[1] |
曾莹, 佘彦超, 张蔚曦, 杨红. 纳米光纤-半导体量子点分子耦合系统中光孤子的存储与读取.
,
2024, 73(16): 164202.
doi: 10.7498/aps.73.20240184
|
[2] |
盖云冉, 郑康, 丁春玲, 郝向英, 金锐博. 基于半导体量子阱中四波混频效应的高效光学非互易.
,
2024, 73(1): 014201.
doi: 10.7498/aps.73.20231212
|
[3] |
尚向军, 马奔, 陈泽升, 喻颖, 查国伟, 倪海桥, 牛智川. 半导体自组织量子点量子发光机理与器件.
,
2018, 67(22): 227801.
doi: 10.7498/aps.67.20180594
|
[4] |
唐宏, 王登龙, 张蔚曦, 丁建文, 肖思国. 纵波光学声子耦合对级联型电磁感应透明半导体量子阱中暗-亮光孤子类型的调控.
,
2017, 66(3): 034202.
doi: 10.7498/aps.66.034202
|
[5] |
张腾飞, 杨晶, 侯岩雪, 王伟伟, 赵巍, 张景园, 崔大复, 彭钦军, 许祖彦. 基于光参量变频与放大的高灵敏红外成像技术.
,
2016, 65(1): 014209.
doi: 10.7498/aps.65.014209
|
[6] |
王早, 张国峰, 李斌, 陈瑞云, 秦成兵, 肖连团, 贾锁堂. 利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性.
,
2015, 64(24): 247803.
doi: 10.7498/aps.64.247803
|
[7] |
安利民, 杨延强, 宋维斯, 苏文辉, 曾庆辉, 朝克夫, 孔祥贵. 低强度飞秒激光激发下CdTe和CdTe/CdS核壳量子点的荧光上转换研究.
,
2009, 58(11): 7914-7920.
doi: 10.7498/aps.58.7914
|
[8] |
李 玲, Kaestner B, Blumenthal M D, Giblin S, Janssen T J B M, Pepper M, Anderson D, Jones G, Ritchie D A, 高 洁. 一种新型的高频半导体量子点单电子泵.
,
2008, 57(3): 1878-1885.
doi: 10.7498/aps.57.1878
|
[9] |
徐天宁, 吴惠桢, 隋成华. PbTe/PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应.
,
2008, 57(12): 7865-7871.
doi: 10.7498/aps.57.7865
|
[10] |
吴文智, 郑植仁, 金钦汉, 闫玉禧, 刘伟龙, 张建平, 杨延强, 苏文辉. 水溶性CdTe量子点的三阶光学非线性极化特性.
,
2008, 57(2): 1177-1182.
doi: 10.7498/aps.57.1177
|
[11] |
蔡承宇, 周旺民. Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态.
,
2007, 56(8): 4841-4846.
doi: 10.7498/aps.56.4841
|
[12] |
程 成, 张 航. 半导体纳米晶体PbSe量子点光纤放大器.
,
2006, 55(8): 4139-4144.
doi: 10.7498/aps.55.4139
|
[13] |
李耀义, 程木田, 周慧君, 刘绍鼎, 王取泉, 薛其坤. 脉冲激发三能级体系半导体量子点的单光子发射效率.
,
2006, 55(4): 1781-1786.
doi: 10.7498/aps.55.1781
|
[14] |
许兴胜, 熊志刚, 孙增辉, 杜 伟, 鲁 琳, 陈弘达, 金爱子, 张道中. 半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性.
,
2006, 55(3): 1248-1252.
doi: 10.7498/aps.55.1248
|
[15] |
王云才. 增益开关半导体激光器在外光注入下脉冲抖动的实验研究.
,
2003, 52(9): 2190-2193.
doi: 10.7498/aps.52.2190
|
[16] |
罗 莹, 王若桢, 马本堃. 半导体量子点的形状对受限激子的影响.
,
1999, 48(7): 1320-1326.
doi: 10.7498/aps.48.1320
|
[17] |
孙军强, 黄德修, 易河清. 基于半导体激光放大器增益饱和的波长转换的小信号分析.
,
1997, 46(12): 2369-2375.
doi: 10.7498/aps.46.2369
|
[18] |
周复正, 马国彬, 沈丽青, 竺庆春, 谭维翰. 半导体激光器的微微秒增益开关特性研究.
,
1994, 43(4): 580-590.
doi: 10.7498/aps.43.580
|
[19] |
柳树政. 磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅱ).
,
1984, 33(12): 1640-1649.
doi: 10.7498/aps.33.1640
|
[20] |
柳树政. 磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅰ).
,
1984, 33(12): 1629-1639.
doi: 10.7498/aps.33.1629
|