应变层超晶格(InAs)n/(GaAs)n的电子结构与价带能量不连续性

柯三黄; 黄美纯; 王仁智

doi:10.7498/aps.44.1129

摘要

采用内部求和d轨道处理下的线性丸盒轨道方法,对在GaAs衬底上生长的应变层越晶格(InAs)_n/(GaAs)_n(001),(n=1,2,3,4,5)的电子结构进行了第一性原理计算,得出了其能带结构、带隙值和态密度分布.本文得出的(lnAs)_1(GaAs)_1在布里渊区中各高对称点的能隙值与从头赝势方法的计算结果相一致,得出的带隙值与光致发光实验结果符合得很好.为了确定该系统的价带能量不连续值(△E_(?)),并全面考虑各因素对其的影响,本文提出一种基于自治超原胞计算及其冻结势处理下的形变势方法.该方
Abstract
作者及机构信息
柯三黄,

黄美纯,

王仁智

1.
厦门大学物理系,厦门361005

基金项目: 福建省自然科学基金;;国家自然科学基金资助的课题
Authors and contacts
Ke San-Huang,

Huang Mei-Chun,

Wang Ren-Zhi

1.
厦门大学物理系,厦门361005
参考文献

施引文献

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