| [1] |
刘洁, 王禄, 孙令, 王文奇, 吴海燕, 江洋, 马紫光, 王文新, 贾海强, 陈弘. 基于p-n结中反常光电转换现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器.
,
2018, 67(12): 128101.
doi: 10.7498/aps.67.20180588
|
| [2] |
李群, 屈媛, 班士良. 缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响.
,
2017, 66(7): 077301.
doi: 10.7498/aps.66.077301
|
| [3] |
赵凤岐, 张敏, 李志强, 姬延明. 纤锌矿In0.19Ga0.81N/GaN量子阱中光学声子和内建电场对束缚极化子结合能的影响.
,
2014, 63(17): 177101.
doi: 10.7498/aps.63.177101
|
| [4] |
陈茜, 王海龙, 汪辉, 龚谦, 宋志棠. Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率.
,
2013, 62(22): 226301.
doi: 10.7498/aps.62.226301
|
| [5] |
李明, 张荣, 刘斌, 傅德颐, 赵传阵, 谢自力, 修向前, 郑有炓. AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究.
,
2012, 61(2): 027103.
doi: 10.7498/aps.61.027103
|
| [6] |
胡长城, 叶慧琪, 王刚, 刘宝利. GaAs/AlGaAs多量子阱中载流子动力学的实验研究.
,
2011, 60(1): 017803.
doi: 10.7498/aps.60.017803
|
| [7] |
宋迎新, 郑卫民, 刘静, 初宁宁, 李素梅. 量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响.
,
2009, 58(9): 6471-6476.
doi: 10.7498/aps.58.6471
|
| [8] |
商丽燕, 林 铁, 周文政, 黄志明, 李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 郭少令, 褚君浩. In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.
,
2008, 57(4): 2481-2485.
doi: 10.7498/aps.57.2481
|
| [9] |
商丽燕, 林 铁, 周文政, 郭少令, 李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 褚君浩. 两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律.
,
2008, 57(6): 3818-3822.
doi: 10.7498/aps.57.3818
|
| [10] |
张 红, 刘 磊, 刘建军. 对称GaAs/Al0.3Ga0.7As双量子阱中激子的束缚能.
,
2007, 56(1): 487-490.
doi: 10.7498/aps.56.487
|
| [11] |
王 茺, 刘昭麟, 陈平平, 崔昊杨, 夏长生, 杨 宇, 陆 卫. 应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究.
,
2007, 56(9): 5418-5423.
doi: 10.7498/aps.56.5418
|
| [12] |
李良新, 胡勇华. 可用于红外探测器的自组织量子线及其带间和子带间光学跃迁.
,
2005, 54(2): 848-856.
doi: 10.7498/aps.54.848
|
| [13] |
卢励吾, 张砚华, 杨国文, 王占国, J.WANG, Y.WANG, WEIKUN GE. 赝配GaAs/In0.2Ga0.8As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量.
,
1998, 47(8): 1339-1345.
doi: 10.7498/aps.47.1339
|
| [14] |
朱文章, 沈顗华. GaAs/AlGaAs多量子阱光生电压谱研究.
,
1996, 45(2): 258-264.
doi: 10.7498/aps.45.258
|
| [15] |
徐至中. 势垒区δ掺杂量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的子带间跃迁光吸收系数.
,
1996, 45(10): 1762-1770.
doi: 10.7498/aps.45.1762
|
| [16] |
潘士宏, 黄晖, 张存洲, R. N. SACKS. GaAs/Al0.23Ga0.77As双量子阱的带边不连续性和阱间耦合.
,
1992, 41(8): 1322-1329.
doi: 10.7498/aps.41.1322
|
| [17] |
谢苑林, 陈正豪, 周岳亮, 杨国桢, 顾世杰. 一种获得GaAs/GaAlAs多量子阱材料带边附近折射率色散关系的方法.
,
1990, 39(6): 135-141.
doi: 10.7498/aps.39.135
|
| [18] |
朱嘉麟, 唐道华, 熊家炯, 顾秉林. 电场下GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中的子带和激子.
,
1989, 38(3): 385-393.
doi: 10.7498/aps.38.385
|
| [19] |
贾惟义, 鲁志东, 黄绮, 周均铭, 李永康, 王彦云. GaAs/GaAlAs多量子阱的光致荧光诊断.
,
1988, 37(6): 906-915.
doi: 10.7498/aps.37.906
|
| [20] |
徐仲英, 李玉璋, 徐俊英, 许继宗, 郑宝真, 庄蔚华, 葛惟锟. GaAs-GaAlAs多量子阱结构中热载流子弛豫过程.
,
1987, 36(10): 1336-1343.
doi: 10.7498/aps.36.1336
|
下载:
