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高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究
施卫
,
赵卫
,
张显斌
,
李恩玲
, 2002,
51(4)
: 867-872.
DOI:
10.7498/aps.51.867
CSTR:
32037.14.aps.51.867
Shi Wei
,
Zhao Wei
,
Zhang Xian-Bin
,
Li En-Ling
Acta Phys. Sin.
, 2002,
51(4)
: 867-872.
DOI:
10.7498/aps.51.867
CSTR:
32037.14.aps.51.867
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报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果.其中8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达28kV,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明,开关输出电磁脉冲无晃动,电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达560A,电磁脉冲重复率108Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lockon状态下的实验结果,测试了GaAs开关工作于lockon状态下的光能、电场阈值
关键词:
光电导开关 lockon效应 高功率超快电脉冲
Abstract
Keywords:
作者及机构信息
施卫
,
赵卫
,
张显斌
,
李恩玲
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