步激发技术测定镱的奇宇称自电离谱的实验方法及其结果。文中给出了测得的30余个自电离能级,并与前人用单光子吸收和电子碰撞激发技术等所得的结果进行了比较与分析。
本文报道用激光分步激发技术测定镱的奇宇称自电离谱的实验方法及其结果。文中给出了测得的30余个自电离能级,并与前人用单光子吸收和电子碰撞激发技术等所得的结果进行了比较与分析。
1990, 39(7): 54-58.
doi: 10.7498/aps.39.54-2
摘要:
本文研究了单模光场态｜ψ>=α｜0>+β｜m>(m>2)的高阶压缩,发现当m为偶数时,该态除了不存在二阶压缩外,任意高阶压缩都存在,且高阶压缩并不与反聚束同时出现,由此我们得到一个结论:高阶压缩是独立于二阶压缩与反聚束效应的又一光场非经典效应。
本文研究了单模光场态｜ψ>=α｜0>+β｜m>(m>2)的高阶压缩,发现当m为偶数时,该态除了不存在二阶压缩外,任意高阶压缩都存在,且高阶压缩并不与反聚束同时出现,由此我们得到一个结论:高阶压缩是独立于二阶压缩与反聚束效应的又一光场非经典效应。
1990, 39(7): 59-65.
doi: 10.7498/aps.39.59-2
摘要:
本文提出一种统计数值模拟法,从理论上较严格地研究自发辐射的量子涨落引起的半导体激光相位涨落积累量和模式线宽。结果在单模情况与小信号解析近似的结果一致;在近单模情况,边模使主模线宽略有增加;指出最近有人用Monte-Carlo法对此得出过高估计的原因,并对小讯号解析近似已不适用的次模线宽得出其与功率无关的线宽分量约为100MHz,与实验一致。
本文提出一种统计数值模拟法,从理论上较严格地研究自发辐射的量子涨落引起的半导体激光相位涨落积累量和模式线宽。结果在单模情况与小信号解析近似的结果一致;在近单模情况,边模使主模线宽略有增加;指出最近有人用Monte-Carlo法对此得出过高估计的原因,并对小讯号解析近似已不适用的次模线宽得出其与功率无关的线宽分量约为100MHz,与实验一致。
1990, 39(7): 66-76.
doi: 10.7498/aps.39.66
摘要:
用低能电子衍射研究了ⅢA-VA和ⅡB-VIA化合物(110)和(1010)表面的弛豫,发现当理论计算与实验符合得很好时其结构是:保持表面上A-B键长不变,用一个旋转角ω,使B原(离)子向外移动,A原(离)子向内移动,第一表面原子层间距d1=0.610-0.810?[对ⅢA-VA(110)],0.536—0.825?[对ⅡB-VIA(110)]和0.633-1.060?[对ⅡB-VIA(1010),第二表面原子层间距d2=1.300-1.610?[对ⅢA-VA(100)],1.430-1.700?[对ⅡB-VIA(110)]和0.820-0.930?[对ⅡB-VIA(1010),而第三表面原子层间距d3=1.410-2.440?[对ⅢA-VA(110)],2.020-2.250?[对ⅡB-VIA(110)]和1.910-2.440?[对ⅡB-VIA(1010)]。对此结构,弛豫率α是:0.24±0.02[对ⅢA-VA(110)],0.25±0.02[对ⅡB-VIA(1010)]和0.33±0.03[对ⅡB-VIA(1010)]。
用低能电子衍射研究了ⅢA-VA和ⅡB-VIA化合物(110)和(1010)表面的弛豫,发现当理论计算与实验符合得很好时其结构是:保持表面上A-B键长不变,用一个旋转角ω,使B原(离)子向外移动,A原(离)子向内移动,第一表面原子层间距d1=0.610-0.810?[对ⅢA-VA(110)],0.536—0.825?[对ⅡB-VIA(110)]和0.633-1.060?[对ⅡB-VIA(1010),第二表面原子层间距d2=1.300-1.610?[对ⅢA-VA(100)],1.430-1.700?[对ⅡB-VIA(110)]和0.820-0.930?[对ⅡB-VIA(1010),而第三表面原子层间距d3=1.410-2.440?[对ⅢA-VA(110)],2.020-2.250?[对ⅡB-VIA(110)]和1.910-2.440?[对ⅡB-VIA(1010)]。对此结构,弛豫率α是:0.24±0.02[对ⅢA-VA(110)],0.25±0.02[对ⅡB-VIA(1010)]和0.33±0.03[对ⅡB-VIA(1010)]。
1990, 39(7): 77-80.
