| [1] |
胡跃辉, 阴生毅, 陈光华, 吴越颖, 周小明, 周健儿, 王 青, 张文理. MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究.
,
2004, 53(7): 2263-2269.
doi: 10.7498/aps.53.2263
|
| [2] |
徐艳月, 孔光临, 张世斌, 胡志华, 曾湘波, 刁宏伟, 廖显伯. 稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析.
,
2003, 52(6): 1465-1468.
doi: 10.7498/aps.52.1465
|
| [3] |
王洪, 朱美芳, 郑德娟. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中空间电势分布和光电导的理论计算.
,
1992, 41(8): 1338-1344.
doi: 10.7498/aps.41.1338
|
| [4] |
王印月, 许怀哲, 陈光华. 反应溅射a-Si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性.
,
1992, 41(2): 302-305.
doi: 10.7498/aps.41.302
|
| [5] |
黄旭光, 汪河洲, 佘卫龙, 李庆行, 余振新, 金波, 彭少麒. a-Si:H/a-SiNx:H多层膜的皮秒时间分辨光致发光.
,
1991, 40(10): 1677-1682.
doi: 10.7498/aps.40.1677
|
| [6] |
钟战天, 王大文, 廖显伯, 范越, 李承芳, 牟善明. Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究.
,
1991, 40(2): 275-280.
doi: 10.7498/aps.40.275
|
| [7] |
王志超, 滕敏康, 刘吟春. 用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面缺陷.
,
1991, 40(12): 1973-1979.
doi: 10.7498/aps.40.1973
|
| [8] |
朱美芳, 宗军, 张秀增. 不同含氮量的a-Si:H/a-SiNx:H超晶格界面性质的研究.
,
1991, 40(2): 253-261.
doi: 10.7498/aps.40.253
|
| [9] |
张仿清, 贺德衍, 宋志忠, 柯宁, 陈光华. B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散.
,
1990, 39(12): 1982-1988.
doi: 10.7498/aps.39.1982
|
| [10] |
张瑞勤, 戴国才, 关大任, 蔡政亭. a-Si:H中本征缺陷引起的赝隙态.
,
1989, 38(1): 163-169.
doi: 10.7498/aps.38.163
|
| [11] |
彭少麒；苏子敏；刘景希. a-Si:H结的横向光生伏特效应.
,
1989, 38(8): 1235-1244.
doi: 10.7498/aps.38.1235
|
| [12] |
戴国才, 张瑞勤, 关大任, 蔡政亭. a-Si:H掺杂机理的研究.
,
1989, 38(5): 829-833.
doi: 10.7498/aps.38.829
|
| [13] |
王志超, 滕敏康, 张淑仪, 葛网大, 邱树业. a-Si:H和a-SiNx:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合.
,
1988, 37(8): 1291-1297.
doi: 10.7498/aps.37.1291
|
| [14] |
程兴奎, 赵文瑾, 戴国才. 高电导a-Si:H:Y合金的电输运特性.
,
1988, 37(3): 481-484.
doi: 10.7498/aps.37.481
|
| [15] |
王志超, 刘湘娜, 冯小梅, 耿晰昇. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格薄膜的光学性质.
,
1988, 37(2): 189-196.
doi: 10.7498/aps.37.189
|
| [16] |
王树林, 程如光. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格的掺杂效应.
,
1988, 37(7): 1119-1123.
doi: 10.7498/aps.37.1119
|
| [17] |
陈光华, 彭应全, 陈继红. a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论.
,
1987, 36(4): 524-528.
doi: 10.7498/aps.36.524
|
| [18] |
王万录, 廖克俊. 非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究.
,
1987, 36(12): 1529-1537.
doi: 10.7498/aps.36.1529
|
| [19] |
苏子敏, 彭少麒. 用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布.
,
1986, 35(6): 731-740.
doi: 10.7498/aps.35.731
|
| [20] |
何宇亮, 颜永红. 晶化对A-Si:H膜中氢含量及键合形式的作用.
,
1984, 33(10): 1472-1474.
doi: 10.7498/aps.33.1472
|
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