1989年 38卷 第11期
1989, 38(11): 1727-1732.
doi: 10.7498/aps.38.1727
摘要:
本文利用霍耳测量、红外测量及透射电子显微镜等手段,对热处理CZ-Si中的新施主及氧沉淀进行了研究。常规电子显微镜(TEM)结果表明,经650—750℃热处理的CZ-Si中主要形成点状及杆状缺陷。新施主的形成与点状缺陷关系密切。根据高分辨电子显微镜(HREM)观察,这些点状缺陷相当于晶体结构为β-方石英的片状SiO2晶态沉淀,它们与硅基体界面上有半数硅原子处于失配状态,失配原子的悬挂键可以成为新施主的来源。新施主的产生受控于β-方石英沉淀物的形核、长大及其结构变化。
本文利用霍耳测量、红外测量及透射电子显微镜等手段,对热处理CZ-Si中的新施主及氧沉淀进行了研究。常规电子显微镜(TEM)结果表明,经650—750℃热处理的CZ-Si中主要形成点状及杆状缺陷。新施主的形成与点状缺陷关系密切。根据高分辨电子显微镜(HREM)观察,这些点状缺陷相当于晶体结构为β-方石英的片状SiO2晶态沉淀,它们与硅基体界面上有半数硅原子处于失配状态,失配原子的悬挂键可以成为新施主的来源。新施主的产生受控于β-方石英沉淀物的形核、长大及其结构变化。
1989, 38(11): 1733-1739.
doi: 10.7498/aps.38.1733
摘要:
本文提出用电子自旋共振(ESR)波谱的对数直线法确定ZnS:Mn的结构相变温度,在研究微量掺杂离子影响ZnS微晶结构相变温度的实验分析中取得满意的结果,克服了X射线衍射对Mn2+浓度在10-3—10-6g/g范围内ZnS相变温度不能区分的困难。
本文提出用电子自旋共振(ESR)波谱的对数直线法确定ZnS:Mn的结构相变温度,在研究微量掺杂离子影响ZnS微晶结构相变温度的实验分析中取得满意的结果,克服了X射线衍射对Mn2+浓度在10-3—10-6g/g范围内ZnS相变温度不能区分的困难。
1989, 38(11): 1740-1747.
doi: 10.7498/aps.38.1740
摘要:
本文总结了近几年来用格林函数方法研究氢键铁电体相变所取得的一些进展。首先讨论了在计入四体相互作用的赝自旋系统中,用玻色型格林函数求相关函数时,需用待定常数方法才能得到正确的结果。其次提出了根据序参数与温度之间的关系式,如何通过极值条件确定系统相变性质的方法。第三得到了赝自旋系统临界相变所满足的关系式和相图,以及系统一级铁电相变的产生是四体相互作用贡献的结果。
本文总结了近几年来用格林函数方法研究氢键铁电体相变所取得的一些进展。首先讨论了在计入四体相互作用的赝自旋系统中,用玻色型格林函数求相关函数时,需用待定常数方法才能得到正确的结果。其次提出了根据序参数与温度之间的关系式,如何通过极值条件确定系统相变性质的方法。第三得到了赝自旋系统临界相变所满足的关系式和相图,以及系统一级铁电相变的产生是四体相互作用贡献的结果。
1989, 38(11): 1748-1754.
doi: 10.7498/aps.38.1748
摘要:
本文基于有序-无序相变模型,从热力学上给出在的Pb(Mg,Nb)O3系统中的有序态,同时得到了长程序参量与B位离子组份的关系曲线,并在此基础上,利用电荷平衡条件,在二维平面上和三维空间里分别提出了有序畴的生长模型。计算结果与实验结果基本符合。
本文基于有序-无序相变模型,从热力学上给出在的Pb(Mg,Nb)O3系统中的有序态,同时得到了长程序参量与B位离子组份的关系曲线,并在此基础上,利用电荷平衡条件,在二维平面上和三维空间里分别提出了有序畴的生长模型。计算结果与实验结果基本符合。
1989, 38(11): 1755-1760.
