[1] |
李勇, 王应, 李尚升, 李宗宝, 罗开武, 冉茂武, 宋谋胜. 硼硫协同掺杂金刚石的高压合成与电学性能研究.
,
2019, 68(9): 098101.
doi: 10.7498/aps.68.20190133
|
[2] |
林雪玲, 潘凤春. 氮掺杂的金刚石磁性研究.
,
2013, 62(16): 166102.
doi: 10.7498/aps.62.166102
|
[3] |
余波, 陈伯伦, 侯立飞, 苏明, 黄天晅, 刘慎业. 化学气相沉积金刚石探测器测量辐射驱动内爆的硬X射线.
,
2013, 62(5): 058102.
doi: 10.7498/aps.62.058102
|
[4] |
杨发展, 沈丽如, 王世庆, 唐德礼, 金凡亚, 刘海峰. 等离子体增强化学气相沉积法制备含氢类金刚石膜的紫外Raman光谱和X射线光电子能谱研究.
,
2013, 62(1): 017802.
doi: 10.7498/aps.62.017802
|
[5] |
胡美华, 马红安, 颜丙敏, 张壮飞, 李勇, 周振翔, 秦杰明, 贾晓鹏. 高长径比柱状金刚石的高温高压合成与机理研究.
,
2012, 61(7): 078102.
doi: 10.7498/aps.61.078102
|
[6] |
侯立飞, 李芳, 袁永腾, 杨国洪, 刘慎业. 化学气相沉积金刚石探测器测量软X射线能谱.
,
2010, 59(2): 1137-1142.
doi: 10.7498/aps.59.1137
|
[7] |
梁中翥, 梁静秋, 郑娜, 姜志刚, 王维彪, 方伟. 吸收辐射复合金刚石膜的制备及光学研究.
,
2009, 58(11): 8033-8038.
doi: 10.7498/aps.58.8033
|
[8] |
梁中翥, 梁静秋, 郑娜, 贾晓鹏, 李桂菊. 掺氮金刚石的光学吸收与氮杂质含量的分析研究.
,
2009, 58(11): 8039-8043.
doi: 10.7498/aps.58.8039
|
[9] |
刘燕燕, E. Bauer-Grosse, 张庆瑜. 一氧化碳合成金刚石薄膜的形貌和结构分析.
,
2007, 56(11): 6572-6579.
doi: 10.7498/aps.56.6572
|
[10] |
刘存业, 刘 畅. CVD金刚石膜的结构分析.
,
2003, 52(6): 1479-1483.
doi: 10.7498/aps.52.1479
|
[11] |
戚泽明, 施朝淑, 王正, 魏亚光, 谢亚宁, 胡天斗, 李福利. 非晶和纳米ZrO2·Y2O3(15%)的X射线衍射与扩展X射线吸收精细结构研究.
,
2001, 50(7): 1318-1323.
doi: 10.7498/aps.50.1318
|
[12] |
李刘合, 张海泉, 崔旭明, 张彦华, 夏立芳, 马欣新, 孙跃. X射线光电子能谱辅助Raman光谱分析类金刚石碳膜的结构细节.
,
2001, 50(8): 1549-1554.
doi: 10.7498/aps.50.1549
|
[13] |
陈光华, 张兴旺, 季亚英, 严辉. 金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究.
,
1997, 46(6): 1188-1192.
doi: 10.7498/aps.46.1188
|
[14] |
廖克俊, 王万录. 直流等离子体CVD法合成的金刚石膜的断裂强度研究.
,
1994, 43(9): 1559-1563.
doi: 10.7498/aps.43.1559
|
[15] |
冯小松, 唐景昌. C2H4/Ni(100)近边X射线吸收谱的多重散射理论研究.
,
1993, 42(4): 647-655.
doi: 10.7498/aps.42.647
|
[16] |
彭少麒, 刘国洪. 类金刚石a-C:H膜的热释氢和红外吸收研究.
,
1988, 37(7): 1209-1212.
doi: 10.7498/aps.37.1209
|
[17] |
高濂. 金刚石合成中的成核问题.
,
1982, 31(8): 1090-1096.
doi: 10.7498/aps.31.1090
|
[18] |
高濂. 金刚石合成中的结构转化.
,
1982, 31(8): 1085-1089.
doi: 10.7498/aps.31.1085
|
[19] |
程月英, 陈景章, 陈良辰. 超高压下生长多晶金刚石中触媒金属Ni的扩散及分布.
,
1980, 29(11): 1507-1512.
doi: 10.7498/aps.29.1507
|
[20] |
刘光照. 在熔融金属溶液中石墨在金刚石稳定区结晶的可能性.
,
1979, 28(3): 334-340.
doi: 10.7498/aps.28.334
|