| [1] |
李俊鹏, 任泽阳, 张金风, 王晗雪, 马源辰, 费一帆, 黄思源, 丁森川, 张进成, 郝跃. 多晶金刚石薄膜硅空位色心形成机理及调控.
,
2023, 72(3): 038102.
doi: 10.7498/aps.72.20221437
|
| [2] |
王月, 马杰. MoS2中S原子空位形成的非绝热动力学研究.
,
2023, 72(22): 226101.
doi: 10.7498/aps.72.20230787
|
| [3] |
徐爽, 郭雅芳. 纳米铜薄膜塑性变形中空位型缺陷形核与演化的分子动力学研究.
,
2013, 62(19): 196201.
doi: 10.7498/aps.62.196201
|
| [4] |
赵守仁, 黄志鹏, 孙雷, 孙朋超, 张传军, 邬云华, 曹鸿, 王善力, 褚君浩. 碲化镉薄膜太阳能电池电学特性参数分析.
,
2013, 62(18): 188801.
doi: 10.7498/aps.62.188801
|
| [5] |
梁林云, 吕广宏. 金属铁中空位团簇演化行为的相场研究.
,
2013, 62(18): 182801.
doi: 10.7498/aps.62.182801
|
| [6] |
屠德民, 王霞, 吕泽鹏, 吴锴, 彭宗仁. 以能带理论诠释直流聚乙烯绝缘中空间电荷的形成和抑制机理.
,
2012, 61(1): 017104.
doi: 10.7498/aps.61.017104
|
| [7] |
孙立忠, 陈效双, 周孝好, 孙沿林, 全知觉, 陆 卫. 碲镉汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究.
,
2005, 54(4): 1756-1761.
doi: 10.7498/aps.54.1756
|
| [8] |
刘慧英, 侯柱锋, 朱梓忠, 黄美纯, 杨 勇. InSb的锂嵌入形成能第一原理计算.
,
2003, 52(7): 1732-1736.
doi: 10.7498/aps.52.1732
|
| [9] |
陈丽娟, 侯柱锋, 朱梓忠, 杨 勇. LiAl中空位形成能的第一原理计算.
,
2003, 52(9): 2229-2234.
doi: 10.7498/aps.52.2229
|
| [10] |
李 毅, 易新建, 蔡丽萍. 液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究.
,
2000, 49(1): 132-136.
doi: 10.7498/aps.49.132
|
| [11] |
王月霞, 王宝义, 荣周文, 王天民. NiAl中空位迁移机制的计算机模拟.
,
1998, 47(8): 1325-1331.
doi: 10.7498/aps.47.1325
|
| [12] |
朱梓忠. 铝中空位形成能计算时的原胞尺寸等参数效应.
,
1998, 47(5): 784-789.
doi: 10.7498/aps.47.784
|
| [13] |
王天民, 王顺花, 赖文生. Cu3Au中空位及其迁移机制的计算机模拟.
,
1995, 44(7): 1091-1100.
doi: 10.7498/aps.44.1091
|
| [14] |
邱元武, 张波, 刘建成. 氧化钇稳定立方氧化锆晶体中空位和杂质的电子结构.
,
1993, 42(8): 1297-1303.
doi: 10.7498/aps.42.1297
|
| [15] |
王小刚, 张宏. Fe-V-N稀合金中空位复合体特性的研究(Ⅱ).
,
1992, 41(9): 1458-1462.
doi: 10.7498/aps.41.1458
|
| [16] |
王小刚, 张宏. Fe-V-N稀合金中空位复合体特性的研究(Ⅰ).
,
1992, 41(9): 1452-1457.
doi: 10.7498/aps.41.1452
|
| [17] |
朱慧珑, 黄祖洽. 体心立方金属中空位迁移规律.
,
1987, 36(9): 1122-1132.
doi: 10.7498/aps.36.1122
|
| [18] |
丁训民, 董国胜, 杨曙, 陈平, 王迅. In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究.
,
1985, 34(5): 634-639.
doi: 10.7498/aps.34.634
|
| [19] |
邢修三. 空位位错环的形成.
,
1966, 22(5): 541-546.
doi: 10.7498/aps.22.541
|
| [20] |
汪永江. 金属中空位的形成能.
,
1959, 15(9): 469-474.
doi: 10.7498/aps.15.469
|
下载:
