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中国物理学会期刊
    喷注电荷截面方法
    杜东生, 杨新娥, 罗马
    1986, 35(2): 141-151. DOI: 10.7498/aps.35.141
    摘要 PDF
    用喷注电荷截面方法考察胶子信息
    孔繁梅, 罗马, 韩涛, 温暖
    1986, 35(2): 152-160. DOI: 10.7498/aps.35.152
    摘要 PDF
    光子结构函数的直接检验
    罗马, 陈之江, 韩涛, 岳刚
    1986, 35(2): 161-170. DOI: 10.7498/aps.35.161
    摘要 PDF
    非晶态物质径向分布函数测定的最大熵方法
    魏文铎
    1986, 35(2): 171-176. DOI: 10.7498/aps.35.171
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    较高杂质浓度磁性合金负磁阻的关联对模型
    江启杜, 刘福绥
    1986, 35(2): 177-187. DOI: 10.7498/aps.35.177
    摘要 PDF
    直拉法生长的GGG和YAG单晶体中螺型位错的双折射像
    葛传珍, 凌黎, 王牧, 牛钟明, 闵乃本, 冯端
    1986, 35(2): 188-195. DOI: 10.7498/aps.35.188
    摘要 PDF
    中子非弹性散射对Bi12GeO20和Bi12SiO20旋声性的研究
    陶昉, 张泰永, 牛世文, 勾成, 施仲坚, 林泉
    1986, 35(2): 196-202. DOI: 10.7498/aps.35.196
    摘要 PDF
    电子碰撞激发截面与速率(Ⅰ)——自旋守恒的激发过程
    田伯刚, 李家明
    1986, 35(2): 203-212. DOI: 10.7498/aps.35.203
    摘要 PDF
    YAlO3:Nd3+的子能级R1和R2的热移位
    徐益荪, 马东平, 宋增福, 李大芬, 顾英俊
    1986, 35(2): 213-219. DOI: 10.7498/aps.35.213
    摘要 PDF
    计算机产生全息光学元件用于校正椭圆高斯激光束
    C. S. IH, 王永昭, 吴继宗, 相连钦
    1986, 35(2): 220-227. DOI: 10.7498/aps.35.220
    摘要 PDF
    快放电激励下准分子ArF*和Ar2F*时间谱的研究
    顾之玉, 王绍英, 雷杰, 蔡小鸿, 王勇, 袁达长
    1986, 35(2): 228-234. DOI: 10.7498/aps.35.228
    摘要 PDF
    实现光学变换的单个全息透镜的有效设计
    董碧珍, 顾本源
    1986, 35(2): 235-242. DOI: 10.7498/aps.35.235
    摘要 PDF
    用穆斯堡尔谱研究Eu2O3在载体表面上的分散度
    刘荣川, 夏元复, 王述新, 李玉魁, 颜其洁, 陈懿, 刘海洋
    1986, 35(2): 243-246. DOI: 10.7498/aps.35.243
    摘要 PDF
    双阱势Fokker-Planck方程准确解模型
    郑伟谋
    1986, 35(2): 247-253. DOI: 10.7498/aps.35.247
    摘要 PDF
    金属超晶格中的电子输运过程
    杨瑞青, 熊诗杰, 蔡建华
    1986, 35(2): 254-260. DOI: 10.7498/aps.35.254
    摘要 PDF
    背射Kossel衍射线的指标化
    范得培, 韩福森
    1986, 35(2): 261-265. DOI: 10.7498/aps.35.261
    摘要 PDF
    由隧道电子谱微分电导极大值确定超导体能隙的新方法
    李宏成, 王瑞兰, 王平书, 管惟炎
    1986, 35(2): 266-268. DOI: 10.7498/aps.35.266
    摘要 PDF
    调制掺杂GaAs/N-AlGaAs异质结的制备及输运性质
    周均铭, 黄绮, 孟庆惠, 程文芹, 吴永生, 李永康, 杨中兴
    1986, 35(2): 269-273. DOI: 10.7498/aps.35.269
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    层状晶体层错的会聚束电子衍射研究
    冯国光
    1986, 35(2): 274-278. DOI: 10.7498/aps.35.274
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    位错的会聚束电子衍射研究
    冯国光
    1986, 35(2): 279-282. DOI: 10.7498/aps.35.279
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