1987年 36卷 第1期
1987, 36(1): 1-9.
doi: 10.7498/aps.36.1
摘要:
本文应用光学混频和自聚焦理论,研究了两束频率差等于等离子体振荡频率的激光在均匀等离子体中的共振自聚焦行为,解析地导出了非线性介电常数和共振自聚焦的阈值功率,并讨论了它对激光等离子体参数的定标关系,并且与普通的有质动力自聚焦作了比较。此外,本文还研究了偏离频率匹配条件对共振自聚焦阈值功率的影响。
本文应用光学混频和自聚焦理论,研究了两束频率差等于等离子体振荡频率的激光在均匀等离子体中的共振自聚焦行为,解析地导出了非线性介电常数和共振自聚焦的阈值功率,并讨论了它对激光等离子体参数的定标关系,并且与普通的有质动力自聚焦作了比较。此外,本文还研究了偏离频率匹配条件对共振自聚焦阈值功率的影响。
1987, 36(1): 10-16.
doi: 10.7498/aps.36.10
摘要:
本文对于迄今为止用来进行电子干涉和电子全息实验的五种光路设计作了简明的比较。介绍了使用Mollenstedt电子双棱镜作为分束器,在JEM-200CX型电子显微镜上成功地进行电子干涉与电子全息实验的两种操作模式。并且给出了有关实验参数及计算结果。最后,根据我们的经验提出了操作中应当加以重视的事项。
本文对于迄今为止用来进行电子干涉和电子全息实验的五种光路设计作了简明的比较。介绍了使用Mollenstedt电子双棱镜作为分束器,在JEM-200CX型电子显微镜上成功地进行电子干涉与电子全息实验的两种操作模式。并且给出了有关实验参数及计算结果。最后,根据我们的经验提出了操作中应当加以重视的事项。
1987, 36(1): 24-28.
doi: 10.7498/aps.36.24
摘要:
本文研究了LiNbO3:Fe的可见激光表面损伤;光伤迹线(位错滑移带与微裂纹)与针状微畸伴生。它们位于光斑边缘的正Ps端;微畴起于光伤迹线与晶体表面的圆柱形沟道。我们发现LN:Fe中的这些损伤缺陷能够为光生伏特效应下的空间电荷所缀饰;它们在正交偏光镜下明晰可见。本文讨论了由晶体缺陷所致的自增强衍射光,富集于缺陷的空间电荷所致的空洞场,以及由此场导致的发生在畴界上的静电斥力对此损伤所起的作用。
本文研究了LiNbO3:Fe的可见激光表面损伤;光伤迹线(位错滑移带与微裂纹)与针状微畸伴生。它们位于光斑边缘的正Ps端;微畴起于光伤迹线与晶体表面的圆柱形沟道。我们发现LN:Fe中的这些损伤缺陷能够为光生伏特效应下的空间电荷所缀饰;它们在正交偏光镜下明晰可见。本文讨论了由晶体缺陷所致的自增强衍射光,富集于缺陷的空间电荷所致的空洞场,以及由此场导致的发生在畴界上的静电斥力对此损伤所起的作用。
1987, 36(1): 29-36.
doi: 10.7498/aps.36.29
摘要:
在实验上用实时观察法和Kyropoulos技术生长水杨酸苯脂单晶,研究晶体形貌随过冷度的变化关系。在理论上采用Hartman-Perdok的PBC方法,分析水杨酸苯脂单晶形貌和晶体结构的关系。应用木原的核心势能模型,扩展了PBC理论。解析的晶体形貌与实时观察法得到的晶体形貌相当一致。
在实验上用实时观察法和Kyropoulos技术生长水杨酸苯脂单晶,研究晶体形貌随过冷度的变化关系。在理论上采用Hartman-Perdok的PBC方法,分析水杨酸苯脂单晶形貌和晶体结构的关系。应用木原的核心势能模型,扩展了PBC理论。解析的晶体形貌与实时观察法得到的晶体形貌相当一致。
1987, 36(1): 37-46.
