1987年 36卷 第4期
1987, 36(4): 411-418.
doi: 10.7498/aps.36.411
摘要:
本文分析了量子化极限情况下MOS反型层二维电子气(2DEG)定域态电子电导率的频率特性。主要内容:(1)用费密分布函数随频率变化导出了在2DEG两种主要导电过程的频率特性。即向迁移率边激发导电过程电导率σME(ω)和可变程跳跃导电过程电导率σVRH(ω)。发现:σME(ω)和σVRH(ω)是一个复数。(2)说明了σME(ω)有较长时间常数τn,对应一个低频过程。σVRH(ω)有较短时间常数,对应一个高频过程。(3)理论与实验作了比较,拟合结果表明,在实验条件下,向迁移率边Ec激发时间常数τn 3.6×10-6。
本文分析了量子化极限情况下MOS反型层二维电子气(2DEG)定域态电子电导率的频率特性。主要内容:(1)用费密分布函数随频率变化导出了在2DEG两种主要导电过程的频率特性。即向迁移率边激发导电过程电导率σME(ω)和可变程跳跃导电过程电导率σVRH(ω)。发现:σME(ω)和σVRH(ω)是一个复数。(2)说明了σME(ω)有较长时间常数τn,对应一个低频过程。σVRH(ω)有较短时间常数,对应一个高频过程。(3)理论与实验作了比较,拟合结果表明,在实验条件下,向迁移率边Ec激发时间常数τn 3.6×10-6。
1987, 36(4): 419-425.
doi: 10.7498/aps.36.419
摘要:
本文讨论了确定O2中真实电离和电附系数的一种新方法。在O2中加入微量的CO(或H2)或加入少量的CO2,测量其混合气体的表观电离系数和表观电附系数随气体含量的变化,便可分别求得O2的真实电离和电附系数。
本文讨论了确定O2中真实电离和电附系数的一种新方法。在O2中加入微量的CO(或H2)或加入少量的CO2,测量其混合气体的表观电离系数和表观电附系数随气体含量的变化,便可分别求得O2的真实电离和电附系数。
1987, 36(4): 426-435.
doi: 10.7498/aps.36.426
摘要:
将多重散射自洽场方法和多通道量子数亏损理论结合,计算出分子的相互作用自洽势,对分子丰富的高激发态以及相应的连续态——分子的电离通道进行计算和分析,并给出了H2,NO等分子的计算例子。
将多重散射自洽场方法和多通道量子数亏损理论结合,计算出分子的相互作用自洽势,对分子丰富的高激发态以及相应的连续态——分子的电离通道进行计算和分析,并给出了H2,NO等分子的计算例子。
1987, 36(4): 436-443.
doi: 10.7498/aps.36.436
摘要:
本文求得了激光微波双共振抽运碱原子束时基态原子实现最大非均衡分布的条件,这与新近的实验结果相符。分析了影响非均衡分布的机制,如相干囚禁,指出了消除其影响的途径,与双激光抽运对比,讨论了激光微波双共振抽运过程的特点。
本文求得了激光微波双共振抽运碱原子束时基态原子实现最大非均衡分布的条件,这与新近的实验结果相符。分析了影响非均衡分布的机制,如相干囚禁,指出了消除其影响的途径,与双激光抽运对比,讨论了激光微波双共振抽运过程的特点。
1987, 36(4): 444-451.
doi: 10.7498/aps.36.444
摘要:
用分步激发方法及偏振光技术,测定了锶的(5p3/2ns)1(n=13-21)及(5p3/2 nd)3(n=13-24)各自电离谱,在低于5p1/2电离限的(5p3/2ns)1态的实电子激发谱中,出现对应于(5p1/2ns)1及(5p1/2nd)1的畸变峰,畸变峰也出现于(5p3/2nd)3的实电子激发谱中。这说明(5pjns)(5pjnd)自电离系列间存在相互作用。
用分步激发方法及偏振光技术,测定了锶的(5p3/2ns)1(n=13-21)及(5p3/2 nd)3(n=13-24)各自电离谱,在低于5p1/2电离限的(5p3/2ns)1态的实电子激发谱中,出现对应于(5p1/2ns)1及(5p1/2nd)1的畸变峰,畸变峰也出现于(5p3/2nd)3的实电子激发谱中。这说明(5pjns)(5pjnd)自电离系列间存在相互作用。
1987, 36(4): 452-458.
doi: 10.7498/aps.36.452
摘要:
本文研究了脉宽为200ps(FWHM),输出能量为0.1～4J,波长为1.06μm的激光束辐照Rh,Ag和Cu靶激光等离子体发射的自发电流.实验结果发现,激光辐照的焦斑中心位置,峰值电流密度高达107A/cm2。
本文研究了脉宽为200ps(FWHM),输出能量为0.1～4J,波长为1.06μm的激光束辐照Rh,Ag和Cu靶激光等离子体发射的自发电流.实验结果发现,激光辐照的焦斑中心位置,峰值电流密度高达107A/cm2。
1987, 36(4): 459-466.
doi: 10.7498/aps.36.459
摘要:
本文报道了在分子束条件下,用XeCl准分子激光多光子电离乙醛的质谱研究结果。碎片离子强度与进气量之间的线性变化关系表明乙醛的多光子电离(MPI)过程是一个单体反应,揭示了乙醛紫外光解的一些性质。由取得的质谱、质谱中碎片离子强度与激光光强之间的变化关系,以及其乙醛第一单重激发态1(n,π*)的光物理性质,我们提出了母体分子离解——中性碎片电离模型,根据这个模型,可以解释实验结果。
本文报道了在分子束条件下,用XeCl准分子激光多光子电离乙醛的质谱研究结果。碎片离子强度与进气量之间的线性变化关系表明乙醛的多光子电离(MPI)过程是一个单体反应,揭示了乙醛紫外光解的一些性质。由取得的质谱、质谱中碎片离子强度与激光光强之间的变化关系,以及其乙醛第一单重激发态1(n,π*)的光物理性质,我们提出了母体分子离解——中性碎片电离模型,根据这个模型,可以解释实验结果。
1987, 36(4): 467-472.
doi: 10.7498/aps.36.467
摘要:
在Pano自电离理论基础上,用预解算子方法研究了激光诱导自电离共振及光电子的能量分布,得到了光电子能谱上四个峰值的位置和宽度的严格表达式,推导了某一峰消失时光场参数(光强、频率〕和原子参数(自电离宽度、Fano参量q)之间应满足的关系,详细讨论了光场稳定自电离态的问题。
在Pano自电离理论基础上,用预解算子方法研究了激光诱导自电离共振及光电子的能量分布,得到了光电子能谱上四个峰值的位置和宽度的严格表达式,推导了某一峰消失时光场参数(光强、频率〕和原子参数(自电离宽度、Fano参量q)之间应满足的关系,详细讨论了光场稳定自电离态的问题。
1987, 36(4): 473-482.
doi: 10.7498/aps.36.473
摘要:
利用透射扫描电子显微镜和X射线能谱仪,在入射电压V0为40,80,100,120,160和200kV下,测定了从Ge到Sn八种元素薄膜的标识X射线强度比值I(L)/I(K),并结合Cliff-LorimerkXSi因子和它的内插值,扩充了目前仅有的少数几个L系的Cliff-Lorimer因子。为了确定哪个电离截面Q公式最好,比较了利用九种不同Q公式计算出的I(L)/I(K)和我们的实验值I(L)/I(K)。发现两者之间存在着很大的差别。进一步考虑计算强度公式中各物理参量引起的误差后,我们认为上述差别主要来源于不准确的Q公式,而且和实验值符合最好的Fabredela Ripelle的电离截面也需要进行修正。利用我们修正后的Q公式,在V0为100和200kV下,分析了几种已知成分的样品并和EDAX的分析结果进行了比较。结果表明:在不同电压下,利用不同线系K—K,K—L,我们分析结果的误差有显著的降低。
利用透射扫描电子显微镜和X射线能谱仪,在入射电压V0为40,80,100,120,160和200kV下,测定了从Ge到Sn八种元素薄膜的标识X射线强度比值I(L)/I(K),并结合Cliff-LorimerkXSi因子和它的内插值,扩充了目前仅有的少数几个L系的Cliff-Lorimer因子。为了确定哪个电离截面Q公式最好,比较了利用九种不同Q公式计算出的I(L)/I(K)和我们的实验值I(L)/I(K)。发现两者之间存在着很大的差别。进一步考虑计算强度公式中各物理参量引起的误差后,我们认为上述差别主要来源于不准确的Q公式,而且和实验值符合最好的Fabredela Ripelle的电离截面也需要进行修正。利用我们修正后的Q公式,在V0为100和200kV下,分析了几种已知成分的样品并和EDAX的分析结果进行了比较。结果表明:在不同电压下,利用不同线系K—K,K—L,我们分析结果的误差有显著的降低。
1987, 36(4): 483-489.
doi: 10.7498/aps.36.483
摘要:
本文系统研究了(Fe1-xMx)84B16系非晶合金(x=0.02—0.20;M=Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Co,Ni)的晶化温度与组成的关系。晶化温度随M=VIIB,VIB,VB,IVB元素的顺序和x值的增大而提高。M=VIII族(CO,Ni)元素时,晶化温度基本相同,并随x值的增大略有降低。对于被研究的95个Fe基非晶合金,晶化温度在700—825K的约占85％,熔点Tm/晶化温度Tcr约为1/2,在0.42—0.62之间,符合Sakka规则。Fe1-x-yBxSiy的Tcr>Fe1-xBx>Fe1-x-yBxPy。对上述规律性,从组份、扩散、相图以及晶化温度与合金元素外层平均电子浓度/α的关系进行了讨论。
本文系统研究了(Fe1-xMx)84B16系非晶合金(x=0.02—0.20;M=Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Co,Ni)的晶化温度与组成的关系。晶化温度随M=VIIB,VIB,VB,IVB元素的顺序和x值的增大而提高。M=VIII族(CO,Ni)元素时,晶化温度基本相同,并随x值的增大略有降低。对于被研究的95个Fe基非晶合金,晶化温度在700—825K的约占85％,熔点Tm/晶化温度Tcr约为1/2,在0.42—0.62之间,符合Sakka规则。Fe1-x-yBxSiy的Tcr>Fe1-xBx>Fe1-x-yBxPy。对上述规律性,从组份、扩散、相图以及晶化温度与合金元素外层平均电子浓度/α的关系进行了讨论。
1987, 36(4): 490-494.
doi: 10.7498/aps.36.490
摘要:
用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb03晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。
用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb03晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。
1987, 36(4): 495-500.
doi: 10.7498/aps.36.495
摘要:
用UPS和HREELS研究室温下水汽在清洁的和淀积了金属钠的InP(111)表面的吸附。表面淀积了0.3单层金属钠之后,水汽在InP(111)表面的粘附系数显著增加,推测其原因可能与钠原子和表面的磷原子间的电荷转移有关。水汽主要以不分解的分子态形式吸附在表面。在HREELS谱中观察到与P—H键有关的282meV能量损失峰,表明部分水汽可能与淀积在表面的钠原子发生反应或者在表面发生分解。
用UPS和HREELS研究室温下水汽在清洁的和淀积了金属钠的InP(111)表面的吸附。表面淀积了0.3单层金属钠之后,水汽在InP(111)表面的粘附系数显著增加,推测其原因可能与钠原子和表面的磷原子间的电荷转移有关。水汽主要以不分解的分子态形式吸附在表面。在HREELS谱中观察到与P—H键有关的282meV能量损失峰,表明部分水汽可能与淀积在表面的钠原子发生反应或者在表面发生分解。
1987, 36(4): 501-510.
