[1] |
王赫宇, 李忠磊, 杜伯学. 界面电子结构对核壳量子点/聚乙烯纳米复合绝缘电导与空间电荷特性的影响.
,
2024, 73(12): 127702.
doi: 10.7498/aps.73.20232041
|
[2] |
徐晗, 张璐. 考虑空间电荷层效应的氧离子导体电解质内载流子传输特性.
,
2021, 70(6): 068801.
doi: 10.7498/aps.70.20201651
|
[3] |
李飞, 肖刘, 刘濮鲲, 易红霞, 万晓声. 同心球之间空间电荷限制电流的简单理论.
,
2011, 60(9): 097901.
doi: 10.7498/aps.60.097901
|
[4] |
马松山, 徐慧, 郭锐, 崔麦玲. 准一维多链无序体系跳跃电导特性.
,
2010, 59(7): 4972-4979.
doi: 10.7498/aps.59.4972
|
[5] |
陈 飞, 张晓丹, 赵 颖, 魏长春, 孙 建. 硅薄膜沉积过程中等离子发光基团的一维空间分布研究.
,
2008, 57(5): 3276-3280.
doi: 10.7498/aps.57.3276
|
[6] |
刘 键, 高忠诚, 张春平, 田建国, 张光寅. 不同电极对α-LiIO3离子输运特征的影响的光学显微观测.
,
1998, 47(12): 2040-2045.
doi: 10.7498/aps.47.2040
|
[7] |
杨同华, 包宗渝. 用6Li(n,α)t反应研究在直流电场作用下α-LiIO3中锂离子的迁移.
,
1984, 33(8): 1149-1154.
doi: 10.7498/aps.33.1149
|
[8] |
梁敬魁, 张预民. LiIO3多型性相变的进一步研究.
,
1984, 33(1): 69-75.
doi: 10.7498/aps.33.69
|
[9] |
杨华光, 李晨曦, 许政一. c向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理.
,
1983, 32(4): 539-543.
doi: 10.7498/aps.32.539
|
[10] |
顾世杰, 李荫远. 一维离子导体α—LiIO3中空间电荷涨落导致的光衍射现象的理论解释(Ⅱ)——各向同性模.
,
1983, 32(7): 900-910.
doi: 10.7498/aps.32.900
|
[11] |
顾世杰, 李荫远. 一维离子导体α—LiIO3中空间电荷涨落导致的光衍射现象的理论解释(Ⅰ)——各向异性模.
,
1983, 32(7): 888-899.
doi: 10.7498/aps.32.888
|
[12] |
许政一, 张安东, 徐刚, 杨华光, 李荫远. α-LiIO3单晶中离子输运引起的高强度准弹性光散射.
,
1982, 31(5): 615-622.
doi: 10.7498/aps.31.615
|
[13] |
杨华光, 李晨曦, 许政一. c向直流电压作用下α—LiIO3单晶的光的异常散射的进一步研究.
,
1981, 30(7): 928-935.
doi: 10.7498/aps.30.928
|
[14] |
李方华, 樊汉节, 高俊杰. α-LiIO3晶体的电子辐照效应.
,
1981, 30(4): 549-554.
doi: 10.7498/aps.30.549
|
[15] |
徐济安, 王彦云, 徐敏华. LiIO3的高压状态方程和相变.
,
1980, 29(8): 1063-1067.
doi: 10.7498/aps.29.1063
|
[16] |
张安东, 赵世富, 谢安云, 许政一. α-LiIO3单晶的电导机制和低温电导.
,
1980, 29(9): 1158-1163.
doi: 10.7498/aps.29.1158
|
[17] |
古元新, 葛培文, 赵雅琴, 胡伯清, 吴兰生, 傅全贵. X射线形貌法观察空间电荷缀饰的α—LiIO3单晶的缺陷.
,
1980, 29(6): 711-717.
doi: 10.7498/aps.29.711
|
[18] |
许政一, 李铁城, 顾本源. 静电场作用下α一LiIO3单晶中子衍射增强现象的理论解释.
,
1979, 28(5): 96-106.
doi: 10.7498/aps.28.96
|
[19] |
陈创天. 晶体电光和非线性光学效应的离子基团理论(Ⅱ)——利用(IO3)-1离子基团的分子轨道计算α-LiIO3晶体的倍频系数.
,
1977, 26(2): 124-132.
doi: 10.7498/aps.26.124
|
[20] |
李铁城, 许政一. α-LiIO3的导电和介电特性的理论分析.
,
1977, 26(6): 500-508.
doi: 10.7498/aps.26.500
|