1987年 36卷 第7期
1987, 36(7): 829-837.
doi: 10.7498/aps.36.829
摘要:
利用椭偏反射光谱不但验证了Si-SiO2界面是一祖糙面,而且在恰当的模拟形貌下,把这界面粗糙层等效为若干子层,用有效介质理论处理。分别得到各自的介电特性。通过多相椭偏光反射光谱的理论计算值ψcal,△cal与实验值ψexp,△exp的比较,把粗糙的高度H及相关长度L确定,把不同条件下制备的样品的粗糙度和它们的电气性能相对比,发现两者之间的趋势十分一致。同时发现,在界面上Si的介电常数具有轻度的各向异性。
利用椭偏反射光谱不但验证了Si-SiO2界面是一祖糙面,而且在恰当的模拟形貌下,把这界面粗糙层等效为若干子层,用有效介质理论处理。分别得到各自的介电特性。通过多相椭偏光反射光谱的理论计算值ψcal,△cal与实验值ψexp,△exp的比较,把粗糙的高度H及相关长度L确定,把不同条件下制备的样品的粗糙度和它们的电气性能相对比,发现两者之间的趋势十分一致。同时发现,在界面上Si的介电常数具有轻度的各向异性。
1987, 36(7): 838-846.
doi: 10.7498/aps.36.838
摘要:
本文提出了一个用于解释介质膜击穿全过程的新模型。在本模型中,整个击穿过程主要包含两个机构,一个是本征型的雪崩击穿,另一个是引起膜的破坏性击穿的丝状热传递。理论分析及有关的实验结果表明,本征击穿的电场强度主要取决于介质膜的带隙宽度及膜的厚度,而丝状热传递主要决定于膜的质量,特别是膜中的缺陷。文中简要讨论了膜的物理性质、工艺及测试条件对击穿的影响。
本文提出了一个用于解释介质膜击穿全过程的新模型。在本模型中,整个击穿过程主要包含两个机构,一个是本征型的雪崩击穿,另一个是引起膜的破坏性击穿的丝状热传递。理论分析及有关的实验结果表明,本征击穿的电场强度主要取决于介质膜的带隙宽度及膜的厚度,而丝状热传递主要决定于膜的质量,特别是膜中的缺陷。文中简要讨论了膜的物理性质、工艺及测试条件对击穿的影响。
1987, 36(7): 847-854.
doi: 10.7498/aps.36.847
摘要:
固态相变中相界面或畴界面的平均运动速度V与有效相变驱动力△G＇(相变驱动力△G与相界面运动阻力△GR之差)之间的关系可表示为V=φ(△G—△GR)。当有单向变化的外场(场强为ξ,变化速率为ξ)作用于相变系统并能诱导相界面运动时,就会产生母相/新相间的转变。在相变过程中同时叠加一个交变应力时,则可计算得界面动力学关系V=φ(△G—△GR)与相变过程内耗Q-1、相关的模量亏损(△M/M)、相变速率dF/dξ、相变应变ε0间的关系为 [d lnφ(△G-△GR)/d(△G-△GR)]= Q-1ω/n2M(dF/dξ)ξ = (△M/M)ω/nMε0(dF/dξ)ξ, 以及 (△M/M)/Q-1=ε0/n。此处ω为交变应力的圆频率,M为与振动模式有关的弹性模量,n为应力与界面运动的耦合因子。因此,界面动力学关系式的通解为 V = ∑(±n)/(α≠-1) Aα exp{[(△G-△GR)/△Gα*]α+ 1/(α+ 1)} +∑(m)/(β0) Aβ[(△G-△GR)/△Gβ*]β 此处n,m为正整数。上式中的各项参数可由实验数据确定。此外,(△M/M)/Q-1的等式还可用于判别相变过程的模量亏损中有无声子模软化的贡献。
固态相变中相界面或畴界面的平均运动速度V与有效相变驱动力△G＇(相变驱动力△G与相界面运动阻力△GR之差)之间的关系可表示为V=φ(△G—△GR)。当有单向变化的外场(场强为ξ,变化速率为ξ)作用于相变系统并能诱导相界面运动时,就会产生母相/新相间的转变。在相变过程中同时叠加一个交变应力时,则可计算得界面动力学关系V=φ(△G—△GR)与相变过程内耗Q-1、相关的模量亏损(△M/M)、相变速率dF/dξ、相变应变ε0间的关系为 [d lnφ(△G-△GR)/d(△G-△GR)]= Q-1ω/n2M(dF/dξ)ξ = (△M/M)ω/nMε0(dF/dξ)ξ, 以及 (△M/M)/Q-1=ε0/n。此处ω为交变应力的圆频率,M为与振动模式有关的弹性模量,n为应力与界面运动的耦合因子。因此,界面动力学关系式的通解为 V = ∑(±n)/(α≠-1) Aα exp{[(△G-△GR)/△Gα*]α+ 1/(α+ 1)} +∑(m)/(β0) Aβ[(△G-△GR)/△Gβ*]β 此处n,m为正整数。上式中的各项参数可由实验数据确定。此外,(△M/M)/Q-1的等式还可用于判别相变过程的模量亏损中有无声子模软化的贡献。
1987, 36(7): 855-861.