doi: 10.7498/aps.36.501
摘要:
进行了百万大气压下,静水压和非静水压条件下的压力校准,同时观察到金刚石砧容器中红宝石R线红移至830nm处,由校准公式算得对应的压强为5.5Mbar。
进行了百万大气压下,静水压和非静水压条件下的压力校准,同时观察到金刚石砧容器中红宝石R线红移至830nm处,由校准公式算得对应的压强为5.5Mbar。
1987, 36(4): 511-513.
doi: 10.7498/aps.36.511
摘要:
用渗流理论讨论了Ti-Al2O3金属陶瓷的显微结构同宏观电导率的关系,发现渗流模型结果与实验结果是一致的。该Ti-Al2O3金属陶瓷的渗流阈值为(Ti的临界百分含量)ω*=0.16,其临界指数即为三维连续渗流的临界指数值。
用渗流理论讨论了Ti-Al2O3金属陶瓷的显微结构同宏观电导率的关系,发现渗流模型结果与实验结果是一致的。该Ti-Al2O3金属陶瓷的渗流阈值为(Ti的临界百分含量)ω*=0.16,其临界指数即为三维连续渗流的临界指数值。
1987, 36(4): 514-517.
doi: 10.7498/aps.36.514
摘要:
本文用正电子湮没方法研究了作为快离子导体的LiF-LiCl-B2O3,LiF-B2O3新体系。发现正电子湮没的中间成分的强度I2与材料的电导率logσ之间有直线关系。配合湮没线形参数的测定结果,表明在微晶态三元体系LiF-LiCl-B2O3中,微晶与网络之间的晶界空位为锂离子传导提供了更多的导电通道,致使这类材料具有更好的导电性。
本文用正电子湮没方法研究了作为快离子导体的LiF-LiCl-B2O3,LiF-B2O3新体系。发现正电子湮没的中间成分的强度I2与材料的电导率logσ之间有直线关系。配合湮没线形参数的测定结果,表明在微晶态三元体系LiF-LiCl-B2O3中,微晶与网络之间的晶界空位为锂离子传导提供了更多的导电通道,致使这类材料具有更好的导电性。
1987, 36(4): 518-523.
doi: 10.7498/aps.36.518
摘要:
本文报道了非晶态贮氢合金在吸氢前、后两种情况下作X射线散射分析得到的结果。根据对实验得到的径向分布函数RDF(r),简约径向分布函数G(r)的分析,表明吸氢后氢原子主要进入单一由锆原子组成的四面体间隙中,少部分进入由一个镍原子、三个锆原子组成的四面体间隙中;非晶态Ni0.243Zr0.757合金的平均配位数为10.6,内部原子配位情况在吸氢前后没有改变;样品在约20?范围内具有短程有序结构。
本文报道了非晶态贮氢合金在吸氢前、后两种情况下作X射线散射分析得到的结果。根据对实验得到的径向分布函数RDF(r),简约径向分布函数G(r)的分析,表明吸氢后氢原子主要进入单一由锆原子组成的四面体间隙中,少部分进入由一个镍原子、三个锆原子组成的四面体间隙中;非晶态Ni0.243Zr0.757合金的平均配位数为10.6,内部原子配位情况在吸氢前后没有改变;样品在约20?范围内具有短程有序结构。
1987, 36(4): 524-528.
