硫系非晶半导体薄膜中的超快光 Kerr效应

刘启明; 何漩; 干福熹; 钱士雄

doi:10.7498/aps.58.1002

摘要
利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3, As2Se3, GeS2, GeSe2, Ge20As25S55, Ge20As25Se55, Ge10As40S20
关键词:
全光开关 /

硫系非晶半导体薄膜 /

飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE) /

三阶非线性
Abstract

Amorphous chalcogenide As2S3, As2Se3, GeS2, GeSe2, Ge20As25S55, Ge20As25Se55, Ge10As40S20Se30 films were studied by femtosecond OHD-OKE. Ict was indicated that the third-order nonlinear susceptibility χ(3) was as large as 10-12 esu, and they also exhibited a very fast response time shorter than 200 fs. Their nonlinear refractive indices and absorption were also calculated from the above results. The ultrafast response and large third-order nonlinearity in amorphous chalcogenide films are attributed to the ultrafast distortion of the electron cloud of atoms.

Keywords:
all-optical switching /

amorphous chalcogenide film /

femtosecond OHD-OKE /

third-order nonlinearity
作者及机构信息

刘启明²,

何漩²,

干福熹³,

钱士雄¹

(1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：50772080)、国家教育部 “新世纪优秀人才支持计划”*(批准号：NCET-07-0651)和教育部科学研究重点项目(批准号：107078)资助的课题.
Authors and contacts

Liu Qi-Ming²,

He Xuan²,

Gan Fu-Xi³,

Qian Shi-Xiong¹

(1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800
参考文献

施引文献

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Ultrafast optical Kerr effect in amorphous chalcogenide films

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作者及机构信息

(1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800

Authors and contacts

(1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800

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Ultrafast optical Kerr effect in amorphous chalcogenide films

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(1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800

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(1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉 430070; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800

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