[1] |
安志云, 李志坚. 逾渗分立时间量子行走的传输及纠缠特性.
,
2017, 66(13): 130303.
doi: 10.7498/aps.66.130303
|
[2] |
平志海, 钟鸣, 龙志林. 基于逾渗理论的非晶合金屈服行为研究.
,
2017, 66(18): 186101.
doi: 10.7498/aps.66.186101
|
[3] |
李乐, 李克非. 含随机裂纹网络孔隙材料渗透率的逾渗模型研究.
,
2015, 64(13): 136402.
doi: 10.7498/aps.64.136402
|
[4] |
姜冰一, 郑建邦, 王春锋, 郝娟, 曹崇德. 基于GaAs/InAs-GaAs/ZnSe量子点太阳电池结构的优化.
,
2012, 61(13): 138801.
doi: 10.7498/aps.61.138801
|
[5] |
孙鹏, 胡明, 刘博, 孙凤云, 许路加. 金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性.
,
2011, 60(5): 057303.
doi: 10.7498/aps.60.057303
|
[6] |
李盛涛, 成鹏飞, 杨雁, 张乐. ZnO压敏陶瓷电导研究的新方法.
,
2009, 58(4): 2543-2548.
doi: 10.7498/aps.58.2543
|
[7] |
张 威, 李梦轲, 魏 强, 曹 璐, 杨 志, 乔双双. ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究.
,
2008, 57(9): 5887-5892.
doi: 10.7498/aps.57.5887
|
[8] |
元 光, 郭大勃, 顾长志, 窦 艳, 宋 航. 单颗粒CVD金刚石的场发射.
,
2007, 56(1): 143-146.
doi: 10.7498/aps.56.143
|
[9] |
冯增朝, 赵阳升, 吕兆兴. 二维孔隙裂隙双重介质逾渗规律研究.
,
2007, 56(5): 2796-2801.
doi: 10.7498/aps.56.2796
|
[10] |
杨学文, 郑家贵, 张静全, 冯良桓, 蔡 伟, 蔡亚平, 李 卫, 黎 兵, 雷 智, 武莉莉. CdTe/CdS太阳电池I-V,C-V特性研究.
,
2006, 55(5): 2504-2507.
doi: 10.7498/aps.55.2504
|
[11] |
江建军, 袁 林, 邓联文, 何华辉. 磁性纳米颗粒膜的微磁学模拟.
,
2006, 55(6): 3043-3048.
doi: 10.7498/aps.55.3043
|
[12] |
吴子华, 王万录, 廖克俊, 王永田, 胡陈果, 付光宗, 万步勇, 余 鹏. 多壁碳纳米管膜湿敏特性的研究.
,
2004, 53(10): 3462-3466.
doi: 10.7498/aps.53.3462
|
[13] |
叶超, 宁兆元, 程珊华, 辛煜, 许圣华. C═C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响.
,
2004, 53(5): 1496-1500.
doi: 10.7498/aps.53.1496
|
[14] |
刘 明, 刘 宏, 何宇亮. 纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性.
,
2003, 52(11): 2875-2878.
doi: 10.7498/aps.52.2875
|
[15] |
陈贵宾, 李志锋, 蔡炜颖, 何 力, 胡晓宁, 陆 卫, 沈学础. 质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究.
,
2003, 52(6): 1496-1499.
doi: 10.7498/aps.52.1496
|
[16] |
李观启, 尤文俊, 黄美浅, 曾绍洪, 黄钊洪. 硅衬底的SrTiO3淀积膜的湿敏特性与机理研究.
,
1998, 47(1): 160-167.
doi: 10.7498/aps.47.160
|
[17] |
叶高翔, 葛洪良, 许宇庆, 焦正宽, 张其瑞. 楔形薄膜逾渗系统的临界特性.
,
1995, 44(12): 1994-1999.
doi: 10.7498/aps.44.1994
|
[18] |
王劲松, 叶高翔, 许宇庆, 张其瑞. 无规分形衬底上银薄膜的I-V特性.
,
1994, 43(10): 1688-1692.
doi: 10.7498/aps.43.1688
|
[19] |
叶高翔, 许宇庆, 王劲松, 张其瑞. 无规分形衬底上银膜逾渗系统的交流特性.
,
1994, 43(4): 651-654.
doi: 10.7498/aps.43.651
|
[20] |
赵光林, 郑家祺, 王祖崙, 陈熙琛, 管惟炎. 急冷Al-Si-Ge超导合金的I-V特性.
,
1983, 32(8): 1079-1081.
doi: 10.7498/aps.32.1079
|