doi: 10.7498/aps.38.1755
摘要:
利用“四能级”模型,对吸附于金属岛膜上的染料分子的表现荧光增强因子随分子表面覆盖度和分子的荧光量子效率的变化进行了理论分析,同时测量了吸附于银岛膜上的荧光素钠分子和若丹明6G分子的表观荧光增强因子随分子荧光量于效率的变化。
利用“四能级”模型,对吸附于金属岛膜上的染料分子的表现荧光增强因子随分子表面覆盖度和分子的荧光量子效率的变化进行了理论分析,同时测量了吸附于银岛膜上的荧光素钠分子和若丹明6G分子的表观荧光增强因子随分子荧光量于效率的变化。
1989, 38(11): 1761-1770.
doi: 10.7498/aps.38.1761
摘要:
本文根据辐射的量子理论,对超Raman散射强度进行了计算。从理论上直接断言:所有具有振动红外活性的Raman介质都同时具有振动超Raman活性。由于偶极跃迁几率只对反Stokes超Raman散射线有贡献,所以反Stokes线与Stokes线的强度公式不对称,前者含有更丰富的频谱。并且对于低波数频移,即使在室温条件下,两者也几乎有同数量级的强度。最后讨论了超Raman散射中的共振效应。
本文根据辐射的量子理论,对超Raman散射强度进行了计算。从理论上直接断言:所有具有振动红外活性的Raman介质都同时具有振动超Raman活性。由于偶极跃迁几率只对反Stokes超Raman散射线有贡献,所以反Stokes线与Stokes线的强度公式不对称,前者含有更丰富的频谱。并且对于低波数频移,即使在室温条件下,两者也几乎有同数量级的强度。最后讨论了超Raman散射中的共振效应。
1989, 38(11): 1771-1777.
doi: 10.7498/aps.38.1771
摘要:
对Ta2O5/Ta样品界面区的深度剖面曲线进行了研究。基于离子溅射引起影响层存在的考虑,提出一种解释该曲线的新模型。通过此模型能很好地拟合实验曲线,并反映了溅射过程中的离子混合效应、原子堆积效应及相应的特征参数。样品由阳极氧化法制得,其厚度为500埃。表面分析在PHI-590型扫描俄歇微探针上完成,所有测量均在室温下进行。研究表明:深度剖面曲线并不符合误差函数分布;影响层的厚度为30—50埃,它是进行深度剖面分析时,决定元素俄歇信号强度的第一位重要因素;深度剖面
对Ta2O5/Ta样品界面区的深度剖面曲线进行了研究。基于离子溅射引起影响层存在的考虑,提出一种解释该曲线的新模型。通过此模型能很好地拟合实验曲线,并反映了溅射过程中的离子混合效应、原子堆积效应及相应的特征参数。样品由阳极氧化法制得,其厚度为500埃。表面分析在PHI-590型扫描俄歇微探针上完成,所有测量均在室温下进行。研究表明:深度剖面曲线并不符合误差函数分布;影响层的厚度为30—50埃,它是进行深度剖面分析时,决定元素俄歇信号强度的第一位重要因素;深度剖面
1989, 38(11): 1778-1784.
doi: 10.7498/aps.38.1778
摘要:
本文运用实空间重整化群方法研究了有任意带满的无自旋的Fermi系统的行为。对于一维,求得了系统的基态能、相关函数和相关的临界分量,并与各向同性的s=1/2的X-Y模型进行了比较。对于D>1维,定性地讨论了系统的相关函数及临界分量。
本文运用实空间重整化群方法研究了有任意带满的无自旋的Fermi系统的行为。对于一维,求得了系统的基态能、相关函数和相关的临界分量,并与各向同性的s=1/2的X-Y模型进行了比较。对于D>1维,定性地讨论了系统的相关函数及临界分量。
1989, 38(11): 1785-1791.
