[1] |
刘文姝, 高润亮, 冯红梅, 刘悦悦, 黄怡, 王建波, 刘青芳. 真空磁场热处理温度对不同厚度的Ni88Cu12薄膜畴结构及磁性的影响.
,
2020, 69(9): 097401.
doi: 10.7498/aps.69.20191942
|
[2] |
汤卉, 唐新桂, 蒋艳平, 刘秋香, 李文华. 铌酸锶钡陶瓷中氧空位对离子电导率和弛豫现象的影响.
,
2019, 68(22): 227701.
doi: 10.7498/aps.68.20190562
|
[3] |
王松, 武占成, 唐小金, 孙永卫, 易忠. 聚酰亚胺电导率随温度和电场强度的变化规律.
,
2016, 65(2): 025201.
doi: 10.7498/aps.65.025201
|
[4] |
徐军, 陈钢. 热处理温度对量子点粒度分布的影响.
,
2015, 64(12): 127302.
doi: 10.7498/aps.64.127302
|
[5] |
罗 涛, 朱 伟, 石勤伟, 王晓平. 准粒子谱函数对单层石墨片最小电导率的影响.
,
2008, 57(6): 3775-3779.
doi: 10.7498/aps.57.3775
|
[6] |
崔 灿, 马向阳, 杨德仁. 低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响.
,
2008, 57(2): 1037-1042.
doi: 10.7498/aps.57.1037
|
[7] |
徐任信, 陈 文, 周 静. 聚合物电导率对0-3型压电复合材料极化性能的影响.
,
2006, 55(8): 4292-4297.
doi: 10.7498/aps.55.4292
|
[8] |
石雁祥, 葛德彪, 吴 健. 尘埃粒子充放电过程对尘埃等离子体电导率的影响.
,
2006, 55(10): 5318-5324.
doi: 10.7498/aps.55.5318
|
[9] |
郭洪霞, 麦振洪. 电导率对电流变效应的影响.
,
1996, 45(1): 65-72.
doi: 10.7498/aps.45.65
|
[10] |
苏昉, 吴希俊, 秦晓英, 谢斌, 纪小丽. 纳米CaF2和纳米Ca0.75La0.25F2.25的结构对离子电导率的影响.
,
1993, 42(6): 969-977.
doi: 10.7498/aps.42.969
|
[11] |
王洪, 朱美芳, 郑德娟. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中空间电势分布和光电导的理论计算.
,
1992, 41(8): 1338-1344.
doi: 10.7498/aps.41.1338
|
[12] |
蒋祺, 龚昌德. 等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响.
,
1989, 38(4): 600-606.
doi: 10.7498/aps.38.600
|
[13] |
王志超, 滕敏康, 张淑仪, 葛网大, 邱树业. a-Si:H和a-SiNx:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合.
,
1988, 37(8): 1291-1297.
doi: 10.7498/aps.37.1291
|
[14] |
程兴奎, 赵文瑾, 戴国才. 高电导a-Si:H:Y合金的电输运特性.
,
1988, 37(3): 481-484.
doi: 10.7498/aps.37.481
|
[15] |
王万录, 廖克俊. 非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究.
,
1987, 36(12): 1529-1537.
doi: 10.7498/aps.36.1529
|
[16] |
陈光华, 彭应全, 陈继红. a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论.
,
1987, 36(4): 524-528.
doi: 10.7498/aps.36.524
|
[17] |
杨原, 俞文海. 等温热处理过程中一种非晶态Li+导体电导行为的研究.
,
1985, 34(7): 925-932.
doi: 10.7498/aps.34.925
|
[18] |
沈中毅, 殷岫君, 张云, 洪景新, 何寿安, 储少岩. (Fe0.1Co0.55Ni0.3578Si8B14金属玻璃的晶化过程及压力的影响(Ⅱ)——晶化温度和晶化激活能.
,
1985, 34(10): 1327-1335.
doi: 10.7498/aps.34.1327
|
[19] |
何宇亮, 颜永红. 晶化对A-Si:H膜中氢含量及键合形式的作用.
,
1984, 33(10): 1472-1474.
doi: 10.7498/aps.33.1472
|
[20] |
李国栋, 谭生樹. 热处理对鑥铁氧体和锰铁氧体单晶铁磁共振的影响.
,
1964, 20(3): 261-269.
doi: 10.7498/aps.20.261
|