Vol. 21, No. 9 (1965)
1965年05月05日
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1965, 21 (9): 1591-1605.
doi: 10.7498/aps.21.1591
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本工作测量了MgIIλ4481?(32D—42F)在电子数密度为7×1016—3.1×1017电子数/cm3范围内的谱线轮廓和位移。采用振荡型电容放电作为光谱光源。在光源中引入水汽,由测量Hβ谱线宽度来定电子数密度。观测结果指出,Hβ的实验轮廓和Griem-Kolb-Shen的计算结果符合颇好。实验发现MgIIλ4481?谱线向紫方位移,并正比于微观电场的平方;由此定出一个经验上的二级斯塔克效应常数C4=5.0×10-14cm4/sec。该谱线的轮廓宽度和标准微观电场之间也有平方正比的关系。发现在本实验条件范围内,宽度和位移的比值γ/△保持为常数,其值为γ/△=10.4±0.6。由于谱项42D的二级斯塔克效应的干扰而产生上能级42F位移的理论计算虽能说明谱线位移和微观电场间的平方正比关系,但数值偏小于实验结果,指出还有电子贡献的部分。把光谱线的宽度和Lindholm理论公式及Griem等的近似公式作了比较;简单的估计指出,实验结果和后者符合较好。
1965, 21 (9): 1606-1618.
doi: 10.7498/aps.21.1606
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本工作研究感应磁场压缩下,氢等离子体中的巴耳末系谱线的斯塔克加宽。电容器对围绕在放电管外部的线圈放电,产生交变轴向磁场,使放电管中氢气离化、压缩与加热。放电周期14微秒,放电电压20千伏,最大电流165千安,初始工作气压2.0×10-1毫米汞高。用照相方法研究Hβ和Hγ的轮廓。这些谱线有显著的加宽。在整个发光阶段中,Hβ的平均半宽度为14—16(埃),Hγ为18—19(埃),相应的离子密度为1.7—2.5×1016厘米-3。实验轮廓与Griem,Kolb和Shen的理论较为接近,与Holtsmark理论相差较远。光电测量进一步表明:Hβ的轮廓随着时间而改变,相应的离子密度亦在改变。在放电的第三半周期初级电流极大时,离子密度最大,达到3.2×1O16厘米-3,为初始氢原子密度的2.2倍。
1965, 21 (9): 1619-1637.
doi: 10.7498/aps.21.1619
摘要 +
本文将文献[1]的理论推广到较厚的超导膜。首先采用能隙是常数的模型,借助于Schrief-fer方法,导出磁场中超导膜的补偿方程和电流方程。利用所得的方程,研究了均匀外磁场对金属膜超导性质的影响,讨论了超导膜在磁场中的相变,给出了确定超导膜的能隙、磁矩、平衡临界场Hc,以及分别相应于过冷和过热区域边界的临界场H(c1)和H(c2)的一般公式。所有这些表达式,在局域极限下,化为Гинзбург-Ландау理论的相应结果;在薄膜情形下,回到文献[1]的结果,文中对一般情形下的非局域效应作了具体的讨论。
1965, 21 (9): 1638-1652.
doi: 10.7498/aps.21.1638
摘要 +
本文利用量子场论方法,统一地研究了电声子系统的交流磁阻、霍耳效应与迴旋共振现象。获得了与磁场强度H和外电场频率ω有关的弛豫时间、有效质量及迴旋共振线型的严格表达式。在我们的结果中,特别考虑了电子间库仑作用的集体效应、磁场引起的电子轨道运动量子化效应及交变电场的影响。
1965, 21 (9): 1653-1667.
doi: 10.7498/aps.21.1653
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在本文中,作者导出了一组普遍的耦合波方程,它描述了在部分填充以迴磁媒质的波导中电磁波的传播。利用这组方程,作者研究了纵向磁化铁氧体柱中的法拉第旋转(铁氧体柱的两端是截面变化的圆锥)。然后仍从耦合波的观点出发,研究了若干其他问题,如铁氧体柱对波的反射、柱的几何不规则性对法拉第旋转的影响。本文的分析说明,耦合波理论特别适用于复杂的包含有铁氧体的电磁场问题,这些问题如果用研究铁氧体时经常利用的正规方法来分析很难求得解决。
1965, 21 (9): 1668-1680.
doi: 10.7498/aps.21.1668
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本文详细地分析了电磁波在充有双介质片的平行金属板间的传播特性。计算表明:这种波导(LM11波)不仅保持了H形金属介质波导(LM11波)的工作特性,而且还显著地降低了介质损耗;增宽了频带。
1965, 21 (9): 1681-1688.
doi: 10.7498/aps.21.1681
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用变温变速的拉伸试验,研究了Al-3％Mg和Al-6％Mg合金的高温变形行为,求得各温度下的激活能、激活体积和频率因子等。证明在250—400℃温度范围内,铝-镁合金变形机构可能是带割阶的螺位错作非保守性运动,变形方程为ε=Nιjb2zAνexp{-(△Hs-ιjb2τ)/(kT)}。然后计算得到两种合金在不同温度下的割阶间距ιj,运动位错密度ρ=Nιj,割阶密度N以及位错速度等数值。