doi: 10.7498/aps.39.77
摘要:
本文研究了铁中氢与辐照缺陷的相互作用。氢与这些缺陷结合,形成不同类型的氢与缺陷的复合体,在从低温到高温的时效过程中,可以清楚地观察到间隙型位错环(>300℃)、空位型位错环(>450℃)和空洞(520℃)的形成。研究表明,这三种缺陷分别是氢与间隙原子、氢与单个空位、氢与复数个空位等三种复合体聚集而成。
本文研究了铁中氢与辐照缺陷的相互作用。氢与这些缺陷结合,形成不同类型的氢与缺陷的复合体,在从低温到高温的时效过程中,可以清楚地观察到间隙型位错环(>300℃)、空位型位错环(>450℃)和空洞(520℃)的形成。研究表明,这三种缺陷分别是氢与间隙原子、氢与单个空位、氢与复数个空位等三种复合体聚集而成。
1990, 39(7): 81-87.
doi: 10.7498/aps.39.81
摘要:
本文用晶体缺陷规范场方法分析了运动螺型位错的性质,在一定规范条件下求解了螺型位错的动力学方程,得到了匀速运动螺型位错的应力场。在K=μ/s(s为耦合常数)趋于零的情况下,其结果与匀速运动的Volterra螺型位错的应力场形式上是一样的,但螺型位错运动的极限速度是21/2c。在螺型位错速度为零的情况下,其应力场与Volterra螺型位错的应力场完全一样。最后对所得结果进行了讨论。
本文用晶体缺陷规范场方法分析了运动螺型位错的性质,在一定规范条件下求解了螺型位错的动力学方程,得到了匀速运动螺型位错的应力场。在K=μ/s(s为耦合常数)趋于零的情况下,其结果与匀速运动的Volterra螺型位错的应力场形式上是一样的,但螺型位错运动的极限速度是21/2c。在螺型位错速度为零的情况下,其应力场与Volterra螺型位错的应力场完全一样。最后对所得结果进行了讨论。
1990, 39(7): 88-94.
doi: 10.7498/aps.39.88
摘要:
用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p+n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部分。当激光能量密度较小时,硅表面层仅有液态硅层、用I-V,C-V和深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究了p+n结的电学性质,发现在p+n结的n区存在两个缺陷。一个能通过快速热退火,在600℃,60s条件下消失,研究表明可能为空位与杂质的复合体。另一个通过快速热退火不能消失,可能与位错有关。
用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p+n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部分。当激光能量密度较小时,硅表面层仅有液态硅层、用I-V,C-V和深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究了p+n结的电学性质,发现在p+n结的n区存在两个缺陷。一个能通过快速热退火,在600℃,60s条件下消失,研究表明可能为空位与杂质的复合体。另一个通过快速热退火不能消失,可能与位错有关。
1990, 39(7): 95-100.
doi: 10.7498/aps.39.95
摘要:
本文采用时间连续无规行走(CTRW)的分形理论(Fractal),讨论玻璃超声弛豫过程中时间和空间无序对缺陷态激发寿命几率分布和特征弛豫时间的影响,并由此修正红外发散响应(IDR)理论,使其可能解释金属玻璃态超声弛豫现象。
本文采用时间连续无规行走(CTRW)的分形理论(Fractal),讨论玻璃超声弛豫过程中时间和空间无序对缺陷态激发寿命几率分布和特征弛豫时间的影响,并由此修正红外发散响应(IDR)理论,使其可能解释金属玻璃态超声弛豫现象。
1990, 39(7): 101-105.
doi: 10.7498/aps.39.101-2
摘要:
本文用慢加热法和离子束混合法在Ni/Ti双金属层上形成无定形混合相。TEM截面图表明扩散过程导致非晶相形成,Ni为主要扩散元素。实验结果还表明离子束轰击增强了Ni的扩散。
本文用慢加热法和离子束混合法在Ni/Ti双金属层上形成无定形混合相。TEM截面图表明扩散过程导致非晶相形成,Ni为主要扩散元素。实验结果还表明离子束轰击增强了Ni的扩散。
1990, 39(7): 106-111.
doi: 10.7498/aps.39.106
摘要:
在30—150K温度范围内,测量了高纯凝聚态甲烷中的正电子寿命谱随温度的变化。在固态甲烷中,正电子素(简称Ps)在自由体积中形成,形成率为27%。正-正电子素(其符号为o-Ps)的寿命随温度变化的特征可用o-Ps在热激活空位型缺陷中的捕获来说明,且由Ps捕获模型和实验测得的o-Ps寿命求得缺陷激活能Ea=0.10±0.02eV。在液态甲烷中,Ps形成率高达36%,且o-Ps寿命长达5—7ns,这表明液态甲烷中形成了Ps气泡态。我们用经验公式估算了这种气泡的尺寸及其微观表面张力。
在30—150K温度范围内,测量了高纯凝聚态甲烷中的正电子寿命谱随温度的变化。在固态甲烷中,正电子素(简称Ps)在自由体积中形成,形成率为27%。正-正电子素(其符号为o-Ps)的寿命随温度变化的特征可用o-Ps在热激活空位型缺陷中的捕获来说明,且由Ps捕获模型和实验测得的o-Ps寿命求得缺陷激活能Ea=0.10±0.02eV。在液态甲烷中,Ps形成率高达36%,且o-Ps寿命长达5—7ns,这表明液态甲烷中形成了Ps气泡态。我们用经验公式估算了这种气泡的尺寸及其微观表面张力。
1990, 39(7): 112-118.
doi: 10.7498/aps.39.112
摘要:
本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×1014/cm2P2+和90KeV,2×1014/cm2P+注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P2+,P+注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P2+和P+在硅中引入不同的损伤造成的。P+注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。
本文以时间分辨的反射率测量结合背散射和沟道分析、透射电子显微镜分析,比较和研究了在77K温度下180keV,1×1014/cm2P2+和90KeV,2×1014/cm2P+注入硅于550℃退火时的固相外延过程。发现了P2+,P+注入硅样品的固相外延过程具有不同的特征。这种差异是由于P2+和P+在硅中引入不同的损伤造成的。P+注入的硅样品测量得到的时间分辨的反射谱是反常的。这种反常谱可用样品退火时从表面层到非晶硅层与从衬底到非晶硅层的双向外延的过程给出满意的解释。
1990, 39(7): 127-133.
doi: 10.7498/aps.39.127
摘要:
钛膜在10-7Torr真空中用电子束蒸发沉积在硅单晶片上,以快速热退火方式进行团相反应。转靶X射线衍射分析发现,540—600℃退火后,有两个亚稳相Ti5Si4的衍射峰。延长退火时间,第一成核相Ti5Si4可持续存在到钛被消耗完,随即转变成稳定相TiSi2。退火温度高于640℃,形成稳定相TiSi2。薄层电阻和喇曼散射的测量研究结果表明,与X射线衍射有很好的对应。207和244cm-1波数处的两个喇曼峰为TiSi2的特征喇曼峰,而270,297和341cm-1的三个喇曼峰似乎是由Ti5Si4引起。
钛膜在10-7Torr真空中用电子束蒸发沉积在硅单晶片上,以快速热退火方式进行团相反应。转靶X射线衍射分析发现,540—600℃退火后,有两个亚稳相Ti5Si4的衍射峰。延长退火时间,第一成核相Ti5Si4可持续存在到钛被消耗完,随即转变成稳定相TiSi2。退火温度高于640℃,形成稳定相TiSi2。薄层电阻和喇曼散射的测量研究结果表明,与X射线衍射有很好的对应。207和244cm-1波数处的两个喇曼峰为TiSi2的特征喇曼峰,而270,297和341cm-1的三个喇曼峰似乎是由Ti5Si4引起。
1990, 39(7): 158-162.
doi: 10.7498/aps.39.158-2
摘要:
本文计算了cis-[PtDMBA(ClCH2CO2)2]晶体的双相角结构不变量ψ2=ψH+ψH,统计了其值为负时ψ2随|E|的分布情况。对该晶体的计算结果表明,对于具有实际意义的较大|E|值的ψ2,都能用Hauptman概率式给出可靠的符号估计。五个柯卡因及其衍生物晶体的结果也支持这一结论。
本文计算了cis-[PtDMBA(ClCH2CO2)2]晶体的双相角结构不变量ψ2=ψH+ψH,统计了其值为负时ψ2随|E|的分布情况。对该晶体的计算结果表明,对于具有实际意义的较大|E|值的ψ2,都能用Hauptman概率式给出可靠的符号估计。五个柯卡因及其衍生物晶体的结果也支持这一结论。
1990, 39(7): 163-166.
doi: 10.7498/aps.39.163-2
摘要:
本文讨论非奇性球对称黑洞的动力学行为,指出这种黑洞是不稳定的。它不可能通过经典动力学过程产生,而只能以量子跃迁的方式形成。一旦遇微小扰动,它将塌缩而形成通常的奇性Schwarzschild黑洞。
本文讨论非奇性球对称黑洞的动力学行为,指出这种黑洞是不稳定的。它不可能通过经典动力学过程产生,而只能以量子跃迁的方式形成。一旦遇微小扰动,它将塌缩而形成通常的奇性Schwarzschild黑洞。