doi: 10.7498/aps.36.37
摘要:
在以速率α匀速增加的磁化场中,测量铁磁性材料的内耗时,材料中畴壁所受的力除了外加磁化场所提供的主驱动力A00+A10αt,以及测量内耗所用交变应力所提供的微扰交变驱动力A30sinωt之外,经分析表明,还存在一项在数值上与主驱动力及交变驱动力的乘积成正比的交互作用驱动力,可写为A20sinωt。这里的A0
在以速率α匀速增加的磁化场中,测量铁磁性材料的内耗时,材料中畴壁所受的力除了外加磁化场所提供的主驱动力A00+A10αt,以及测量内耗所用交变应力所提供的微扰交变驱动力A30sinωt之外,经分析表明,还存在一项在数值上与主驱动力及交变驱动力的乘积成正比的交互作用驱动力,可写为A20sinωt。这里的A0
1987, 36(1): 47-53.
doi: 10.7498/aps.36.47
摘要:
本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实验结果一致。本文还计算了Ⅶ族元素F,Cl,Br,I在Si(111)顶位吸附的状态密度,讨论了这系列DOS的变化情况,并与实验或其他理论结果进行了比较,最后还讨论了半经验EHT方法的适用性及限制。
本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实验结果一致。本文还计算了Ⅶ族元素F,Cl,Br,I在Si(111)顶位吸附的状态密度,讨论了这系列DOS的变化情况,并与实验或其他理论结果进行了比较,最后还讨论了半经验EHT方法的适用性及限制。
1987, 36(1): 54-59.
doi: 10.7498/aps.36.54
摘要:
利用MeV能量的准直质子束,在不同的质子能量下,测定了α-LiIO3单晶向的轴沟道参数角度半宽度ψ1/2和产额极小值χmin。在向静电场作用卞,首次观察到入射质子与表面处的Ⅰ原子沟道-背散射产额随电场作用时间而增加,并定量计算了表面无序Ⅰ原子数随静电场作用时间的关系。另外,入射质子与 7Li原子沟道-核反应[7Li(p,α)4He]产生的α粒子产额也随电场作用时间而增加。
利用MeV能量的准直质子束,在不同的质子能量下,测定了α-LiIO3单晶向的轴沟道参数角度半宽度ψ1/2和产额极小值χmin。在向静电场作用卞,首次观察到入射质子与表面处的Ⅰ原子沟道-背散射产额随电场作用时间而增加,并定量计算了表面无序Ⅰ原子数随静电场作用时间的关系。另外,入射质子与 7Li原子沟道-核反应[7Li(p,α)4He]产生的α粒子产额也随电场作用时间而增加。
1987, 36(1): 60-66.
doi: 10.7498/aps.36.60
摘要:
本文研究了极性基团浓度、碱金属盐阳离子和阴离子尺寸对均聚物聚环氧氯丙烷(PECH)和共聚物聚环氧氯丙烷-聚环氧乙烷(PECH-PEO)电导率的影响。对锂盐络合物,极性基团浓度增高,电导率降低。钠盐络合物则正好相反,极性基团浓度越高,电导率越高。碱金属盐阳离子和阴离子尺寸对聚合物离子导体电导率都有明显影响。所研究的聚环氧氯丙烷与三种碱金属盐络合物PECH-MI(M=Li,Na,K)的电导率数据表明,钠盐络合物的电导率最高,锂盐和钾盐络合物的电导率较低。碱金属盐阴离子越大,PECH络合物的电导率越低。此外,还
本文研究了极性基团浓度、碱金属盐阳离子和阴离子尺寸对均聚物聚环氧氯丙烷(PECH)和共聚物聚环氧氯丙烷-聚环氧乙烷(PECH-PEO)电导率的影响。对锂盐络合物,极性基团浓度增高,电导率降低。钠盐络合物则正好相反,极性基团浓度越高,电导率越高。碱金属盐阳离子和阴离子尺寸对聚合物离子导体电导率都有明显影响。所研究的聚环氧氯丙烷与三种碱金属盐络合物PECH-MI(M=Li,Na,K)的电导率数据表明,钠盐络合物的电导率最高,锂盐和钾盐络合物的电导率较低。碱金属盐阴离子越大,PECH络合物的电导率越低。此外,还
1987, 36(1): 67-73.