doi: 10.7498/aps.38.1785
摘要:
本文从理论和实验两个方面探讨了同位素溅射角分布问题。从实验上得到的同位素溅射角分布曲线表明,在垂直靶面方向轻同位素择尤溅射,而在倾斜方向,则重同位素择尤溅射。在理论上考虑了原子级联碰撞过程中的能量和动量传输的不对称性,给出了一个与实验结果相符的同位素溅射角分布表达式。
本文从理论和实验两个方面探讨了同位素溅射角分布问题。从实验上得到的同位素溅射角分布曲线表明,在垂直靶面方向轻同位素择尤溅射,而在倾斜方向,则重同位素择尤溅射。在理论上考虑了原子级联碰撞过程中的能量和动量传输的不对称性,给出了一个与实验结果相符的同位素溅射角分布表达式。
1989, 38(11): 1792-1801.
doi: 10.7498/aps.38.1792
摘要:
本文报道为验证新的原子碰撞机制所进行的56Fe共振弹性散射实验。在质子能量为2.52MeV共振处,观察到了56Fe原子KX射线发射几率随入射能量不再保持平滑连续的变化关系,而是呈现出有大于50%的相对变化。这一实验结果表明,当原子电子结合能UK及共振宽度Г的比值UK/Г大到5.27的条件下,入射粒子在形成复合核前的碰撞电离反复合核共振散射出射粒子碰撞电离之间仍存在着干涉效应。利用Blair-Anh
本文报道为验证新的原子碰撞机制所进行的56Fe共振弹性散射实验。在质子能量为2.52MeV共振处,观察到了56Fe原子KX射线发射几率随入射能量不再保持平滑连续的变化关系,而是呈现出有大于50%的相对变化。这一实验结果表明,当原子电子结合能UK及共振宽度Г的比值UK/Г大到5.27的条件下,入射粒子在形成复合核前的碰撞电离反复合核共振散射出射粒子碰撞电离之间仍存在着干涉效应。利用Blair-Anh
1989, 38(11): 1802-1808.
doi: 10.7498/aps.38.1802
摘要:
本文根据相对论性自洽场理论,计算了原子序数从2到95的各种离化态原子激发态能级,从而总结了s,p,d,f和g通道的量子数亏损。阐明了量子数亏损随着原子序、电离度(或电子占有数)和电子轨道能量变化的规律。在此基础上可以建立离化态原子激发态量子数亏损数据库。
本文根据相对论性自洽场理论,计算了原子序数从2到95的各种离化态原子激发态能级,从而总结了s,p,d,f和g通道的量子数亏损。阐明了量子数亏损随着原子序、电离度(或电子占有数)和电子轨道能量变化的规律。在此基础上可以建立离化态原子激发态量子数亏损数据库。
1989, 38(11): 1809-1817.
doi: 10.7498/aps.38.1809
摘要:
本文讨论了一般的非么正变换系统中二维波场分布的相位恢复问题。利用我们所建立的迭代算法,以一个具有衍射损耗的光学系统作为模型,对五个二维象差函数进行了重构相位的计算。在迭代的初始估计为随机分布的情况下,通过100—200次迭代,得到了满意的相位恢复解。
本文讨论了一般的非么正变换系统中二维波场分布的相位恢复问题。利用我们所建立的迭代算法,以一个具有衍射损耗的光学系统作为模型,对五个二维象差函数进行了重构相位的计算。在迭代的初始估计为随机分布的情况下,通过100—200次迭代,得到了满意的相位恢复解。
1989, 38(11): 1818-1825.
doi: 10.7498/aps.38.1818
摘要:
本文讨论了一般非均匀梯度磁场下任意方向传播的静电波引起粒子随机运动的非线性效应。用正则久期扰动理论给出包含粒子周期运动和波振荡之间非线性共振的哈密顿量。根据Chirikov岛重叠条件给出一般梯度磁场下粒子进入随机态的临界波幅值。分析表明,相对均匀磁场,在弱非均匀情形下,该临界值降低,意味着粒子更易进入随机态。
本文讨论了一般非均匀梯度磁场下任意方向传播的静电波引起粒子随机运动的非线性效应。用正则久期扰动理论给出包含粒子周期运动和波振荡之间非线性共振的哈密顿量。根据Chirikov岛重叠条件给出一般梯度磁场下粒子进入随机态的临界波幅值。分析表明,相对均匀磁场,在弱非均匀情形下,该临界值降低,意味着粒子更易进入随机态。
1989, 38(11): 1826-1832.
