[1] |
李俊鹏, 任泽阳, 张金风, 王晗雪, 马源辰, 费一帆, 黄思源, 丁森川, 张进成, 郝跃. 多晶金刚石薄膜硅空位色心形成机理及调控.
,
2023, 72(3): 038102.
doi: 10.7498/aps.72.20221437
|
[2] |
刘庆彬, 蔚翠, 郭建超, 马孟宇, 何泽召, 周闯杰, 高学栋, 余浩, 冯志红. 多晶金刚石对硅基氮化镓材料的影响.
,
2023, 72(9): 098104.
doi: 10.7498/aps.72.20221942
|
[3] |
邢雨菲, 任泽阳, 张金风, 苏凯, 丁森川, 何琦, 张进成, 张春福, 郝跃. 氢终端单晶金刚石反相器特性.
,
2022, 71(8): 088102.
doi: 10.7498/aps.71.20211447
|
[4] |
刘刚钦. 极端条件下的金刚石自旋量子传感.
,
2022, 71(6): 066101.
doi: 10.7498/aps.71.20212072
|
[5] |
张金风, 杨鹏志, 任泽阳, 张进成, 许晟瑞, 张春福, 徐雷, 郝跃. 高跨导氢终端多晶金刚石长沟道场效应晶体管特性研究.
,
2018, 67(6): 068101.
doi: 10.7498/aps.67.20171965
|
[6] |
林雪玲, 潘凤春. 氮掺杂的金刚石磁性研究.
,
2013, 62(16): 166102.
doi: 10.7498/aps.62.166102
|
[7] |
胡美华, 毕宁, 李尚升, 宿太超, 李小雷, 胡强, 贾晓鹏, 马红安. 国产六面顶压机多晶种法合成宝石级金刚石单晶.
,
2013, 62(18): 188103.
doi: 10.7498/aps.62.188103
|
[8] |
杨延宁, 张志勇, 张富春, 张威虎, 闫军锋, 翟春雪. 纳米金刚石的变温场发射.
,
2010, 59(4): 2666-2671.
doi: 10.7498/aps.59.2666
|
[9] |
李荣斌. 掺杂CVD金刚石薄膜的应力分析.
,
2007, 56(6): 3428-3434.
doi: 10.7498/aps.56.3428
|
[10] |
元 光, 郭大勃, 顾长志, 窦 艳, 宋 航. 单颗粒CVD金刚石的场发射.
,
2007, 56(1): 143-146.
doi: 10.7498/aps.56.143
|
[11] |
欧阳晓平, 王 兰, 范如玉, 张忠兵, 王 伟, 吕反修, 唐伟忠, 陈广超. 金刚石膜探测器研制.
,
2006, 55(5): 2170-2174.
doi: 10.7498/aps.55.2170
|
[12] |
胡晓君, 李荣斌, 沈荷生, 何贤昶, 邓 文, 罗里熊. 掺杂金刚石薄膜的缺陷研究.
,
2004, 53(6): 2014-2018.
doi: 10.7498/aps.53.2014
|
[13] |
刘存业, 刘 畅. CVD金刚石膜的结构分析.
,
2003, 52(6): 1479-1483.
doi: 10.7498/aps.52.1479
|
[14] |
韩祀瑾, 陈金松, 方容川, 尚乃贵, 邵庆益, 乐德芬, 廖 源, 叶祉渊, 易 波, 崔景彪. 金刚石薄膜在多晶铜和磷脱氧铜基片上的生长.
,
1998, 47(4): 686-691.
doi: 10.7498/aps.47.686
|
[15] |
顾长志, 金曾孙, 吕宪义, 邹广田, 张纪法, 方容川. 高导热金刚石薄膜的研究.
,
1997, 46(10): 1984-1989.
doi: 10.7498/aps.46.1984
|
[16] |
高濂. 金刚石合成中的成核问题.
,
1982, 31(8): 1090-1096.
doi: 10.7498/aps.31.1090
|
[17] |
高濂. 金刚石合成中的结构转化.
,
1982, 31(8): 1085-1089.
doi: 10.7498/aps.31.1085
|
[18] |
程月英, 陈景章, 陈良辰. 超高压下生长多晶金刚石中触媒金属Ni的扩散及分布.
,
1980, 29(11): 1507-1512.
doi: 10.7498/aps.29.1507
|
[19] |
沈主同, 王莉君, 杨奕娟, 聂建军, 刘宇明, 张军. 高压下多晶体金刚石的烧结机制——二元掺杂物和金刚石的相互作用.
,
1978, 27(3): 344-348.
doi: 10.7498/aps.27.344
|
[20] |
刘世超, 王莉君, 成向荣, 孙帼显, 李家璘, 胡欣德, 沈主同. 静压法烧结大颗粒多晶体金刚石.
,
1977, 26(4): 363-366.
doi: 10.7498/aps.26.363
|