doi: 10.7498/aps.36.855
摘要:
在文献[1]关于工业纯铝研究的基础上,研究了工业纯铜在不同条件下蠕变过程中晶界内耗峰的变化,蠕变条件分为三类:(a)较高温度、较低应力;(b)中等温度、中等应力;(c)较低温度、较高应力;使试样分别发生晶间型、混合型和穿晶型的断裂。由晶界内耗峰的变化可以推知:在较高温度、较低应力的蠕变过程中,晶界强度变化不大;在中等温度、中等应力的蠕变过程中,晶界强度有一定程度的提高;在较低温度、较高应力的蠕变过程中,晶界强度则有比较显著的提高。这说明,在蠕变过程中,晶界强度是变化着的,在不同的蠕变条件下,晶界强化的程度不同,最终导致了不同类型的蠕变断裂。这对于“等强温度”概念是一个修正和补充。
在文献[1]关于工业纯铝研究的基础上,研究了工业纯铜在不同条件下蠕变过程中晶界内耗峰的变化,蠕变条件分为三类:(a)较高温度、较低应力;(b)中等温度、中等应力;(c)较低温度、较高应力;使试样分别发生晶间型、混合型和穿晶型的断裂。由晶界内耗峰的变化可以推知:在较高温度、较低应力的蠕变过程中,晶界强度变化不大;在中等温度、中等应力的蠕变过程中,晶界强度有一定程度的提高;在较低温度、较高应力的蠕变过程中,晶界强度则有比较显著的提高。这说明,在蠕变过程中,晶界强度是变化着的,在不同的蠕变条件下,晶界强化的程度不同,最终导致了不同类型的蠕变断裂。这对于“等强温度”概念是一个修正和补充。
1987, 36(7): 862-869.
doi: 10.7498/aps.36.862
摘要:
本文用排水法测量了TiFe+La及TiFe+Mm合金的贮氢量及坪台曲线。研究La及Mm对TiFe合金活化性能的影响。实验结果表明,当TiFe合金中的La或Mm含量大于4wt％时,就可以使合金的活化性能大为改善,使之在室温附近活化。La或Mm并没有进入TiFe晶格,它以第二相出现在合金中。La或Mm主要起纯化TiFe合金的作用。吸氢机制仍取决于TiFe金属间化合物。此外,我们还根据Miedema公式计算了TiFeLayH1.0的形成焓,并与实验值作了比较。
本文用排水法测量了TiFe+La及TiFe+Mm合金的贮氢量及坪台曲线。研究La及Mm对TiFe合金活化性能的影响。实验结果表明,当TiFe合金中的La或Mm含量大于4wt％时,就可以使合金的活化性能大为改善,使之在室温附近活化。La或Mm并没有进入TiFe晶格,它以第二相出现在合金中。La或Mm主要起纯化TiFe合金的作用。吸氢机制仍取决于TiFe金属间化合物。此外,我们还根据Miedema公式计算了TiFeLayH1.0的形成焓,并与实验值作了比较。
1987, 36(7): 870-880.
doi: 10.7498/aps.36.870
摘要:
由相对论回旋动力论方程出发,推导出弱相对论非均匀等离子体的普遍色散关系。该色散关系可以适用于任意的磁场位形和任意有限频率。在色散关系中把带有速度平方项分母的奇异积分用等离子体漂移色散函数解析地表示出来,从而可以把这一结果用于较系统地解析或半解析地研究由弱相对论效应,磁场的梯度和曲率,回旋频移等共振驱动的各种微观不稳定性的性质。由于推导时考虑了温度各向异性的麦氏分布函数,因而可以直接推广并应用到损失锥非平衡分布的情况。文中还演示了它在低杂漂移不稳定性研究中的应用。由该色散关系出发,可以简捷并系统地得到Drake等人的结果。
由相对论回旋动力论方程出发,推导出弱相对论非均匀等离子体的普遍色散关系。该色散关系可以适用于任意的磁场位形和任意有限频率。在色散关系中把带有速度平方项分母的奇异积分用等离子体漂移色散函数解析地表示出来,从而可以把这一结果用于较系统地解析或半解析地研究由弱相对论效应,磁场的梯度和曲率,回旋频移等共振驱动的各种微观不稳定性的性质。由于推导时考虑了温度各向异性的麦氏分布函数,因而可以直接推广并应用到损失锥非平衡分布的情况。文中还演示了它在低杂漂移不稳定性研究中的应用。由该色散关系出发,可以简捷并系统地得到Drake等人的结果。
1987, 36(7): 881-891.
doi: 10.7498/aps.36.881
摘要:
在低杂波驱动电流的托卡马克装置中,波还将驱动径向共振电子流。这种径向流由共振电子径向平均流和共振电子径向扩散流两部分组成。它们主要联系于波电场的角向分量、在驱动电流的弛豫过程中,两种径向流的强度分别以不同的方式发生显著变化,径向流对波的纵向相速度与电子热速度的比值极为敏感,在低相速情形有较高的径向通量,可对等离子体的行为发生重要影响。
在低杂波驱动电流的托卡马克装置中,波还将驱动径向共振电子流。这种径向流由共振电子径向平均流和共振电子径向扩散流两部分组成。它们主要联系于波电场的角向分量、在驱动电流的弛豫过程中,两种径向流的强度分别以不同的方式发生显著变化,径向流对波的纵向相速度与电子热速度的比值极为敏感,在低相速情形有较高的径向通量,可对等离子体的行为发生重要影响。
1987, 36(7): 892-901.
doi: 10.7498/aps.36.892
摘要:
本文讨论两种典型的价涨落化合物——SmB6和SmS——的基态性质。由于Sm离子上的定域的直接d-f杂化被反演对称性禁戒,本文采用声子中介的定域的非直接d-f杂化模型。采用正则变换方法处理声子中介的d-f杂化项,得到一个“小极化子”类型的有效哈密顿量。应用自洽场近似处理这个有效哈密顿量,得出基态时的非零能隙和f能级的非整数占有数。这些结果可用以解释在SmB6和SmS中观察到的小能隙和价涨落现象。
本文讨论两种典型的价涨落化合物——SmB6和SmS——的基态性质。由于Sm离子上的定域的直接d-f杂化被反演对称性禁戒,本文采用声子中介的定域的非直接d-f杂化模型。采用正则变换方法处理声子中介的d-f杂化项,得到一个“小极化子”类型的有效哈密顿量。应用自洽场近似处理这个有效哈密顿量,得出基态时的非零能隙和f能级的非整数占有数。这些结果可用以解释在SmB6和SmS中观察到的小能隙和价涨落现象。
1987, 36(7): 902-908.
doi: 10.7498/aps.36.902
摘要:
在室温下和4.2K下测定了非晶Fe80B20-xMx合金(M=P,C)的穆斯堡尔吸收谱。利用分布参数拟合程序得到了超精细内场Hi和同质异能移IS同类金属成份的变化关系。利用这些结果考察了非晶合金的微观结构,比较了两类结构模型:Bernal-Polk模型和微晶模型。对比非晶合金和它们的相应晶相的行为得知,这类非晶合金中不存在微晶近程序,Bernal-Polk模型对描述TM-M类非晶合金的微观结构优于微晶模型。
在室温下和4.2K下测定了非晶Fe80B20-xMx合金(M=P,C)的穆斯堡尔吸收谱。利用分布参数拟合程序得到了超精细内场Hi和同质异能移IS同类金属成份的变化关系。利用这些结果考察了非晶合金的微观结构,比较了两类结构模型:Bernal-Polk模型和微晶模型。对比非晶合金和它们的相应晶相的行为得知,这类非晶合金中不存在微晶近程序,Bernal-Polk模型对描述TM-M类非晶合金的微观结构优于微晶模型。
1987, 36(7): 909-914.
doi: 10.7498/aps.36.909
摘要:
利用数值模拟方法研究了非线性环形光学腔中的Ikeda方程,发现:长延时下,分岔图的拓扑结构、分岔方式、收敛速率以及周期窗口的结构都随参数B,φ0的取值不同而异。短延时下,通过适当近似,将Ikeda方程化为带有一定记亿效应的迭代映象,所得到的近似系统显示出非倍周期分岔行为,并伴有一些奇特的周期窗口,混沌区中的无限嵌套的自相似结构变得模糊,不易分辨。
利用数值模拟方法研究了非线性环形光学腔中的Ikeda方程,发现:长延时下,分岔图的拓扑结构、分岔方式、收敛速率以及周期窗口的结构都随参数B,φ0的取值不同而异。短延时下,通过适当近似,将Ikeda方程化为带有一定记亿效应的迭代映象,所得到的近似系统显示出非倍周期分岔行为,并伴有一些奇特的周期窗口,混沌区中的无限嵌套的自相似结构变得模糊,不易分辨。
1987, 36(7): 915-923.
doi: 10.7498/aps.36.915
摘要:
本文采用周期Anderson哈密顿量研究了稀土和锕系化合物中的重费密子行为。对f电子间库仑关联项做了平均场近似并引入自能项反映多体作用的效应。对自能项采用了单格位近似,在准粒子表象中讨论了系统的性质,通过对f电子平均占据数的自洽计算,得到了准粒子有效质量,讨论了形成重费密子的条件,以及相应的磁性的变化,并做了数值计算。所得结果与最近的实验进行了比较。
本文采用周期Anderson哈密顿量研究了稀土和锕系化合物中的重费密子行为。对f电子间库仑关联项做了平均场近似并引入自能项反映多体作用的效应。对自能项采用了单格位近似,在准粒子表象中讨论了系统的性质,通过对f电子平均占据数的自洽计算,得到了准粒子有效质量,讨论了形成重费密子的条件,以及相应的磁性的变化,并做了数值计算。所得结果与最近的实验进行了比较。
1987, 36(7): 924-929.
doi: 10.7498/aps.36.924
摘要:
本文利用X射线衍射,扫描电子显微镜和电阻温度关系的测量,研究了非晶Ge/晶态Ag迭层膜的退火行为。低温电阻的测量温区为80—300K,同时给出了室温电阻和退火温度的关系,实验发现一个新的互扩散现象:随着退火温度的升高,Ge不断晶化,同时,部分Ge由于扩散而溶于Ag中,退火温度再升高,扩散到Ag中的Ge又重新析出,利用电阻变化估算出Ge/Ag互扩散的激活能为0.15eV。本文还讨论了退火过程中各结构下的输运性质。
本文利用X射线衍射,扫描电子显微镜和电阻温度关系的测量,研究了非晶Ge/晶态Ag迭层膜的退火行为。低温电阻的测量温区为80—300K,同时给出了室温电阻和退火温度的关系,实验发现一个新的互扩散现象:随着退火温度的升高,Ge不断晶化,同时,部分Ge由于扩散而溶于Ag中,退火温度再升高,扩散到Ag中的Ge又重新析出,利用电阻变化估算出Ge/Ag互扩散的激活能为0.15eV。本文还讨论了退火过程中各结构下的输运性质。
1987, 36(7): 930-934.
doi: 10.7498/aps.36.930
摘要:
本文给出了在Ernst场方程的解空间上的一种新变换,并且研究了这种变换与Ernst场方程解之间的关系。证明了在这种变换下,Ernst场方程是不变的,即由我们的这种变换可产生Ernst场方程的新解。最后还讨论了这种变换与Virasoro代数的关系。
本文给出了在Ernst场方程的解空间上的一种新变换,并且研究了这种变换与Ernst场方程解之间的关系。证明了在这种变换下,Ernst场方程是不变的,即由我们的这种变换可产生Ernst场方程的新解。最后还讨论了这种变换与Virasoro代数的关系。
1987, 36(7): 935-939.