doi: 10.7498/aps.38.1826
摘要:
本文用量子力学方法研究在一腔中的等离子体与电磁场的相互作用,求得系统的哈密顿量的本征值和本征态,这本征态是一种广义压缩相干态。还求得在广义压缩相干态,场的压缩、反聚束、亚泊松统计等效应以及测量相算符的有关公式,这些效应均为时间守恒的。
本文用量子力学方法研究在一腔中的等离子体与电磁场的相互作用,求得系统的哈密顿量的本征值和本征态,这本征态是一种广义压缩相干态。还求得在广义压缩相干态,场的压缩、反聚束、亚泊松统计等效应以及测量相算符的有关公式,这些效应均为时间守恒的。
1989, 38(11): 1833-1837.
doi: 10.7498/aps.38.1833
摘要:
本文用磁流体力学的概念,解释并证实了在环境压力P0中确可存在平衡且稳定的球形等离子体。同时发现在自约束的等离子体平衡态不可能是无力场位形。还证明自约束的球状等离子体平衡态不唯一。计算结果表明,等离子体火球内部的压力P小于环境压力P0,与球形马克的磁场形态比较后发现自约束等离子体火球中的磁轴向中心偏移约10%,磁场的剪切稍弱。用Mercier判据可初步得知自约束球形等离子体平衡态是关于局域模稳定的。
本文用磁流体力学的概念,解释并证实了在环境压力P0中确可存在平衡且稳定的球形等离子体。同时发现在自约束的等离子体平衡态不可能是无力场位形。还证明自约束的球状等离子体平衡态不唯一。计算结果表明,等离子体火球内部的压力P小于环境压力P0,与球形马克的磁场形态比较后发现自约束等离子体火球中的磁轴向中心偏移约10%,磁场的剪切稍弱。用Mercier判据可初步得知自约束球形等离子体平衡态是关于局域模稳定的。
1989, 38(11): 1838-1844.
doi: 10.7498/aps.38.1838
摘要:
1.06μm激光以3.5×1013W/cm2管壁辐照强度注入带侧向喷口Mg微管靶管内。利用X射线条纹相机测量Mg10+和Mg11+离子沿侧喷方向发射X射线谱随时间变化过程,X射线时间分辨谱结果表明,三体再复合过程是实现Mg10+离子激发态1s4p和1s3p能级间粒子数反转的主要机制。用2660?紫外激光探针探测侧向喷口处等离子体电子密度,其密度值与用光谱分析获取的一致。
1.06μm激光以3.5×1013W/cm2管壁辐照强度注入带侧向喷口Mg微管靶管内。利用X射线条纹相机测量Mg10+和Mg11+离子沿侧喷方向发射X射线谱随时间变化过程,X射线时间分辨谱结果表明,三体再复合过程是实现Mg10+离子激发态1s4p和1s3p能级间粒子数反转的主要机制。用2660?紫外激光探针探测侧向喷口处等离子体电子密度,其密度值与用光谱分析获取的一致。
1989, 38(11): 1845-1848.
doi: 10.7498/aps.38.1845
摘要:
缺陷组态直接涉及到结构材料的力学性能,特别是位错亚结构(DSS)为最重要的缺陷组态中的第一个。本文评论并叙述了一种由王煜明完善并发展了的关于DSS的实用X射线线形傅里叶综合分析方法。根据此法进行了定量预测合金材料的力学性能,同时证明本方法的实际应用价值。
缺陷组态直接涉及到结构材料的力学性能,特别是位错亚结构(DSS)为最重要的缺陷组态中的第一个。本文评论并叙述了一种由王煜明完善并发展了的关于DSS的实用X射线线形傅里叶综合分析方法。根据此法进行了定量预测合金材料的力学性能,同时证明本方法的实际应用价值。
1989, 38(11): 1849-1852.