doi: 10.7498/aps.36.67
摘要:
我们用Zakharov方程描述等离子体中Langmuir波、横波和离子声波的非线性相互作用,通过研究系统稳态的Sagdeev势的性质,讨论了该系统中孤立子可能存在的条件;同时和体系的极小能量状态相联系,构造了体系的Liapunov泛函,研究了孤立子的Liapunov稳定性。我们所采用的方法是完全非线性的,得到的稳定性判据在横波和Langmuir波解耦情况下退化为文献[8]的结果。
我们用Zakharov方程描述等离子体中Langmuir波、横波和离子声波的非线性相互作用,通过研究系统稳态的Sagdeev势的性质,讨论了该系统中孤立子可能存在的条件;同时和体系的极小能量状态相联系,构造了体系的Liapunov泛函,研究了孤立子的Liapunov稳定性。我们所采用的方法是完全非线性的,得到的稳定性判据在横波和Langmuir波解耦情况下退化为文献[8]的结果。
1987, 36(1): 74-77.
doi: 10.7498/aps.36.74
摘要:
氢化非晶硅在低速激光扫描下,可以得到四个结晶区,即微晶区,固相结晶区,过冷液相结晶区和液相激光结晶区。对氢化非晶硅激光结晶提出了一种温场控制模型,可用以解释结晶特点,揭示结晶过程。
氢化非晶硅在低速激光扫描下,可以得到四个结晶区,即微晶区,固相结晶区,过冷液相结晶区和液相激光结晶区。对氢化非晶硅激光结晶提出了一种温场控制模型,可用以解释结晶特点,揭示结晶过程。
1987, 36(1): 78-88.
doi: 10.7498/aps.36.78
摘要:
本文应用Lamb半经典理论,采用矢量场模型,研究了横向Zeeman激光介质的高阶非线性效应,计算了该情况下横向Zeeman激光介质的三阶极化强度和光强的解析表达式,从理论上解释了σ与π光差拍畸变以及σ与π光本身的高次谐波现象,给出了发生畸变的物理原因。
本文应用Lamb半经典理论,采用矢量场模型,研究了横向Zeeman激光介质的高阶非线性效应,计算了该情况下横向Zeeman激光介质的三阶极化强度和光强的解析表达式,从理论上解释了σ与π光差拍畸变以及σ与π光本身的高次谐波现象,给出了发生畸变的物理原因。
1987, 36(1): 89-94.
doi: 10.7498/aps.36.89
摘要:
本文报道了波长为1.06μm、脉宽为10ps左右的超短光脉冲通过非线性介质——着色的LiF晶体的变化情况。当晶体厚度较薄时,通过的超短光脉冲宽度变窄;厚度较厚时,通过的光脉冲宽度反而变宽;我们认为这些现象与着色的LiF晶体的特性有关。
本文报道了波长为1.06μm、脉宽为10ps左右的超短光脉冲通过非线性介质——着色的LiF晶体的变化情况。当晶体厚度较薄时,通过的超短光脉冲宽度变窄;厚度较厚时,通过的光脉冲宽度反而变宽;我们认为这些现象与着色的LiF晶体的特性有关。
1987, 36(1): 95-100.
