[1] |
李同锴, 徐征, 赵谡玲, 徐叙瑢, 薛俊明. 过渡区p型氢化硅氧薄膜结构和光电特性的研究.
,
2017, 66(19): 196801.
doi: 10.7498/aps.66.196801
|
[2] |
杨文献, 季莲, 代盼, 谭明, 吴渊渊, 卢建娅, 李宝吉, 顾俊, 陆书龙, 马忠权. 基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究.
,
2015, 64(17): 177802.
doi: 10.7498/aps.64.177802
|
[3] |
岳晓乐, 徐伟, 张莹, 王亮. 加性和乘性泊松白噪声联合激励下光滑非连续振子的随机响应.
,
2014, 63(6): 060502.
doi: 10.7498/aps.63.060502
|
[4] |
李钱光, 易煦农, 张秀, 吕昊, 丁么明. 双色场驱动不对称分子气体产生平台区超连续光谱.
,
2011, 60(1): 017203.
doi: 10.7498/aps.60.017203
|
[5] |
王晓璐, 徐梅, 令狐荣锋, 孙克斌, 杨向东. 氦同位素与氢分子碰撞的振转激发分波截面研究.
,
2010, 59(3): 1689-1694.
doi: 10.7498/aps.59.1689
|
[6] |
李永强, 吴建华, 袁建民. 等离子体屏蔽效应对原子能级和振子强度的影响.
,
2008, 57(7): 4042-4048.
doi: 10.7498/aps.57.4042
|
[7] |
崔执凤, 陈 东, 凤尔银, 季学韩, 陆同兴, 李学初. 激光诱导NO2分子500—532nm区荧光激发谱的实验研究.
,
2000, 49(11): 2151-2158.
doi: 10.7498/aps.49.2151
|
[8] |
钟志萍, 武淑兰, 徐 征, 朱林繁, 张晓军, 凤任飞, 徐克尊. 一氧化碳分立跃迁的光学振子强度和微分散射截面研究.
,
1998, 47(3): 419-427.
doi: 10.7498/aps.47.419
|
[9] |
凤任飞, 武淑兰, 刘颖辉, 暨青, 徐克尊. 氩原子近LⅡ,Ⅲ边结构和振子强度密度.
,
1997, 46(10): 1901-1905.
doi: 10.7498/aps.46.1901
|
[10] |
朱林繁, 钟志萍, 暨青, 张晓军, 武淑兰, 凤任飞, 徐克尊. 氧分子的价壳层光学振子强度研究.
,
1997, 46(3): 458-466.
doi: 10.7498/aps.46.458
|
[11] |
李泰华, 冯安平, 杨勇. 1—50ev能区e—He散射总截面的绝对测量.
,
1994, 43(3): 380-388.
doi: 10.7498/aps.43.380
|
[12] |
刘磊, 李家明. 振子强度密度理论研究——类锂离子3s态到p通道跃迁振子强度密度.
,
1993, 42(12): 1901-1909.
doi: 10.7498/aps.42.1901
|
[13] |
郑能武, 李国胜. 多电子原子和离子的等电子系参数的研究(Ⅱ)——跃迁概率与振子强度的计算.
,
1993, 42(5): 735-740.
doi: 10.7498/aps.42.735
|
[14] |
陈向军, 樊晓伟, 徐克尊, 杨炳忻, 邢士林, 王永刚, 张芳. 250—1400eV能区N2分子的电子散射全截面测量.
,
1992, 41(6): 885-889.
doi: 10.7498/aps.41.885
|
[15] |
袁相津, 董晨钟, 余庚荪. RuXIV离子能级和振子强度的理论计算.
,
1991, 40(8): 1253-1258.
doi: 10.7498/aps.40.1253
|
[16] |
蒋树声;李齐;徐秀英. 天然绿柱石晶体中生长区界面的X射线形貌和光学双折射形貌研究.
,
1989, 38(8): 1253-1258.
doi: 10.7498/aps.38.1253
|
[17] |
李白文;陈暖球;张学荣;张承修. Na原子高里德伯态的波函数和振子强度.
,
1987, 36(8): 998-1003.
doi: 10.7498/aps.36.998
|
[18] |
田伯刚, 李家明. 广义振子强度密度.
,
1984, 33(10): 1401-1407.
doi: 10.7498/aps.33.1401
|
[19] |
麦振洪, 崔树范, 林健, 吕岩. 氢气区熔硅单晶氢致缺陷的研究.
,
1984, 33(7): 921-926.
doi: 10.7498/aps.33.921
|
[20] |
刘敦桓. 过渡区偶-偶核的振转耦合.
,
1965, 21(5): 952-960.
doi: 10.7498/aps.21.952
|