1960年 16卷 第2期
1960, 16(2): 61-69.
doi: 10.7498/aps.16.61
摘要:
本文计算了μ介子在He3核上俘获的几率、末态H3核的角分布和极化。所采用的理论是带有重正化效应(包含弱磁矩及赝标项)的V-A普适弱作用理论。在计算中考虑了μ和He3核在始态有极化及处于不同超精细态上的情况。在计算中假定了He3核的基态是纯S态,这时忽略了由张量力以及其他自旋轨道耦合力引起的其他态。介子交换电流的效应也没有考虑。在以上这两个假定下,我们证明了俘获几率中只包含一个未知的原子核矩阵元,这个矩阵元恰好是原子核密度函数的富氏分量。利用μ介子(或电子)与He3(或H3)原子核的散射可以确定这个未知矩阵元。
本文计算了μ介子在He3核上俘获的几率、末态H3核的角分布和极化。所采用的理论是带有重正化效应(包含弱磁矩及赝标项)的V-A普适弱作用理论。在计算中考虑了μ和He3核在始态有极化及处于不同超精细态上的情况。在计算中假定了He3核的基态是纯S态,这时忽略了由张量力以及其他自旋轨道耦合力引起的其他态。介子交换电流的效应也没有考虑。在以上这两个假定下,我们证明了俘获几率中只包含一个未知的原子核矩阵元,这个矩阵元恰好是原子核密度函数的富氏分量。利用μ介子(或电子)与He3(或H3)原子核的散射可以确定这个未知矩阵元。
1960, 16(2): 70-75.
doi: 10.7498/aps.16.70
摘要:
最近的实验有迹象表明,μ俘获中有效赝标量项的符号与从V-A理论用色散关系求得的相反。本文对这个符号的差别提出了一个可能的解释。在本文中指出,汉密顿量中一很小的赝标耦合项(约为有效赝标耦合项的1/100)即能改变有效赝标耦合项的符号。将这一赝标项加以变换,使之成为普适赝矢量电流的一部分,则可证明新添的这一项对β衰变和π→e+v衰变不产生任何可观察的效应,因而不破坏V-A理论的普适性。文章最后讨论了超子对对有效赝标项符号的影响的问题。
最近的实验有迹象表明,μ俘获中有效赝标量项的符号与从V-A理论用色散关系求得的相反。本文对这个符号的差别提出了一个可能的解释。在本文中指出,汉密顿量中一很小的赝标耦合项(约为有效赝标耦合项的1/100)即能改变有效赝标耦合项的符号。将这一赝标项加以变换,使之成为普适赝矢量电流的一部分,则可证明新添的这一项对β衰变和π→e+v衰变不产生任何可观察的效应,因而不破坏V-A理论的普适性。文章最后讨论了超子对对有效赝标项符号的影响的问题。
1960, 16(2): 76-80.
doi: 10.7498/aps.16.76
摘要:
本文利用一简单方法求得μ介子(电子)在自旋为零的原子核上散射时位势的反冲修正项。所求得的位势对原子核的速度准确到一次近似,但对μ介子(电子)的速度没有限制。讨论了反冲效应对相移和截面的修正,所得结果与Foldy等的论文作了比较。
本文利用一简单方法求得μ介子(电子)在自旋为零的原子核上散射时位势的反冲修正项。所求得的位势对原子核的速度准确到一次近似,但对μ介子(电子)的速度没有限制。讨论了反冲效应对相移和截面的修正,所得结果与Foldy等的论文作了比较。
1960, 16(2): 81-85.
doi: 10.7498/aps.16.81
摘要:
本文研究了当利用酸酐类为固化剂时,环氧树脂的固化条件与分子结构的关系,从而导出适当的固化条件。同时在固化过程中,对于分子交联的可能方式也作了讨论。
本文研究了当利用酸酐类为固化剂时,环氧树脂的固化条件与分子结构的关系,从而导出适当的固化条件。同时在固化过程中,对于分子交联的可能方式也作了讨论。
1960, 16(2): 86-93.
