硅基二维平板光子晶体高Q微腔的制作和光谱测量

周长柱; 王晨; 李志远

doi:10.7498/aps.61.014214

摘要

利用微加工技术, 在SOI上制作出了高Q值的光子晶体微腔, Q值可以达7104以上, 为后续的光与物质相互作用和量子信息方面的实验奠定了基础. 实验结果与理论模拟符合得较好. 通过三维时域有限差分法模拟, 得到光子晶体微腔的Q值为1.2105左右.

关键词:

光子晶体 /
微腔 /
微加工

We fabricate a high Q photonic crystal cavity on the top of SOI (silicon on insulator) with EBL (electron beam lithography) and ICP (inductively coupled plasma). The value of Q can reach 7 104. It provides basic condition for the following experiments, for example for the study of interaction between light and substance. The high Q cavity also provides good circumstance for the quantum information. The theoretical result of the value of Q is 1.2105 from FDTD (finite difference time domain) simulation.

Keywords:

作者及机构信息

1.
中国科学院物理研究所光物理重点实验室, 北京 100190

基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10525419)和国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB922002)资助的课题.

Authors and contacts

1.
Laboratory of Optical Physics, Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China

Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 10525419) and the National Basic Research Program of China (Grant No. 2011CB922002)

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