本文用扩散型光学位阱对低能(中子2—4兆电子伏,质子3.5—7兆电子伏)非弹性散射角分布、激发函数和γ射线角分布进行了计算,目的是比较系统地定量检验Hauser-Feshbach理论。计算结果和实验符合得很好。说明H.F.理论中的基本出发点,即不同复合核态之间的干涉相消的假设,是近似成立的。在此基础上,我们进一步讨论了可以用H.F.公式来提供光学位阱参数与能级自旋宇称知识的可能性,后者具体应用至N14的高激发态,计算表明:N14的4.91兆电子伏和5.01兆电子伏能级的自旋分别为0和2,能级的自旋对截面的大小影响很显著,但宇称则几乎没有影响。同时我们也应用H.F.理论讨论了相邻奇-偶核和偶-偶核弹性散射的差异。最后,考虑到同位旋在轻核中是一个准守恆量,本文中研究了在复合核过程中同位旋守恆的可能性,给出了考虑同位旋守恆以后的H.F.公式。并对于N14(p,p′)N14*至第一激发态2.31兆电子伏(t=1),和第二激发态3.95兆电子伏(t=0)的非弹性散射角分布,分别在同位旋守恒和不守恒情况下进行了计算,结果表明,不守恒时的计算值和现有的实验非常接近,看来同位旋量子数在轻核的复合核反应中守恆性是很差的。