doi: 10.7498/aps.36.935
摘要:
在对称规范势下,给出了二维电子在强磁场中运动的波函数的一般解析形式。通过对两个无相互作用电子体系的讨论,推出了两种不同表象中波函数的变换关系。这一变换关系对考虑电子间的相互作用很有帮助。
在对称规范势下,给出了二维电子在强磁场中运动的波函数的一般解析形式。通过对两个无相互作用电子体系的讨论,推出了两种不同表象中波函数的变换关系。这一变换关系对考虑电子间的相互作用很有帮助。
1987, 36(7): 940-944.
doi: 10.7498/aps.36.940
摘要:
本文利用线性回归分析法处理扩散和气相沉积Nb3Sn带材样品以及青铜法多芯Nb3Sn线材样品在高场(22T)下的临界电流测试数据,得到Jc-B曲线和钉扎力随磁场变化的经验规律。该规律与Kramer模型的钉扎力公式不一致,有待提出新的理论模型加以说明。
本文利用线性回归分析法处理扩散和气相沉积Nb3Sn带材样品以及青铜法多芯Nb3Sn线材样品在高场(22T)下的临界电流测试数据,得到Jc-B曲线和钉扎力随磁场变化的经验规律。该规律与Kramer模型的钉扎力公式不一致,有待提出新的理论模型加以说明。
1987, 36(7): 945-950.
doi: 10.7498/aps.36.945
摘要:
本文研究了非易态软磁薄膜Fe90-xCoxZr10的平面霍耳电压及磁阻随磁场方向、成分和温度的变化规律。采用通常的六探针法进行了测量。结果表明平面霍耳电压和磁阻分别满足经验公式Vy=pM2Isin2θ和△ρ=cM2cos2θ;并给出了Vy表达式中的常数项p正比于ρ2。此外,样品Co90Zr10和样品Fe70Co20Zr10晶化前后的Vy变化正好相反,即富钴成分的样品晶化后,Vy增加,而富铁成分的样品Vy下降。
本文研究了非易态软磁薄膜Fe90-xCoxZr10的平面霍耳电压及磁阻随磁场方向、成分和温度的变化规律。采用通常的六探针法进行了测量。结果表明平面霍耳电压和磁阻分别满足经验公式Vy=pM2Isin2θ和△ρ=cM2cos2θ;并给出了Vy表达式中的常数项p正比于ρ2。此外,样品Co90Zr10和样品Fe70Co20Zr10晶化前后的Vy变化正好相反,即富钴成分的样品晶化后,Vy增加,而富铁成分的样品Vy下降。
1987, 36(7): 951-955.
doi: 10.7498/aps.36.951
摘要:
本文测量了抛光球形单晶样品某一晶面内的布里渊散射。从得到的声速各向异性求出Fe:LiNbO3和Cr:LiNbO3晶体的全部弹性和压电参数,同纯LiNbO3进行了比较,讨论指出:若干弹性张量组元的正、负号不确定是由坐标系的选择造成的。
本文测量了抛光球形单晶样品某一晶面内的布里渊散射。从得到的声速各向异性求出Fe:LiNbO3和Cr:LiNbO3晶体的全部弹性和压电参数,同纯LiNbO3进行了比较,讨论指出:若干弹性张量组元的正、负号不确定是由坐标系的选择造成的。
1987, 36(7): 956-959.
doi: 10.7498/aps.36.956
摘要:
本文报道Na2O-Al2O3-P7O5系统玻璃中[Al-O-P]-基团的Raman谱。我们把高频峰有规律地移向低波数归结为由[Al-O-P]-基团构成的玻璃网络聚合度下降造成。
本文报道Na2O-Al2O3-P7O5系统玻璃中[Al-O-P]-基团的Raman谱。我们把高频峰有规律地移向低波数归结为由[Al-O-P]-基团构成的玻璃网络聚合度下降造成。
1987, 36(7): 960-964.
doi: 10.7498/aps.36.960
摘要:
用NaI(Tl)晶体闪烁探测器和金硅面垒型半导体探测器,在HT-6B托卡马克装置上对X射线起伏进行了相关测量。观测了硬X射线发射和起伏锯齿波形。实验证实:在2—25kHz频区内的硬X射线起伏也是MHD扰动所致。
用NaI(Tl)晶体闪烁探测器和金硅面垒型半导体探测器,在HT-6B托卡马克装置上对X射线起伏进行了相关测量。观测了硬X射线发射和起伏锯齿波形。实验证实:在2—25kHz频区内的硬X射线起伏也是MHD扰动所致。
