Vol. 36, No. 11 (1987)
1987年06月05日
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1987, 36 (11): 1385-1394.
doi: 10.7498/aps.36.1385
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在CT-6B托卡马克实验装置上研究了充气气压、环向磁场、杂散磁场、环电压等放电条件对击穿的影响。发现垂直方向和水平方向的杂散磁场对击穿影响不同。指出实验结果与汤生放电模型的偏离。用Monte-Carlo方法解出击穿阶段电子分布函数,对汤生模型公式作出修正。
1987, 36 (11): 1395-1400.
doi: 10.7498/aps.36.1395
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利用光学高速阴影照相,研究了激光在透明介质中的传播。有如下结果:(1)比较了两种不同激光波长上(λ1=1.3μm及λ2=0.44μm),在具有相同吸收激光强度下,所产生的不同冲击波压力。(2)分析了冲击波压力对靶面吸收激光功率的依赖关系。
1987, 36 (11): 1401-1407.
doi: 10.7498/aps.36.1401
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长期以来Si(111)2×1重构表面的原子结构是个没有完全解决的问题。通过低能电子衍射(LEED)的全动力学的仔细计算,我们分析了以前提出的各种模型,肯定了皱曲的π-建链模型。进一步调整了表面六层原子的位置,使理论计算与实验结果符合得更好。我们最佳的2×1结构的最主要特点是表面链的倾斜达0.44?。最后,我们的计算指出在Si(111)2×1表面中1×1畴的存在对结果产生重大的影响。
1987, 36 (11): 1408-1415.
doi: 10.7498/aps.36.1408
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本文用电子辐照的方法在n型InP中引入缺陷,并以深能级瞬态谱为基础,结合多种实验方法和理论计算,对缺陷的结构作了较为系统的研究和分析。首先,根据空位的引入和迁移模型,从理论上计算出In和P单空位的引入率和消失温度,经与实验结果比较,鉴别出室温电子辐照后InP中主要的缺陷是以络合结构的形式存在的。文中还推导了连续界面态与DLTS信号的关系式。很据这一关系式,经计算机运算,证实辐照前InPDLTS谱中的某一个宽峰是由界面电子的发射和俘获所引起。从实验还发现,经电子辐照后该峰明显变小,反映了界面态密度的降低,结
1987, 36 (11): 1416-1426.
doi: 10.7498/aps.36.1416
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在单晶硅和经离子注入的硅样品上测得了反射三次谐波。像我们的理论计算中所证明的那样,当样品绕表面法线转动时,线偏振的三次谐波强度显示了晶体的旋转对称性,对于轻注入的样品,存在一个注入剂量的临界值,高于此值,三次谐波信号与转动无关。作为剂量的函数,三次谐波强度对晶格损伤极为敏感。这使三次谐波技术可以在半导体工艺中用作监测离子注入的均匀程度。
1987, 36 (11): 1427-1432.
doi: 10.7498/aps.36.1427
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用FTIR研究了原子氢、原子氘钝化掺硼硅以及质子注入掺杂单晶硅,当原子氘钝化条件不同时分别产生了1360cm-1和1263cm-1的[BD]对局域振动模红外吸收带,这表明氘在单晶硅的硼受主邻近有两种可能的状态。质子注入掺杂硅的红外吸收光谱与不掺杂硅的明显不同,氢原子优先结合于硼的附近,注入氢仅约1%生成光效的缺陷,而绝大部份生成无光效的中心,它们可能是氢分子。
1987, 36 (11): 1433-1440.
doi: 10.7498/aps.36.1433
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本文采用格林函数技术,计算了对称Anderson晶格的H-F基态能量,然后采用局域方法近似,计算了相关能、相关基态能量、局域磁矩、电荷涨落和自旋涨落。使用平方态密度,得到了解析表达式。结果表明,当同一格点的f-f库仑相互作用U减小或d-f杂化强度V增大,局域磁矩变小。
1987, 36 (11): 1441-1450.
doi: 10.7498/aps.36.1441
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本文采用红外发散理论和二能级体系模型,讨论玻璃超声吸收在2K温度以下的行为,与现有的隧道二能级模型不同,我们把Bloch方程看作“磁化强度”所满足的宏观方程,方程中所有的物理量都是系综平均值。并且把缺陷态看作处在局域涨落场中的赝自旋,提出了在低温下赝自旋角扩散与温度的关系。我们不但得到与实验符合较好的理论吸收曲线,并且解释了弱照射共振吸收正比于T-0.7和饱和吸收正比于ω2的实验规律。
1987, 36 (11): 1451-1458.
doi: 10.7498/aps.36.1451
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本文讨论了耗散的三波相互作用的一个模型。用本征值分析证明了当相空间体积收缩得足够慢时,三波相互作用的定态将出现Hopf分岔。从本征值得到的定态失稳的临界值和振荡频率,与解运动方程的数字实验在线性阶段符合得很好。分析结果还表明,将不会发生pitchfork分岔。
1987, 36 (11): 1459-1471.