doi: 10.7498/aps.38.1849
摘要:
本文在q×(20—150)keV的能量范围内,通过光学测量,对He+和He2+离子与碱余属原子Li碰撞过程中的靶激发过程进行了研究。由光学多道分析系统(OMA),测得LiI 670.8nm(2p→2s),LiI610.4nm(3d→2p),LiI460.3nm(4d→2p)和LiI812.6nm(3s→2p)谱线。给出所观察到的谱线的发射截面和相立的Li(2p)激发截面。对He+与Li碰撞过程,LiI670.8nm谱线发射截面与Aumayr
本文在q×(20—150)keV的能量范围内,通过光学测量,对He+和He2+离子与碱余属原子Li碰撞过程中的靶激发过程进行了研究。由光学多道分析系统(OMA),测得LiI 670.8nm(2p→2s),LiI610.4nm(3d→2p),LiI460.3nm(4d→2p)和LiI812.6nm(3s→2p)谱线。给出所观察到的谱线的发射截面和相立的Li(2p)激发截面。对He+与Li碰撞过程,LiI670.8nm谱线发射截面与Aumayr
1989, 38(11): 1853-1857.
doi: 10.7498/aps.38.1853
摘要:
本文通过光学方法,在q×(20—140)keV能量范围内,研究了He+和He2+离子与碱金属原子Na碰撞中的靶激发过程。通过光学多道分析系统(OMA),对He+与Na碰撞过程,观察到NaI589.0+589.6nm(3p→3s),NaI818.3nm(3d→3p)和NaI568.8nm(4d→3p)等谱线。对He2+与Na碰撞过程,只观察到NaI589.0+589.6nm谱线。计算了所有观察到的谱线的发射截面和Na(3
本文通过光学方法,在q×(20—140)keV能量范围内,研究了He+和He2+离子与碱金属原子Na碰撞中的靶激发过程。通过光学多道分析系统(OMA),对He+与Na碰撞过程,观察到NaI589.0+589.6nm(3p→3s),NaI818.3nm(3d→3p)和NaI568.8nm(4d→3p)等谱线。对He2+与Na碰撞过程,只观察到NaI589.0+589.6nm谱线。计算了所有观察到的谱线的发射截面和Na(3
1989, 38(11): 1858-1863.
doi: 10.7498/aps.38.1858
摘要:
采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg0.3Cd0.7Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg0.3Cd0.7Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不同压力下的实验结果,得到Hg0.3Cd0.7Te能隙的一阶压力系数α=8.7×10-11eV/Pa,与用化学键介电
采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg0.3Cd0.7Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg0.3Cd0.7Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不同压力下的实验结果,得到Hg0.3Cd0.7Te能隙的一阶压力系数α=8.7×10-11eV/Pa,与用化学键介电
1989, 38(11): 1864-1868.
doi: 10.7498/aps.38.1864
摘要:
本文用紧束缚模型和单电子理论研究吸附原子间的间接相互作用能。讨论杂质的影响,发现掺杂Cu使相互作用能的峰值增大,峰的位置向耦合强度较大的方向移动;而掺杂Co情况则正好相反。利用相互作用能随吸附原子相对位置的变化,很好地解释了H和O在Ni(100)面上吸附时的层结构。还发现相互作用随耦合强度的减少呈现振荡衰减的趋势。
本文用紧束缚模型和单电子理论研究吸附原子间的间接相互作用能。讨论杂质的影响,发现掺杂Cu使相互作用能的峰值增大,峰的位置向耦合强度较大的方向移动;而掺杂Co情况则正好相反。利用相互作用能随吸附原子相对位置的变化,很好地解释了H和O在Ni(100)面上吸附时的层结构。还发现相互作用随耦合强度的减少呈现振荡衰减的趋势。
1989, 38(11): 1869-1873.
doi: 10.7498/aps.38.1869
摘要:
本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达108cm-3的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达107cm-3;在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到
本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达108cm-3的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达107cm-3;在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到
1989, 38(11): 1874-1876.
doi: 10.7498/aps.38.1874
摘要:
本文用Melnikov方法得到了含二次非线性项受迫振动系统的混沌阈值,分析了参数对阈值的影响,与以往用近似二维叠代和数值积分的结果进行了比较。
本文用Melnikov方法得到了含二次非线性项受迫振动系统的混沌阈值,分析了参数对阈值的影响,与以往用近似二维叠代和数值积分的结果进行了比较。
1989, 38(11): 1877-1881.
doi: 10.7498/aps.38.1877
摘要:
本文利用摄动方法研究引力辐射阻尼对双星轨道要素产生的影响。这种影响导致双星系统的瓦解,特别轨道长轴、偏心率和公转周期不仅有周期变化,也有长期变化,但对近星点进动只有周期变化。最后利用所推的结果对三颗双星(Y cyg,PSR2303+24,PSR1913+16)的轨道要素变化产生的周期项和长期项做了数值估计,并同广义相对论效应做了比较。
本文利用摄动方法研究引力辐射阻尼对双星轨道要素产生的影响。这种影响导致双星系统的瓦解,特别轨道长轴、偏心率和公转周期不仅有周期变化,也有长期变化,但对近星点进动只有周期变化。最后利用所推的结果对三颗双星(Y cyg,PSR2303+24,PSR1913+16)的轨道要素变化产生的周期项和长期项做了数值估计,并同广义相对论效应做了比较。
1989, 38(11): 1882-1885.
doi: 10.7498/aps.38.1882
摘要:
基于广义相对论及度规引力理论的基本原理,计算了北京“光速各向异性检验”实验的预期值。结论是该实验将不可能在广义相对论传统观点和文献[1]提出的观点之间作出判断。
基于广义相对论及度规引力理论的基本原理,计算了北京“光速各向异性检验”实验的预期值。结论是该实验将不可能在广义相对论传统观点和文献[1]提出的观点之间作出判断。
1989, 38(11): 1886-1890.
doi: 10.7498/aps.38.1886
摘要:
本文讨论了确定电负性混合气体临界电场强度的两种方法。一是用电负性混合气体中各组成气体的预放电参数来确定按任意比例混合的气体之临界电场强度。另一是由高能脉冲激光释放电子,记录预放电电子电流波形来确定混合气体的临界电场强度。用这两种方法确定N2和SF6混合气体的临界电场强度,其结果十分符合。
本文讨论了确定电负性混合气体临界电场强度的两种方法。一是用电负性混合气体中各组成气体的预放电参数来确定按任意比例混合的气体之临界电场强度。另一是由高能脉冲激光释放电子,记录预放电电子电流波形来确定混合气体的临界电场强度。用这两种方法确定N2和SF6混合气体的临界电场强度,其结果十分符合。
1989, 38(11): 1891-1895.
doi: 10.7498/aps.38.1891
摘要:
为了研究YIG中生长感生磁各向异性的来源,穆斯堡尔测量扩展到低温。发现在170K以下,Ku为负,即有一自旋再取向。计算表明,0.01%Fe2+的单离子各向异性可以说明观察到的Ku(T),假定Fe2+离子优先占据除(1/4 1/4 1/4)和(3/4 3/4 3/4)外的八面体晶位。
为了研究YIG中生长感生磁各向异性的来源,穆斯堡尔测量扩展到低温。发现在170K以下,Ku为负,即有一自旋再取向。计算表明,0.01%Fe2+的单离子各向异性可以说明观察到的Ku(T),假定Fe2+离子优先占据除(1/4 1/4 1/4)和(3/4 3/4 3/4)外的八面体晶位。
1989, 38(11): 1896-1900.
doi: 10.7498/aps.38.1896
摘要:
通过选择激发SBN晶体中处于不同晶场位的Eu3+离子,得到5D0→7F1的时间分辨荧光光谱,确定了不等价晶场位的离子间的能量转移速率。荧光峰随激发波数的变化表明局部晶场的连续畸变。
通过选择激发SBN晶体中处于不同晶场位的Eu3+离子,得到5D0→7F1的时间分辨荧光光谱,确定了不等价晶场位的离子间的能量转移速率。荧光峰随激发波数的变化表明局部晶场的连续畸变。