doi: 10.7498/aps.36.524
摘要:
本文对a-Si:H中掺杂和缺陷机制提出了一个多能级模型,并应用了统计物理学的方法计算了a-Si:H的掺杂效率η。所得结果,不仅包括了street等人在此问题的全部讨论,而且还区分了重掺杂与轻掺杂有所不同,轻掺杂时的η与正常情况讨论一致,只有重掺杂时才出现η∝?-1/2规律。
本文对a-Si:H中掺杂和缺陷机制提出了一个多能级模型,并应用了统计物理学的方法计算了a-Si:H的掺杂效率η。所得结果,不仅包括了street等人在此问题的全部讨论,而且还区分了重掺杂与轻掺杂有所不同,轻掺杂时的η与正常情况讨论一致,只有重掺杂时才出现η∝?-1/2规律。
1987, 36(4): 529-532.
doi: 10.7498/aps.36.529
摘要:
根据X射线产量深度分布函数的矩形模型,考虑到样品对X射线的吸收,导出X射线出射强度l的计算公式:l=Mcl0G,其中M为常数,c为被测元素的重量浓度,l0为强度因子,G为校正因子,利用这种方法,计算了不同加速电压条件下不锈钢、铝合金、黄铜、硫化物等不同材料样品的定量分析结果,与化学分析值相比,376个测试数据的标准误差为0.62％。
根据X射线产量深度分布函数的矩形模型,考虑到样品对X射线的吸收,导出X射线出射强度l的计算公式:l=Mcl0G,其中M为常数,c为被测元素的重量浓度,l0为强度因子,G为校正因子,利用这种方法,计算了不同加速电压条件下不锈钢、铝合金、黄铜、硫化物等不同材料样品的定量分析结果,与化学分析值相比,376个测试数据的标准误差为0.62％。
1987, 36(4): 533-539.
doi: 10.7498/aps.36.533
摘要:
在He+离子和Ne原子碰撞过程中,我们发现两种碰撞激发过程,一种是电子俘获激发过程,另一种是直接激发过程。本实验用光学多道分析系统(OMA)对这些过程进行了光学测量,给出了发射截面数据。入射离子实验室能量范围为70—150keV。
在He+离子和Ne原子碰撞过程中,我们发现两种碰撞激发过程,一种是电子俘获激发过程,另一种是直接激发过程。本实验用光学多道分析系统(OMA)对这些过程进行了光学测量,给出了发射截面数据。入射离子实验室能量范围为70—150keV。
1987, 36(4): 540-546.
doi: 10.7498/aps.36.540
摘要:
采用提拉法制备了Gd3Ga5-xAlxO12(以下简称GGAG)单晶,经X射线粉末照相证实为石榴石型单相结构。在T=1.5—77K温区里,场强从45—60000Oe范围内,沿[111]晶轴方向测量了磁化强度和磁化率,并与本文所用钇镓石榴石Gd3Ga5O12(以下简称GGG)和文献[1,2]报道的GGG单晶数据作了比较。实验结果表明:(1)在场强HN远低于1.5K;(2)H>10000Oe时,该材料的磁化强度(或磁化率)比GGG高3—4％;(3)在H～30000Oe时,特定温度Tmin对应的临界场Hc比GGG约高4000Oe。实验研究表明,采用离子代换法寻找新的性能良好的磁致冷剂的途径是可行的。
采用提拉法制备了Gd3Ga5-xAlxO12(以下简称GGAG)单晶,经X射线粉末照相证实为石榴石型单相结构。在T=1.5—77K温区里,场强从45—60000Oe范围内,沿[111]晶轴方向测量了磁化强度和磁化率,并与本文所用钇镓石榴石Gd3Ga5O12(以下简称GGG)和文献[1,2]报道的GGG单晶数据作了比较。实验结果表明:(1)在场强HN远低于1.5K;(2)H>10000Oe时,该材料的磁化强度(或磁化率)比GGG高3—4％;(3)在H～30000Oe时,特定温度Tmin对应的临界场Hc比GGG约高4000Oe。实验研究表明,采用离子代换法寻找新的性能良好的磁致冷剂的途径是可行的。
