[1] |
张艺玮, 宋恒博, 李小燕, 孙丽, 刘晓莹, 寇朝霞, 张栋, 费红阳, 赵志斌, 翟亚. 不同厚度Cr中间层对Gd/FeCo薄膜磁电阻效应转变的影响.
,
2022, 71(21): 217501.
doi: 10.7498/aps.71.20220472
|
[2] |
贾兴涛, 夏钶. IrMn基反铁磁自旋阀的巨磁电阻效应.
,
2011, 60(12): 127202.
doi: 10.7498/aps.60.127202
|
[3] |
苏喜平, 包 瑾, 闫树科, 徐晓光, 姜 勇. 双合成反铁磁结构及其对自旋阀巨磁电阻效应的影响.
,
2008, 57(4): 2509-2513.
doi: 10.7498/aps.57.2509
|
[4] |
鲍丙豪, 宋雪丰, 任乃飞, 李长生. 非晶态合金薄带与膜的巨磁电阻抗效应理论及计算.
,
2006, 55(7): 3698-3704.
doi: 10.7498/aps.55.3698
|
[5] |
李培刚, 雷 鸣, 唐为华, 宋朋云, 陈晋平, 李玲红. 晶界对庞磁电阻颗粒薄膜的磁学和输运性能的影响.
,
2006, 55(5): 2328-2332.
doi: 10.7498/aps.55.2328
|
[6] |
刘 伟, 陈晋平, 管 炜, 熊光成, 阎守胜. 超巨磁电阻材料Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜输运性质的研究.
,
2004, 53(2): 601-605.
doi: 10.7498/aps.53.601
|
[7] |
都有为, 王志明, 倪刚, 邢定钰, 徐庆宇. 高度取向石墨的巨磁电阻效应.
,
2004, 53(4): 1191-1194.
doi: 10.7498/aps.53.1191
|
[8] |
钟智勇, 刘爽, 张怀武, 石玉. (CoFe)1-xAgx颗粒巨磁电阻薄膜的磁折射效应研究.
,
2004, 53(5): 1520-1523.
doi: 10.7498/aps.53.1520
|
[9] |
卢正启, 柴春林, 赖武彦. 两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究.
,
2000, 49(2): 328-333.
doi: 10.7498/aps.49.328
|
[10] |
李百秦, 聂 矗. Co SiO2颗粒膜的巨磁电阻效应.
,
2000, 49(1): 155-159.
doi: 10.7498/aps.49.155
|
[11] |
徐庆宇, 倪 刚, 谷坤明, 桑 海, 陈 浩, 陆 钧, 都有为. Co SiO2颗粒膜的巨磁电阻效应.
,
2000, 49(1): 128-131.
doi: 10.7498/aps.49.128
|
[12] |
李 铁, 沈鸿烈, 沈勤我, 邹世昌. 不同过渡层上Co/Cu/Co三明治结构的巨磁电阻效应研究.
,
1999, 48(13): 28-34.
doi: 10.7498/aps.48.28
|
[13] |
梁冰青, 王荫君, 陈 熹. Ag2+δTe薄膜的低温纵向磁电阻效应.
,
1999, 48(13): 35-39.
doi: 10.7498/aps.48.35
|
[14] |
朱 涛, 王荫君. Fe-Al2O3颗粒膜的隧道巨磁电阻效应.
,
1999, 48(4): 763-768.
doi: 10.7498/aps.48.763
|
[15] |
徐庆宇, 倪 刚, 桑 海, 都有为. 退火对Co35(SiO2)65颗粒膜巨磁电阻效应的影响.
,
1999, 48(13): 52-55.
doi: 10.7498/aps.48.52
|
[16] |
董正超, 赵树宇. 磁性多层薄膜系统中的巨磁电阻效应.
,
1999, 48(3): 511-519.
doi: 10.7498/aps.48.511
|
[17] |
程荣胜, 李可斌, 李西军, 陈志祥, 熊曹水, 朱警生, 张裕恒. LaCaMnO/LaNdCaMnO/LaCaMnO三层膜中巨磁电阻增强效应.
,
1998, 47(7): 1193-1200.
doi: 10.7498/aps.47.1193
|
[18] |
阮永红, 王劲松, 许祝安, 焦正宽, 张其瑞. La1-xCaxMnO3的巨磁电阻效应.
,
1997, 46(7): 1415-1419.
doi: 10.7498/aps.46.1415
|
[19] |
杨新娥, 杨吉生, 东剑涛, 车明日. Fe-Ag金属颗粒膜的巨磁电阻.
,
1997, 46(9): 1834-1840.
doi: 10.7498/aps.46.1834
|
[20] |
赵平波, 李伯臧, 蒲富恪. 互不固溶磁性颗粒合金巨磁电阻的一个唯象理论.
,
1996, 45(7): 1191-1196.
doi: 10.7498/aps.45.1191
|