纳米硅结构中分裂能级对光电输运特性的影响

陈静; 蒋震宗; 陆加佳; 刘永生; 朱燕艳

doi:10.7498/aps.59.8862

摘要

基于电子在分裂能级系统中同时存在的共振隧穿和子带输运过程,结合光生载流子作用提出了纳米硅结构中的光电输运理论模型.利用该模型计算了纳米硅结构在光照条件下的电流密度、电场强度及电子浓度分布.结果表明,光生电子在具有分裂能级的纳米硅中是以共振隧穿为主要输运方式.在此基础上,详细研究了光电流与吸收系数、外加偏压以及纳米硅层层数之间的关系,发现在特定的外界条件下光电流会出现跳变增加的现象,其物理原因是纳米硅结构中电场强度的二次分布.

关键词:

Abstract

Considering the coexisting of electron resonant tunneling and miniband transport processes in a split-level energy system, and the effect of photogenerated carrier, we propose an optoelectronic transport theoretical model for the nanosilicon structure. We employ this model to calculate current density, electric field and electron density distribution under illumination, and the results show that resonant tunneling plays a major role in transporting the photogenerated electrons in a nanosilicon structure. Furthermore, we study the relationship between the photocurrent and the absorption coefficients, the applied bias, and the number of nanolayers. It is found that under certain conditions, hopping phenomenon occurs with photocurrent increasing, which is due to the redistribution of electric field inside the nanosilicon structure.

Keywords:

作者及机构信息

(1)上海电力学院直属数理系,上海 200090; (2)上海交通大学物理系,上海 200240

基金项目: 上海市教育委员会"晨光"计划(批准号:2008CG60)、国家自然科学基金(批准号:10804072)和上海市纳米技术专项基金(批准号:0852nm02400)资助的课题.

Authors and contacts

(1)Department of Physics and Mathematics, Shanghai University of Electric Power, Shanghai 200090, China; (2)Department of Physics, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200240, China

参考文献

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施引文献

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