| [1] |
王巨丰, 田明阳, 杜宏健, 马传许, 王兵. PbBi3低温合金薄膜的制备和超导性质.
,
2022, 71(12): 127401.
doi: 10.7498/aps.71.20220050
|
| [2] |
程鹏, 杨育梅. 临界电流密度对圆柱状超导体力学特性的影响.
,
2019, 68(18): 187402.
doi: 10.7498/aps.68.20190759
|
| [3] |
郭志超, 李平林. 晶粒细化对MgB2超导临界电流密度的作用.
,
2014, 63(6): 067401.
doi: 10.7498/aps.63.067401
|
| [4] |
岳建岭, 孔 明, 赵文济, 李戈扬. 反应溅射VN/SiO2纳米多层膜的微结构与力学性能.
,
2007, 56(3): 1568-1573.
doi: 10.7498/aps.56.1568
|
| [5] |
赵文济, 孔 明, 黄碧龙, 李戈扬. SiO2的赝晶化及AlN/SiO2纳米多层膜的超硬效应.
,
2007, 56(3): 1574-1580.
doi: 10.7498/aps.56.1574
|
| [6] |
魏 仑, 梅芳华, 邵 楠, 李戈扬, 李建国. TiN/SiO2纳米多层膜的晶体生长与超硬效应.
,
2005, 54(4): 1742-1748.
doi: 10.7498/aps.54.1742
|
| [7] |
葛世慧, 刘春明, 寇晓明, 姜丽仙, 李斌生, 李成贤. 不连续Co/SiO2多层膜的结构及其输运性质的研究.
,
2004, 53(10): 3555-3559.
doi: 10.7498/aps.53.3555
|
| [8] |
乔 峰, 黄信凡, 朱 达, 马忠元, 邹和成, 隋妍萍, 李 伟, 周晓辉, 陈坤基. 激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜.
,
2004, 53(12): 4303-4307.
doi: 10.7498/aps.53.4303
|
| [9] |
隋妍萍, 马忠元, 陈坤基, 李 伟, 徐 骏, 黄信凡. nc-Si/SiO2多层膜的制备及蓝光发射.
,
2003, 52(4): 989-992.
doi: 10.7498/aps.52.989
|
| [10] |
冯 倩, 黄志高, 都有为. 磁性多层膜磁特性的表面效应.
,
2003, 52(11): 2906-2911.
doi: 10.7498/aps.52.2906
|
| [11] |
葛洪良, 冯春木, 叶高翔, 张其瑞. 弥散边缘型分形金簿膜的临界特性.
,
1997, 46(1): 134-139.
doi: 10.7498/aps.46.134
|
| [12] |
赵勇, 诸葛向彬, 何业冶. 典型颗粒超导体YBa2Cu3O7/V2O5中临界电流随温度变化的特性.
,
1994, 43(10): 1693-1703.
doi: 10.7498/aps.43.1693
|
| [13] |
刘志宏, 陈蒲生, 刘百勇, 郑耀宗. 150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性.
,
1991, 40(1): 154-160.
doi: 10.7498/aps.40.154
|
| [14] |
张裕恒, 刘宏宝, 陈赓华. 超导交叉膜隧道结的电流-电压滞迴.
,
1985, 34(4): 429-438.
doi: 10.7498/aps.34.429
|
| [15] |
龚昌德, 邢定钰, 刘楣. N-S多层薄膜结构的超导临界温度讨论.
,
1984, 33(7): 967-974.
doi: 10.7498/aps.33.967
|
| [16] |
吴杭生, 顾一鸣. 理想第二类超导薄膜的纵场临界电流.
,
1983, 32(5): 607-617.
doi: 10.7498/aps.32.607
|
| [17] |
蔡学榆, 尹道乐. Nb-Cu多层膜超导体临界温度的计算.
,
1983, 32(5): 681-684.
doi: 10.7498/aps.32.681
|
| [18] |
蔡学榆, 尹道乐. 多层膜超导体的邻近效应.
,
1981, 30(5): 700-704.
doi: 10.7498/aps.30.700
|
| [19] |
吴杭生. 载有电流的超导膜的能隙和临界电流.
,
1966, 22(7): 765-769.
doi: 10.7498/aps.22.765
|
| [20] |
陈普芬, 郑国光, 管惟炎. 测定超导体临界特性曲线的新方法.
,
1965, 21(5): 889-896.
doi: 10.7498/aps.21.889
|
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