doi: 10.7498/aps.36.95
摘要:
研究了用少量V和Nb代替钴基非晶合金中的B对感生磁各向异性的影响。用圆片形的试样在260—320℃进行等温磁场退火,用一灵敏的磁转矩仪测定了形成感生磁各向异性的动力学曲线。设弛豫时间服从对数正态分布,计算了动力学参数。结果说明,用V或Nb在钴基非晶合金中取代B可以有效地降低Ku的饱和值,但对动力学参数影响很小。讨论了添加少量过渡元素对感生磁各向异性以及磁性稳定性的影响问题。
研究了用少量V和Nb代替钴基非晶合金中的B对感生磁各向异性的影响。用圆片形的试样在260—320℃进行等温磁场退火,用一灵敏的磁转矩仪测定了形成感生磁各向异性的动力学曲线。设弛豫时间服从对数正态分布,计算了动力学参数。结果说明,用V或Nb在钴基非晶合金中取代B可以有效地降低Ku的饱和值,但对动力学参数影响很小。讨论了添加少量过渡元素对感生磁各向异性以及磁性稳定性的影响问题。
1987, 36(1): 101-107.
doi: 10.7498/aps.36.101
摘要:
正常氧化铯薄膜的光学常数和介电常数随铯杂质含量和入射光波长有关。本文给出实测的三种铯杂质含量较多的氧化铯的折射率n。消光系数k和复介电常数在可见光和近红外范围的曲线,并对这些曲线和散射光及反射光颜色随铯杂质含量的关系作了讨论。
正常氧化铯薄膜的光学常数和介电常数随铯杂质含量和入射光波长有关。本文给出实测的三种铯杂质含量较多的氧化铯的折射率n。消光系数k和复介电常数在可见光和近红外范围的曲线,并对这些曲线和散射光及反射光颜色随铯杂质含量的关系作了讨论。
1987, 36(1): 108-113.
doi: 10.7498/aps.36.108
摘要:
在脉冲N2分子激光激发下,研究了在BaYF,中Eu2+和Ho3+的发射光谱,激发光谱和荧光寿命,以及Ho3+的超灵敏跃迁(5I8→5G6)。在Ho3+发射光谱中,5S2→5I8跃迁占主导地位。从Eu2+
在脉冲N2分子激光激发下,研究了在BaYF,中Eu2+和Ho3+的发射光谱,激发光谱和荧光寿命,以及Ho3+的超灵敏跃迁(5I8→5G6)。在Ho3+发射光谱中,5S2→5I8跃迁占主导地位。从Eu2+
1987, 36(1): 114-119.
doi: 10.7498/aps.36.114
摘要:
在T=2.3—24K的温度范围里,研究了不同组分的n-Hg1-xCdxTe样品的SdH效应。测量了纵向和横向的磁阻振荡峰,能清晰地分辨n>3的自旋分裂峰。由此计算了n-Hg1-xCdxTe的能带参数,讨论了导带的非抛物线性和费密能级随磁场的变化对实验结果的影响。
在T=2.3—24K的温度范围里,研究了不同组分的n-Hg1-xCdxTe样品的SdH效应。测量了纵向和横向的磁阻振荡峰,能清晰地分辨n>3的自旋分裂峰。由此计算了n-Hg1-xCdxTe的能带参数,讨论了导带的非抛物线性和费密能级随磁场的变化对实验结果的影响。
1987, 36(1): 120-124.
doi: 10.7498/aps.36.120
摘要:
在BCS机制下,我们采用Anderson模型哈密顿量,讨论了Kondo型重费密子超导体的铁磁态和超导态能否共存的问题。结果表明共存态是不稳定的。
在BCS机制下,我们采用Anderson模型哈密顿量,讨论了Kondo型重费密子超导体的铁磁态和超导态能否共存的问题。结果表明共存态是不稳定的。
1987, 36(1): 125-129.
doi: 10.7498/aps.36.125
摘要:
分析了TGS类晶体在制作热释电探测器件时的最佳切割方向问题,给出了有关参数之间的相应公式;测量了ADTGSP晶体在不同方向上的介电常数、热释电系数以及电压响应优值与温度的依赖关系。结果表明,采用最佳切割将大大提高热释电红外探测器件的电压响应性能。
分析了TGS类晶体在制作热释电探测器件时的最佳切割方向问题,给出了有关参数之间的相应公式;测量了ADTGSP晶体在不同方向上的介电常数、热释电系数以及电压响应优值与温度的依赖关系。结果表明,采用最佳切割将大大提高热释电红外探测器件的电压响应性能。
