1961年 17卷 第5期
1961, 17(5): 205-213.
doi: 10.7498/aps.17.205
摘要:
本文研究了用动量为68亿电子伏/c和80亿电子伏/c的刀π-介子产生Ξ-超子,得到了π-介子的动量为68和80亿电子伏/c的Ξ-产生的截面(当68亿电子伏/c时σ=3.6-2.1+2.5μδ/N,当80亿电子伏/c时σ=10.6-3.2+4.4μδ/N),Ξ-的质量(MΞ-=1317.0±2.2兆电子伏)和Ξ的寿命τ0=3.5-1.2+3.4×10-10秒。
本文研究了用动量为68亿电子伏/c和80亿电子伏/c的刀π-介子产生Ξ-超子,得到了π-介子的动量为68和80亿电子伏/c的Ξ-产生的截面(当68亿电子伏/c时σ=3.6-2.1+2.5μδ/N,当80亿电子伏/c时σ=10.6-3.2+4.4μδ/N),Ξ-的质量(MΞ-=1317.0±2.2兆电子伏)和Ξ的寿命τ0=3.5-1.2+3.4×10-10秒。
1961, 17(5): 214-221.
doi: 10.7498/aps.17.214
摘要:
本文应用热力学的推迟格临函数,重新推导了克洛格斯顿等人的铁磁共振峯宽理论。我们所得到的结果适用于广阔的温度范围,文中计算了磁化率张量和去掉微波场后横向磁化强度随时间的变化。
本文应用热力学的推迟格临函数,重新推导了克洛格斯顿等人的铁磁共振峯宽理论。我们所得到的结果适用于广阔的温度范围,文中计算了磁化率张量和去掉微波场后横向磁化强度随时间的变化。
1961, 17(5): 222-228.
doi: 10.7498/aps.17.222
摘要:
本文描述了一台中子衍射仪,并检验了这台仪器的性能和精确度。在采用NaCl单晶体作单色器,选择中子波长为1.06埃时,仪器的分辨率△λ/λ=0.026单色中子束强度为3×106中子/分。利用这台衍射仪测量了NaCl单晶体样品和α-Fe多晶样品的中子衍射图。
本文描述了一台中子衍射仪,并检验了这台仪器的性能和精确度。在采用NaCl单晶体作单色器,选择中子波长为1.06埃时,仪器的分辨率△λ/λ=0.026单色中子束强度为3×106中子/分。利用这台衍射仪测量了NaCl单晶体样品和α-Fe多晶样品的中子衍射图。
1961, 17(5): 229-236.
doi: 10.7498/aps.17.229
摘要:
本文简要叙述了射线的探测技术对光电倍加管的各种要求,以及管子的基本参数与应用的关系,综合了近年来文献中与此有关的光阴极、二次极和结构方面的工作情况。在阴极方面介绍了锑-铯、锑-钾-钠-铯光阴极和新的反射式锑-铯光阴极。在二次极方面介绍了锑-铯二次极和银-镁、铝-镁合金二次极等。在结构方面介绍了光阴极到第一个二次极区域的电子光学输入部分的结构和二次发射倍增系统的结构。本文还初步讨论了光阴极、二次极及管型结构方面的若干改进意见。
本文简要叙述了射线的探测技术对光电倍加管的各种要求,以及管子的基本参数与应用的关系,综合了近年来文献中与此有关的光阴极、二次极和结构方面的工作情况。在阴极方面介绍了锑-铯、锑-钾-钠-铯光阴极和新的反射式锑-铯光阴极。在二次极方面介绍了锑-铯二次极和银-镁、铝-镁合金二次极等。在结构方面介绍了光阴极到第一个二次极区域的电子光学输入部分的结构和二次发射倍增系统的结构。本文还初步讨论了光阴极、二次极及管型结构方面的若干改进意见。
1961, 17(5): 237-245.
doi: 10.7498/aps.17.237
摘要:
本文报导用低频扭摆在四种高铬钢和八种高铬镍钢中在高温下观察到的几个内耗峯。在铁素体型的三种高铬钢中(27Cr、25CrTi和20Cr),从高温淬火后都在570℃附近观察到一个内耗峯,用27Cr和20Cr试样求出了这个内耗峯所包含的激活能,为87,000卡/克分子左右。上述三种高铬钢从高温炉冷后,还可以在640℃附近出现一个内耗峯,另一种13Cr试样从高温炉冷后,可以在610℃附近出现一个内耗峯。在奥氏体型的八种高铬镍钢中,都在730℃附近观察到一个内耗峯,用18Cr 18Ni试样求出了这个内耗峯所包含的激活能,为85,000卡/克分子左右。根据初步实验结果,讨论了引起这几个内耗峯的可能原因。
本文报导用低频扭摆在四种高铬钢和八种高铬镍钢中在高温下观察到的几个内耗峯。在铁素体型的三种高铬钢中(27Cr、25CrTi和20Cr),从高温淬火后都在570℃附近观察到一个内耗峯,用27Cr和20Cr试样求出了这个内耗峯所包含的激活能,为87,000卡/克分子左右。上述三种高铬钢从高温炉冷后,还可以在640℃附近出现一个内耗峯,另一种13Cr试样从高温炉冷后,可以在610℃附近出现一个内耗峯。在奥氏体型的八种高铬镍钢中,都在730℃附近观察到一个内耗峯,用18Cr 18Ni试样求出了这个内耗峯所包含的激活能,为85,000卡/克分子左右。根据初步实验结果,讨论了引起这几个内耗峯的可能原因。