doi: 10.7498/aps.16.86
摘要:
利用γ闪烁谱仪和γ—γ符合谱仪,我们对Ag110m衰变的γ射线进行了研究;提出了一个修正的衰变纲图,认为Cd110有656kev,1473kev,1540kev,2160kev,2219kev,2476kev和2924kev七个激发能级,包含有能量为448,620,656,679,705,741,764,817,884,936,1384,1473,1504和1560kev的14条γ射线。用符合方法,我们除了证实一般公认为有级联关系的γ射线之间有符合之外,还确定了1560kevγ射线在衰变图中的位置,证实了764kevγ射线应该放在1504kevγ射线的前面,并且指出,817kevγ射线是属于1473kev能级到656kev能级间的跃迁的。此外,还观察到1820kev和2268kev两个峰;经过用吸收方法分析,指出它们是由于低能量的γ射线“堆积”起来的迭加峰。
利用γ闪烁谱仪和γ—γ符合谱仪,我们对Ag110m衰变的γ射线进行了研究;提出了一个修正的衰变纲图,认为Cd110有656kev,1473kev,1540kev,2160kev,2219kev,2476kev和2924kev七个激发能级,包含有能量为448,620,656,679,705,741,764,817,884,936,1384,1473,1504和1560kev的14条γ射线。用符合方法,我们除了证实一般公认为有级联关系的γ射线之间有符合之外,还确定了1560kevγ射线在衰变图中的位置,证实了764kevγ射线应该放在1504kevγ射线的前面,并且指出,817kevγ射线是属于1473kev能级到656kev能级间的跃迁的。此外,还观察到1820kev和2268kev两个峰;经过用吸收方法分析,指出它们是由于低能量的γ射线“堆积”起来的迭加峰。
1960, 16(2): 98-106.
doi: 10.7498/aps.16.98
摘要:
电子经过介质时,将介质极化,本工作的目的是研究较低能量的电子经过不同介质时,由于这种极化效应对于电子能量损耗的影响。利用灌氢气的膨胀式云雾室测量了能量为0.3—1.0Mev的电子经过铍、炭及铝片的平均能耗及最大可几能耗。实验指出:在此能量范围内的电子,经过某些介质,它们的传导电子数与全部电子数的比值f0以及电阻系数ρ都大,如铍及炭,其能量损耗由于介质被极化而显著减少。电子经过铍的能耗实验结果显著比考虑了介质极化影响的Helpern及Hall与电子能量损耗有显著减少Sterneimer的理论为小;电子经过炭的能耗实验结果是介于此二理论之间。
电子经过介质时,将介质极化,本工作的目的是研究较低能量的电子经过不同介质时,由于这种极化效应对于电子能量损耗的影响。利用灌氢气的膨胀式云雾室测量了能量为0.3—1.0Mev的电子经过铍、炭及铝片的平均能耗及最大可几能耗。实验指出:在此能量范围内的电子,经过某些介质,它们的传导电子数与全部电子数的比值f0以及电阻系数ρ都大,如铍及炭,其能量损耗由于介质被极化而显著减少。电子经过铍的能耗实验结果显著比考虑了介质极化影响的Helpern及Hall与电子能量损耗有显著减少Sterneimer的理论为小;电子经过炭的能耗实验结果是介于此二理论之间。
1960, 16(2): 107-110.
doi: 10.7498/aps.16.107
摘要:
本文对高频离子源中气压、磁场强变、吸极电压、高频功率等主要参数对于引出离子流的影响作了一些研究。在吸极口径为1.8毫米、极隧长度为9.5毫米、磁场强度为150奥斯特等条件下,获得最大离子流为1.35毫安。
本文对高频离子源中气压、磁场强变、吸极电压、高频功率等主要参数对于引出离子流的影响作了一些研究。在吸极口径为1.8毫米、极隧长度为9.5毫米、磁场强度为150奥斯特等条件下,获得最大离子流为1.35毫安。