doi: 10.7498/aps.36.1459
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本文从统计物理的基本观点出发,给出了不同维度的态密度之间,或系统与子系统的态密度之间,存在卷积规律的比较一般的条件及证明。并分析了自由粒子和简单立方晶格紧束缚近似模型从一维向二维、三维转变过程中态密度的变化规律。
研究简报
1987, 36 (11): 1472-1475.
doi: 10.7498/aps.36.1472
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用X射线光电子能谱研究了非晶态稀土合金TbxCo1-x的电子结构。比较晶态和非晶态:他们的导带、4f带以及芯态谱没有明显差别,说明Tb-Co之间电荷的转移对两种状态没有什么区别,因而两种状态下磁性的差别不能解释为电荷转移量的不同。
1987, 36 (11): 1476-1480.
doi: 10.7498/aps.36.1476
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用11B连续波核磁共振谱研究了锂硼钒酸盐玻璃的结构,测量了BO4,BO3s和BO3A各结构单元的比例。实验表明,锂硼钒酸盐玻璃中N4的最大值近似为一常数,与V2O5的含量无关。Li2O被V2O5和B2O3分享。并推测V2O<
1987, 36 (11): 1481-1484.
doi: 10.7498/aps.36.1481
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本文通过计算得到GaP及GaA3中Fe能级基态空穴跃迁时引起的晶格振动熵变,证明Fe受主形成反键中心,得到空穴—→价带跃迁时的焓变与自由能变的温度关系,并与实验结果作了比较,说明Fe中心空穴热离化能比光离化能高是合理的。
1987, 36 (11): 1485-1491.
doi: 10.7498/aps.36.1485
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用AES,LEED等表面分析手段,对V(100)表面上杂质S,O偏析作了详细研究。明确了S,O偏析关系;发现(8×1)-O,(4×1)-O两个新的表面结构;系统观察和分析了V(100)表面在不同S,O偏析量情况下的各种表面超结构,并获得这些表面超结构的相互关系。
1987, 36 (11): 1492-1495.
doi: 10.7498/aps.36.1492
摘要 +
本文在可见光波长范围内测量了未极化的KIO3晶体的三个不同方向的折射率,用实验方法证实了KIO3晶体存在Ⅰ尖位相匹配曲面,找到了未极化的KIO3晶体的最佳位相匹配方向。
1987, 36 (11): 1496-1502.
doi: 10.7498/aps.36.1496
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测量EXAFS谱时,系统的能量分辨率是影响其结果的重要因素。本文提出了分辨率影响结构参数的计算方法,以Ge,Ni样品为例,测量及计算了不同分辨率下的结构参数的差异。测量结果与计算结果符合得很好,讨论了分辨率如何影响EXAFS谱及结构参数,给出了修正方法。
1987, 36 (11): 1503-1508.
doi: 10.7498/aps.36.1503
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测量了一维聚合物PTS单晶从77K到273K沿分子链方向的介电性质。由介电常数的反常观察到在195K发生二级相变,从高温的非极性态转变为低温的极性态。发现介电损耗在150K和100K有两个峰。用侧链分子的三种运动方式解释了上述结果。
1987, 36 (11): 1509-1512.
doi: 10.7498/aps.36.1509
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在朗道的费密液体理论框架下,我们解释了重费密子超导体UBe13的超导临界温度随压力变化的实验结果。所得结论是:PBe13可能是一个P波型的重费密子超导体。同时也发现由于加压使得系统的f能级与费密能级的相对移动和f电子与导带电子杂化的增加对S波超导有利,而对P波超导不利。
1987, 36 (11): 1513-1518.
doi: 10.7498/aps.36.1513
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利用路径积分方法,研究了(1+1)维带γ5耦合的规范理论。通过进行一非阿贝耳手征变量变换和选择更一般的正规化算子,精确解出了费密子行列式,证明了理论中可以存在玻色子的质量生成机制。除了一质量项外,得到的解也包含有一规范化的Wess-Zumino-Witten反常作用量泛函和一些别的非定域项。
1987, 36 (11): 1519-1525.
doi: 10.7498/aps.36.1519
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本文重新推导了Glauber理论中弹性散射振幅公式。如果取直角光学位势作为零级近似,取Woods-Saxon光学位势作为正确的光学位势,发现在原来的散射振幅中,分部积分能够进一步进行下去。最后,得到了修正后的散射振幅公式,而无角度限制。
1987, 36 (11): 1526-1528.
doi: 10.7498/aps.36.1526
摘要 +
本文报道一种利用跃迁拍频现象制成的新型微波量子放大器。在室温下,接收带宽为2kHz时,接收灵敏度为5×10-15W。
